Micron宣布加大DDR4模塊的產(chǎn)量
[導(dǎo)讀]先進內(nèi)存及企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能應(yīng)用存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存儲器的產(chǎn)量以支持即將發(fā)布的Intel(R) CPU。DDR4技術(shù)的性能改進及功耗降低是日益增長的企業(yè)計算市場十
先進內(nèi)存及企業(yè)數(shù)據(jù)中心和高性能應(yīng)用存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology, Inc., 今日宣布其正逐步加大DDR4存儲器的產(chǎn)量以支持即將發(fā)布的Intel(R) CPU。DDR4技術(shù)的性能改進及功耗降低是日益增長的企業(yè)計算市場十分重要的要求，與傳統(tǒng)DDR3相比，DDR4的功耗可減少達35%。
Micron正逐步加大其基于4Gb的DDR4模塊的產(chǎn)量，該模塊傳輸速率達2133MT/s以支持Intel Xeon(TM)處理器E5-2600 v3系列產(chǎn)品系統(tǒng)。預(yù)計在2015年的后續(xù)產(chǎn)品中，Micron還可提供2400 MT/s設(shè)備的樣品。
“我們符合JEDEC標準的組合產(chǎn)品展示出DDR4可向客戶提供的性能和功耗方面的優(yōu)勢”，Micron市場和程序管理副總裁Robert Feurle說。“由于Micron與重要客戶的密切合作，我們在市場上占有有利地位，能將這種令人振奮的新技術(shù)提供給市場”。
“從DDR4內(nèi)存定義的早期直至產(chǎn)品的發(fā)布，我們一直與Micron密切合作”，Intel DCG內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)總監(jiān)Geof Findley說?！拔覀児餐目蛻魧⒖梢詮倪@項新存儲技術(shù)中獲益，由此可提高未來Intel Xeon(TM)處理器E5-2600 v3系列產(chǎn)品系統(tǒng)（這些新處理器將于2014年下半年達產(chǎn)）的性能、降低其功耗，我們?yōu)榇烁械椒浅８吲d”。
Micron完全符合JEDEC標準的DDR4產(chǎn)品組合包括RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM和SODIMM(糾錯內(nèi)存及非糾錯內(nèi)存)，以及x4、x8和x16器件。預(yù)計將于2014年3季度早期提供NVDIMM樣品。
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