IDM搶灘大陸中芯國際納米級訂單豐收
[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場,為降低成本就近生產(chǎn),部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)鼐A廠,由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程,因此,不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際,讓近期中芯來自于ID
【導(dǎo)讀】整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場,為降低成本就近生產(chǎn),部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?strong>晶圓廠,由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程,因此,不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際,讓近期中芯來自于IDM訂單大增,未來恐影響臺積電與聯(lián)電在大陸競爭力。
整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場,為降低成本就近生產(chǎn),部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?b>晶圓廠,由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程,因此,不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際,讓近期中芯來自于IDM訂單大增,未來恐影響臺積電與聯(lián)電在大陸競爭力。
半導(dǎo)體業(yè)者指出,過去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測為主,由于投資晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)太大,隨著大陸內(nèi)需市場擴(kuò)大,IDM希望能搶食這塊大餅,因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作,近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單,由于目前臺積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范,僅有0.13微米以上成熟制程,讓許多90及65納米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。
盡管IDM或中芯對此都相當(dāng)?shù)驼{(diào),但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運(yùn),營運(yùn)出現(xiàn)起色,并開始量產(chǎn)65納米制程,目前已有15個(gè)設(shè)計(jì)定案(tape-out),其中一半是大陸客戶,中芯預(yù)計(jì)2011年下半量產(chǎn)45/40納米制程,加速拉近與臺積電、聯(lián)電的競爭距離。對于中芯來說,三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對手,其目標(biāo)在于搶下全球第2寶座。
半導(dǎo)體業(yè)者指出,中芯于2011年啟動為期5年的「三級跳」計(jì)畫,將大幅擴(kuò)充! 12吋晶圓產(chǎn)能,預(yù)計(jì)于2015年12吋年產(chǎn)能將達(dá)200萬片,屆時(shí)年?duì)I收將達(dá)50億美元。根據(jù)計(jì)畫,中芯第1= 跳躍在2011年,將擴(kuò)充北京一廠65/55納米產(chǎn)能;第2個(gè)跳躍在2011~2012年,快速擴(kuò)充上海廠45/40納米產(chǎn)能;第3個(gè)跳躍則是在2013~2014年,量產(chǎn)32納米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程,屆時(shí)中芯制程技術(shù)將提升到32/28納米。
此外,為同步服務(wù)IC設(shè)計(jì)商,中芯亦加大矽智財(cái)(IP)投資力道,2010年中芯在IP方面投資金額,便超越過去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,以該計(jì)畫來看,顯見中芯執(zhí)行長王寧國極具雄心,待中芯納米級制程更加成熟,除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶,IDM廠亦將擴(kuò)大投片中芯,對臺積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過,大陸政府是否愿意長期資金奧援,讓中芯能完成5年大計(jì),后續(xù)仍需觀察。
半導(dǎo)體業(yè)者指出,過去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測為主,由于投資晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)太大,隨著大陸內(nèi)需市場擴(kuò)大,IDM希望能搶食這塊大餅,因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作,近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單,由于目前臺積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范,僅有0.13微米以上成熟制程,讓許多90及65納米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。
盡管IDM或中芯對此都相當(dāng)?shù)驼{(diào),但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示,中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運(yùn),營運(yùn)出現(xiàn)起色,并開始量產(chǎn)65納米制程,目前已有15個(gè)設(shè)計(jì)定案(tape-out),其中一半是大陸客戶,中芯預(yù)計(jì)2011年下半量產(chǎn)45/40納米制程,加速拉近與臺積電、聯(lián)電的競爭距離。對于中芯來說,三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對手,其目標(biāo)在于搶下全球第2寶座。
半導(dǎo)體業(yè)者指出,中芯于2011年啟動為期5年的「三級跳」計(jì)畫,將大幅擴(kuò)充! 12吋晶圓產(chǎn)能,預(yù)計(jì)于2015年12吋年產(chǎn)能將達(dá)200萬片,屆時(shí)年?duì)I收將達(dá)50億美元。根據(jù)計(jì)畫,中芯第1= 跳躍在2011年,將擴(kuò)充北京一廠65/55納米產(chǎn)能;第2個(gè)跳躍在2011~2012年,快速擴(kuò)充上海廠45/40納米產(chǎn)能;第3個(gè)跳躍則是在2013~2014年,量產(chǎn)32納米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程,屆時(shí)中芯制程技術(shù)將提升到32/28納米。
此外,為同步服務(wù)IC設(shè)計(jì)商,中芯亦加大矽智財(cái)(IP)投資力道,2010年中芯在IP方面投資金額,便超越過去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為,以該計(jì)畫來看,顯見中芯執(zhí)行長王寧國極具雄心,待中芯納米級制程更加成熟,除大陸本土IC設(shè)計(jì)客戶,IDM廠亦將擴(kuò)大投片中芯,對臺積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過,大陸政府是否愿意長期資金奧援,讓中芯能完成5年大計(jì),后續(xù)仍需觀察。





