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[導(dǎo)讀]Altera與臺積電攜手合作,采用臺積電專利的細(xì)間距銅凸塊封裝技術(shù),打造20奈米(nm)Arria 10現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)與系統(tǒng)單晶片(SoC)。Altera成為首家采用此先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的公司,成功提升其20奈米元件系列之品

Altera與臺積電攜手合作,采用臺積電專利的細(xì)間距銅凸塊封裝技術(shù),打造20奈米(nm)Arria 10現(xiàn)場可編程閘陣列(FPGA)與系統(tǒng)單晶片(SoC)。Altera成為首家采用此先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的公司,成功提升其20奈米元件系列之品質(zhì)、可靠性與效能。

Altera全球營運(yùn)及工程副總裁Bill Mazotti表示,臺積電提供一項(xiàng)先進(jìn)且高度整合的封裝解決方案,不僅為Arria 10 FPGA與SoC帶來相當(dāng)大的助力,并且協(xié)助Altera解決在20奈米封裝技術(shù)上所面臨的挑戰(zhàn)。

臺積電北美子公司資深副總經(jīng)理David Keller表示,臺積電的銅凸塊封裝技術(shù)針對使用超低介電材料,以及需要小于150微米(μm)微間距凸塊的先進(jìn)矽晶產(chǎn)品創(chuàng)造更高價(jià)值,臺積電很榮幸Altera采用此高度整合的封裝解決方案。

相較于一般標(biāo)準(zhǔn)型銅凸塊解決方案,臺積電的覆晶球閘陣列(Flip Chip BGA)封裝技術(shù)采用細(xì)間距銅凸塊,能夠滿足高性能FPGA產(chǎn)品對多凸塊接點(diǎn)的需求,亦提供較佳的凸塊焊接點(diǎn)疲勞壽命,并且改善電遷移(Electro-Migration)以及超低介電系數(shù)介電層(Extra Low-K Layer)之低應(yīng)力表現(xiàn),對于使用先進(jìn)矽晶技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品而言,這些都是非常關(guān)鍵的特性。

Altera網(wǎng)址:www.altera.com

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