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[導讀]Littelfuse公司日前宣布為其功率控制半導體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值,能夠可靠、靈活地提供依托現(xiàn)代IGBT技術的高效而迅速的開關速度。 此類

Littelfuse公司日前宣布為其功率控制半導體系列新添兩款產(chǎn)品。 新的半橋電路IGBT模塊提供符合行業(yè)標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值,能夠可靠、靈活地提供依托現(xiàn)代IGBT技術的高效而迅速的開關速度。 此類產(chǎn)品設計用于多種功率控制應用,包括交流電機控制器、運動/伺服控制器、逆變器、電源以及太陽能逆變器。 新的相臂和常規(guī)陰極電路整流器二極管模塊的額定值最高為1800V和200A,提供更高的熱效率以保證更長的使用壽命和可靠性能。 其符合行業(yè)標準的S和A封裝尺寸使標準二極管具有最高200A的輸出電流。 該整流器二極管模塊設計用于常規(guī)高壓應用,如高壓穩(wěn)壓電源、照明電路、溫度和電機速度控制電路、UPS和電池充電器。 這兩個產(chǎn)品系列均提供標準和定制解決方案,以確切滿足電路設計人員的性能標準。

IGBT模塊

整流器二極管模塊

功率半導體業(yè)務發(fā)展經(jīng)理Richard Bono 表示:“這些IGBT模塊非常適合用于制造靈活高效的電機控制器和逆變器應用。這些產(chǎn)品非常適用于工業(yè)電子產(chǎn)品,比如工業(yè)驅(qū)動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源、開關電源和焊接機械。”

IGBT模塊具有以下關鍵優(yōu)勢:

超低損耗,確保高效率及開關速度。

高耐用性帶來了嚴苛應用環(huán)境下的高可靠性。

高短路能力降低了保護需求。

正溫度系數(shù)器件可輕松并聯(lián)以提高電流處理能力。

快速續(xù)流二極管提供緊湊模塊封裝形式的一體化解決方案。

晶閘管業(yè)務發(fā)展經(jīng)理Koichiro Yoshimoto 表示:“整流器二極管模塊將商業(yè)交流電轉換為整流交流電或直流電并導入電源開關,如IGBT或MOSFET。它們具有更高的熱效率,有助于確保延長使用壽命,提高現(xiàn)場的可靠性。”

整流器二極管模塊具備以下關鍵優(yōu)勢:

低反向恢復損耗,有助于確保高運營效率。

低正向電壓,減少散熱要求。

高浪涌電流抵御能力,確?,F(xiàn)場可靠運行。

低電感封裝使交流主電源失真率更低。

二極管相臂或緊湊封裝形式的常規(guī)陰極布局使電路設計人員可以使用同樣的模塊輕易構建出單相或三相整流器電路。

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