三星發(fā)布第二代32層3D立體堆疊閃存
[導(dǎo)讀]2013年8月,三星電子宣布批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。今天,三星又公布了第二代,堆疊的閃存竟然達(dá)到了32層,比第一代的24層又增加了三分之一。與此同時(shí),三星還推出了一系列基于這種新閃
2013年8月,三星電子宣布批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。今天,三星又公布了第二代,堆疊的閃存竟然達(dá)到了32層,比第一代的24層又增加了三分之一。與此同時(shí),三星還推出了一系列基于這種新閃存的固態(tài)硬盤(pán),容量有128GB、256GB、512GB、1TB等不同規(guī)格,應(yīng)用市場(chǎng)也從數(shù)據(jù)中心拓展到了高端PC。





