摘要：  MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內存，東芝早在2007年時就已經研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術，也就是能讓MRAM內存儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術。

關鍵字：  東芝，  海力士，  MRAM

東芝周三(713)宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)合作研發(fā)磁電阻式隨機存取內存(MRAM)技術，今后將在韓國利川的海力士研究設施中集結雙方技術人才，積極推動此合作計劃。

MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關閉電源也能保存數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性內存，東芝早在2007年時就已經研發(fā)全球首創(chuàng)的MRAM技術，也就是能讓MRAM內存儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術。

藉由此次合作，東芝打算運用本身擅長的NAND閃存技術與MRAM組成信賴度高的組合式記憶系統(tǒng)，藉此創(chuàng)造除了SSD固態(tài)硬盤、芯片事業(yè)之外的新NAND閃存應用模式。

東芝說明，選擇與海力士合作是因為該社有許多MRAM的研發(fā)實績，借著雙方合作既可降低研發(fā)成本，同時又能加速MRAM的實用化進程。往后也會視技術合作情形，與海力士協(xié)商研討共同制造MRAM相關產品的可能性。

東芝與海力士合作研發(fā)MRAM技術 src="http://www.globalsca.com/News/UploadFile/2008/201171593919539.jpg" border=0>