[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場，為降低成本就近生產(chǎn)，部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)鼐A廠，由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程，因此，不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際，讓近期中芯來自于ID
【導(dǎo)讀】整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場，為降低成本就近生產(chǎn)，部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?strong>晶圓廠，由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程，因此，不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際，讓近期中芯來自于IDM訂單大增，未來恐影響臺積電與聯(lián)電在大陸競爭力。
整合元件廠(IDM)積極布局大陸市場，為降低成本就近生產(chǎn)，部分IDM選擇直接釋單給大陸當(dāng)?shù)?b>晶圓廠，由于臺廠在大陸僅放行到0.13微米制程，因此，不少納米級制程訂單轉(zhuǎn)到大陸晶圓廠中芯國際，讓近期中芯來自于IDM訂單大增，未來恐影響臺積電與聯(lián)電在大陸競爭力。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，過去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測為主，由于投資晶圓廠風(fēng)險太大，隨著大陸內(nèi)需市場擴大，IDM希望能搶食這塊大餅，因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作，近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單，由于目前臺積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范，僅有0.13微米以上成熟制程，讓許多90及65納米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。
盡管IDM或中芯對此都相當(dāng)?shù)驼{(diào)，但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運，營運出現(xiàn)起色，并開始量產(chǎn)65納米制程，目前已有15個設(shè)計定案(tape-out)，其中一半是大陸客戶，中芯預(yù)計2011年下半量產(chǎn)45／40納米制程，加速拉近與臺積電、聯(lián)電的競爭距離。對于中芯來說，三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對手，其目標在于搶下全球第2寶座。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，中芯于2011年啟動為期5年的「三級跳」計畫，將大幅擴充! 12吋晶圓產(chǎn)能，預(yù)計于2015年12吋年產(chǎn)能將達200萬片，屆時年營收將達50億美元。根據(jù)計畫，中芯第1= 跳躍在2011年，將擴充北京一廠65／55納米產(chǎn)能；第2個跳躍在2011~2012年，快速擴充上海廠45／40納米產(chǎn)能；第3個跳躍則是在2013~2014年，量產(chǎn)32納米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程，屆時中芯制程技術(shù)將提升到32／28納米。
此外，為同步服務(wù)IC設(shè)計商，中芯亦加大矽智財(IP)投資力道，2010年中芯在IP方面投資金額，便超越過去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認為，以該計畫來看，顯見中芯執(zhí)行長王寧國極具雄心，待中芯納米級制程更加成熟，除大陸本土IC設(shè)計客戶，IDM廠亦將擴大投片中芯，對臺積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過，大陸政府是否愿意長期資金奧援，讓中芯能完成5年大計，后續(xù)仍需觀察。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，過去IDM在大陸投資設(shè)廠主要以封測為主，由于投資晶圓廠風(fēng)險太大，隨著大陸內(nèi)需市場擴大，IDM希望能搶食這塊大餅，因而積極與大陸當(dāng)?shù)鼐A代工廠合作，近期中芯便接獲許多IDM轉(zhuǎn)單，由于目前臺積電上海松江廠與聯(lián)電轉(zhuǎn)投資和艦受限于政府規(guī)范，僅有0.13微米以上成熟制程，讓許多90及65納米制程訂單轉(zhuǎn)向中芯。
盡管IDM或中芯對此都相當(dāng)?shù)驼{(diào)，但大陸半導(dǎo)體業(yè)者表示，中芯在2010年總算終結(jié)虧損命運，營運出現(xiàn)起色，并開始量產(chǎn)65納米制程，目前已有15個設(shè)計定案(tape-out)，其中一半是大陸客戶，中芯預(yù)計2011年下半量產(chǎn)45／40納米制程，加速拉近與臺積電、聯(lián)電的競爭距離。對于中芯來說，三星電子(Samsung Electronics)并非可畏的對手，其目標在于搶下全球第2寶座。
半導(dǎo)體業(yè)者指出，中芯于2011年啟動為期5年的「三級跳」計畫，將大幅擴充! 12吋晶圓產(chǎn)能，預(yù)計于2015年12吋年產(chǎn)能將達200萬片，屆時年營收將達50億美元。根據(jù)計畫，中芯第1= 跳躍在2011年，將擴充北京一廠65／55納米產(chǎn)能；第2個跳躍在2011~2012年，快速擴充上海廠45／40納米產(chǎn)能；第3個跳躍則是在2013~2014年，量產(chǎn)32納米高介電質(zhì)金屬閘(HKMG)制程，屆時中芯制程技術(shù)將提升到32／28納米。
此外，為同步服務(wù)IC設(shè)計商，中芯亦加大矽智財(IP)投資力道，2010年中芯在IP方面投資金額，便超越過去3年的總和。半導(dǎo)體業(yè)者認為，以該計畫來看，顯見中芯執(zhí)行長王寧國極具雄心，待中芯納米級制程更加成熟，除大陸本土IC設(shè)計客戶，IDM廠亦將擴大投片中芯，對臺積電與聯(lián)電在大陸布局造成威脅。不過，大陸政府是否愿意長期資金奧援，讓中芯能完成5年大計，后續(xù)仍需觀察。
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