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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢(shì),迎戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera的先進(jìn)制程新攻勢(shì)。 摘要: 賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢(shì),迎戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera的先進(jìn)制程新攻勢(shì)。關(guān)鍵字: IC,芯片,納

【導(dǎo)讀】賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢(shì),迎戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera的先進(jìn)制程新攻勢(shì)。

摘要:  賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢(shì),迎戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera的先進(jìn)制程新攻勢(shì)。

關(guān)鍵字:  IC,芯片納米

賽靈思(Xilinx)將以三維晶片(3D IC)技術(shù)優(yōu)勢(shì),迎戰(zhàn)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Altera的先進(jìn)制程新攻勢(shì)。Altera日前宣布將借力英特爾(Intel)14納米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)制程生產(chǎn)更先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)方案,引發(fā)外界對(duì)賽靈思在先進(jìn)制程世代的競(jìng)爭(zhēng)力疑慮;對(duì)此,賽靈思在日前法說會(huì)上強(qiáng)調(diào),將攜其于3D IC領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì),繼續(xù)站穩(wěn)先進(jìn)制程市場(chǎng)地位。

賽靈思執(zhí)行長(zhǎng)Moshe N. Gavrielov表示,賽靈思研發(fā)團(tuán)隊(duì)已大量投資于20納米制程,且已加快其他先進(jìn)制程的投資腳步。Gavrielov以28納米制程的低耗電高介電常數(shù)金屬閘極(High-k Metal Gate)制程為例,當(dāng)初賽靈思投資該制程時(shí)帶給投資人不少壓力,不過在與臺(tái)積電通力合作下,已產(chǎn)出最高性能、最高頻寬、最低功耗的產(chǎn)品,且今年度開始,賽靈思將會(huì)有50%以上的營(yíng)收來自于28納米制程。他強(qiáng)調(diào),賽靈思將持續(xù)復(fù)製28納米制程于系統(tǒng)單芯片(SoC)FPGA的成功經(jīng)驗(yàn)于3D產(chǎn)品線上。

針對(duì)先進(jìn)制程最新進(jìn)度,賽靈思可編程平臺(tái)團(tuán)隊(duì)資深副總裁Victor Peng解釋,賽靈思的研發(fā)重點(diǎn)不僅針對(duì)可編程邏輯元件(PLD)技術(shù),更重要的是精進(jìn)3D技術(shù),目前賽靈思已是獨(dú)家可以硅穿孔(Through Silicon Via)技術(shù)、微凸塊(Micro Bump)以及硅中介層(Silicon Interposer)制作出3D異質(zhì)整合(Heterogeneous Integration)及同質(zhì)(Homogeneous)整合產(chǎn)品的公司。

Peng強(qiáng)調(diào),賽靈思一直以來采用多晶圓代工廠的策略,所以對(duì)于先進(jìn)制程的發(fā)展非常清楚,未來賽靈思將攜在3D領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),掌握先進(jìn)制程所帶來的契機(jī)并解決技術(shù)挑戰(zhàn),延續(xù)28納米制程的領(lǐng)導(dǎo)地位。

Gavrielov表示,FPGA產(chǎn)業(yè)具高混合度、出貨量極少、時(shí)間表緊湊、多樣特殊需求的特色,因此在采用每個(gè)制程前,賽靈思會(huì)對(duì)價(jià)格、技術(shù)及制程是否符合客戶、市場(chǎng)需求等三項(xiàng)指標(biāo)進(jìn)行評(píng)估,并挑選出最適合的晶圓代工廠,再采用最好的研發(fā)團(tuán)隊(duì)制作優(yōu)異的產(chǎn)品組合。未來,投資人同樣可看到賽靈思利用20納米制程及其他先進(jìn)制程創(chuàng)造出好的成績(jī),就如同該公司在28納米制程的成果一樣。

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