Ramtron展示Gen2大存儲器無線集成電路

世界頂尖的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系統(tǒng)大會（Embedded Systems Conference）上展示MaxArias™無線存儲器。該會議暨展覽會在美國加利福尼亞州圣何塞的McEnery會議中心（McEnery Convention Center）舉辦。

在展會期間，Ramtron公司演示了其MaxArias產(chǎn)品系列的創(chuàng)新無線存儲器技術(shù)。Ramtron的MaxArias™系列無線存儲器將行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Gen2 RFID無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合，可讓亞洲乃至全世界的工程師使用高性能RF轉(zhuǎn)發(fā)器$（transponder）集成電路來發(fā)送、捕獲和存儲更多信息，從而擴(kuò)大其系統(tǒng)的通信范圍和存儲器容量。

Ramtron公司的MaxArias無線存儲器非常適合高價值資產(chǎn)追蹤、藥物追蹤、制造和維護(hù)記錄收集以及智能電表抄表等應(yīng)用。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢

MaxArias無線存儲器系列首批產(chǎn)品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分別為 256/512/1024 x 16位，這些器件具有幾乎無限的讀/寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。就工作范圍、持續(xù)的存儲器訪問帶寬及可靠性而言，MaxArias無線存儲器具有完全對稱的讀/寫距離，達(dá)到Gen-2標(biāo)準(zhǔn)的最大數(shù)據(jù)速率。

Ramtron的MaxArias無線存儲器具有超越傳統(tǒng)基于 EEPROM的RF ID產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢，包括：

• 更高的射頻靈敏度：WM710xx能實(shí)現(xiàn)零功耗寫入運(yùn)作，因而在執(zhí)行寫入時不會影響功率或速度。

• 更大的工作范圍：使用低功耗F-RAM的MaxArias無線存儲器具有10米或更大范圍的對稱無線讀/寫功能

• 出色的寫入速度：MaxArias無線存儲器的速度較EEPROM快六倍，能夠?qū)崿F(xiàn)整個存儲區(qū)塊的寫入運(yùn)作，更快地存儲更多的數(shù)據(jù)，免除基于EEPROM 的器件的“預(yù)備時間”(soak time)限制

• 區(qū)塊寫入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可確保數(shù)據(jù)完整性，防止在全區(qū)塊寫入期間出現(xiàn)數(shù)據(jù)損壞

• 磁場和伽瑪輻射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁場的影響，并具有高伽瑪輻射耐受能力，MaxArias無線存儲器是需暴露于磁場或輻射干擾之應(yīng)用的理想選擇。

WM710xx MaxArias無線存儲器能在整個工業(yè)溫度范圍運(yùn)作(-40°C 至+85°C)，并備有幾種配置，包括標(biāo)準(zhǔn)RoHS兼容6腳UDFN封裝、凸塊硅片、裸片，或經(jīng)全面測試的符合ISO-18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的電子標(biāo)簽。