【導(dǎo)讀】AMD改變路線圖 2010年發(fā)布12內(nèi)核處理器     據(jù)國外媒體報道，芯片制造商AMD公司計(jì)劃在2010年發(fā)布12內(nèi)核處理器，該計(jì)劃改變了原來的開發(fā)路線圖，同時取消了發(fā)布8內(nèi)核處理器的原定計(jì)劃。  

    AMD公司周三更新的產(chǎn)品路線圖表明，新一代12內(nèi)核處理器開發(fā)代碼名為“Magny_Cours，該芯片針對服務(wù)器。發(fā)布時間定在2010年上半年。AMD路線圖指出，12內(nèi)核處理器包括12MB三級緩存，并支持DDR3 RAM內(nèi)存。  

    AMD公司發(fā)言人說，公司將從6內(nèi)核芯片發(fā)布后直接過渡到12內(nèi)核處理器。按照新的計(jì)劃，AMD將在2009年下半年發(fā)布6內(nèi)核Istanbul芯片，然后在下一年發(fā)布12內(nèi)核芯片。  

    直到上月，AMD官員一直說，公司將在09年發(fā)布代碼名為Montreal的8內(nèi)核服務(wù)器芯片。公司發(fā)言人指出，現(xiàn)在公司決定用Istabul替代Montreal，然后在2010年發(fā)布12內(nèi)核產(chǎn)品。AMD公司副總裁兼總經(jīng)理Allen說，與8內(nèi)核芯片相比，12內(nèi)核芯片可處理負(fù)荷更大的工作任務(wù)，而且更易于制造。  

    與此同時，AMD還準(zhǔn)備在2010年發(fā)布代碼名為Sao Paulo的6內(nèi)核芯片。Sao Paulo將配置6MB三級緩存，并支持DDR3 RAM。AMD公司稱，Sao Paulo可支持那些不需要12內(nèi)核的系統(tǒng)。  

    由于將采用45納米工藝制造，新芯片將更加節(jié)能，而目前AMD的巴塞羅那處理器采用65納米工藝。  

    分析師指出，處于財(cái)務(wù)困境中的AMD之所以跳過8內(nèi)核，從6內(nèi)核產(chǎn)品直接跳到12內(nèi)核產(chǎn)品，其原因是出于財(cái)務(wù)與技術(shù)這兩方面考慮。因?yàn)樾缕脚_能使AMD在芯片上配置更多內(nèi)核，同時還能提供更好的產(chǎn)品邊際效益，同時將降低制造成本。  

    分析師說，AMD的12內(nèi)核芯片將有兩塊獨(dú)立的6內(nèi)核芯片，二者集成為單一處理器的封裝形式。與單一芯片的12內(nèi)核處理器相比，6內(nèi)核集成封裝工藝是一個更現(xiàn)實(shí)的目標(biāo)，因?yàn)樗梢越档彤a(chǎn)品制造成本。  

    分析師強(qiáng)調(diào)，AMD的直接跳過策略還避免了與英特爾8內(nèi)核芯片的直接競爭。英特爾將在今年下半年發(fā)布6內(nèi)核致強(qiáng)處理器Dunnington，此后將發(fā)布8內(nèi)核處理情況。