【導(dǎo)讀】英特爾向薄膜太陽(yáng)能電池材料廠商美國(guó)Voltaix投資1250萬(wàn)美元
    半導(dǎo)體芯片和太陽(yáng)能電池材料廠商美國(guó)Voltaix LLC于2008年7月29日宣布，獲得了英特爾投資部門——英特爾投資（Intel Capital）的1250萬(wàn)美元投資（英文發(fā)布資料）。Voltaix將用此投資提高薄膜太陽(yáng)能電池材料的生產(chǎn)能力。 

    Voltaix除生產(chǎn)前端IC制造工藝中使用的電化學(xué)材料和氣體外，還生產(chǎn)以CVD方法制造薄膜太陽(yáng)能電池單元使用的CVD precursor原料（化學(xué)氣相沉積前體）。 

    Voltaix總裁John P. de Neufville介紹說(shuō)，“本公司25年以來(lái)，一直為半導(dǎo)體和薄膜太陽(yáng)能電池提供化學(xué)材料。在薄膜太陽(yáng)能電池制造，特別是嵌入建筑物的太陽(yáng)能電池產(chǎn)品等方面，我想我們已做好了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的準(zhǔn)備。用此次籌集的資金，就可以建設(shè)采用了最新技術(shù)并可滿足薄膜太陽(yáng)能電池需求的工廠”。 

    英特爾投資的總裁兼英特爾執(zhí)行副總裁蘇愛(ài)文（Arvind Sodhani）表示，“材料革新對(duì)半導(dǎo)體制造的創(chuàng)新極為重要，本公司對(duì)Voltaix的投資，旨在促進(jìn)尖端IC制造領(lǐng)域以及可完善綠色能源技術(shù)的薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的技術(shù)革新，這是本公司發(fā)展戰(zhàn)略的一部分。