全球半導(dǎo)體大廠臺(tái)積電、英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)在10納米級(jí)多重閘極3D架構(gòu)的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)展開激烈競(jìng)爭(zhēng)，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術(shù)領(lǐng)先，紛準(zhǔn)備投入量產(chǎn)，臺(tái)積電則致力于16納米FinFET技術(shù)發(fā)展。半導(dǎo)體業(yè)者透露，面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手14納米進(jìn)逼，臺(tái)積電亦布下天羅地網(wǎng)迎戰(zhàn)，傳出內(nèi)部針對(duì)16納米制程規(guī)劃3個(gè)版本，且第二版本可能直接在2014年底進(jìn)行試產(chǎn)，近期已開始說(shuō)服客戶導(dǎo)入。