[導讀]【導讀】晶圓90、65奈米制程價格恐重力加速度下滑
近年來晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長率低于20%，明顯不若往年，晶圓代工業(yè)者亟思拓展多元產(chǎn)品線，以延續(xù)其成長動力，臺積電將電源管理IC、感測組件、嵌入式內(nèi)存及CPU視
【導讀】晶圓90、65奈米制程價格恐重力加速度下滑
近年來晶圓代工產(chǎn)業(yè)成長率低于20%，明顯不若往年，晶圓代工業(yè)者亟思拓展多元產(chǎn)品線，以延續(xù)其成長動力，臺積電將電源管理IC、感測組件、嵌入式內(nèi)存及CPU視為未來新契機，聯(lián)電執(zhí)行長胡國強2日亦表示，聯(lián)電將跨入內(nèi)存、CPU市場。業(yè)界推測臺積電、聯(lián)電均已鎖定超微(AMD)低階PC CPU為先期首要爭取對象，這恐將對超微目前代工伙伴新加坡特許(Chartered Semiconductor)產(chǎn)生一定程度沖擊。
在CPU領域方面，臺積電、聯(lián)電動作相當積極。臺積電總執(zhí)行長蔡力行日前指出，目前臺積電在45奈米制程表現(xiàn)來看，絕對足堪CPU制造，臺積電對CPU市場興趣很濃厚；胡國強則說，愈來愈多IDM采用Fabless或Fab-lite策略，這股勢力有助于聯(lián)電擴展產(chǎn)品線，現(xiàn)正與客戶進行互惠的合作關系。外界推測CPU外釋訂單較為彈性的超微(AMD)低階計算機CPU，將會是臺積電、聯(lián)電首波爭取的對象。
超微工程副總裁李新榮(Allen Lee)則指出，超微持續(xù)強化與晶圓代工關系，其中與特許合作65奈米制程可望于2007年中時完成；而超微合并亞鼎(ATI)后的新超微，亦與臺積電為首的晶圓代工維持90、80、65奈米制程制造合作。業(yè)者認為臺積電、聯(lián)電亟欲從既有與超微繪圖芯片(GPU)合作關系切入CPU，若晶圓雙雄下一個市場競逐焦點轉移至CPU市場，那么恐將分食特許訂單。
事實上，臺積電、聯(lián)電已經(jīng)先在內(nèi)存訂單上交過手，日前聯(lián)電爭取到臺積電多年客戶賽普拉斯(Cypress)65奈米制程訂單，目前已進入合作開發(fā)階段；Spansion則采臺積電0.11微米、90奈米制程生產(chǎn)NOR Flash，臺積電南科12吋廠產(chǎn)量正不斷擴增當中，且雙方公布合作之前，業(yè)界曾盛傳聯(lián)電亦有意爭取Spansion青睞，但最后還是花落臺積電。
盡管臺積電、聯(lián)電對于既有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的企圖心都很強，但對外皆三緘其口。蔡力行指出，臺積電跨入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)絕不僅止于NOR Flash產(chǎn)品，目前已有幾個其它合作案，但仍不宜宣布；胡國強則說，相較于DRAM，F(xiàn)lash產(chǎn)品與邏輯IC制程兼容性較高，制程轉換較易，較可能成為填充產(chǎn)能(Fab filler)選項之一，但聯(lián)電2007年內(nèi)是否投入量產(chǎn)Flash，則不予置評。
不過，對于著重沖刺產(chǎn)能的標準型DRAM，蔡力行就明言，臺積電肯定不會投入；胡國強也指出，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)規(guī)則與邏輯IC截然不同，耗費巨額投資、市場波動又非常劇烈，近2季內(nèi)存產(chǎn)品價格波動便逾6成，顯然其對晶圓專工步入游戲規(guī)則全然不同的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍不乏疑慮。
目前晶圓代工投入Flash最積極的就是中芯國際，中芯北京12吋廠部分生產(chǎn)DRAM，未來代管的武漢新芯將全數(shù)替爾必達(Elpida)生產(chǎn)70奈米以下制程DRAM；而上海12吋廠則是向以色列業(yè)者SaiFun技術授權，擬投產(chǎn)NAND 型閃存(Flash)。中芯則是4家晶圓代工廠中，邏輯IC、內(nèi)存雙主軸最明確的廠商。
值得注意的是，由于內(nèi)存、CPU多采先進制程，臺積電、聯(lián)電同時拓展此市場，難免再度替90、65奈米制程價格投下巨大變量，使原本制程價格呈現(xiàn)重力加速度下滑，抵銷掉部分爭取到新訂單的效益。
此外，臺積電、聯(lián)電要爭取超微CPU訂單，仍有技術障礙得克服。特許過去直接采用絕緣層上覆硅(Silicon-on-Insulator；SOI)技術，但臺積電則選擇自行開發(fā)替代性SOI，并認為目前SOI無法達成本效益；聯(lián)電則認為，傳統(tǒng)CMOS(Bulk CMOS)仍較具成本效益，但未來SOI的重要性與日俱增，尤其在32奈米制程可能會是必要制程技術之一。
在CPU領域方面，臺積電、聯(lián)電動作相當積極。臺積電總執(zhí)行長蔡力行日前指出，目前臺積電在45奈米制程表現(xiàn)來看，絕對足堪CPU制造，臺積電對CPU市場興趣很濃厚；胡國強則說，愈來愈多IDM采用Fabless或Fab-lite策略，這股勢力有助于聯(lián)電擴展產(chǎn)品線，現(xiàn)正與客戶進行互惠的合作關系。外界推測CPU外釋訂單較為彈性的超微(AMD)低階計算機CPU，將會是臺積電、聯(lián)電首波爭取的對象。
超微工程副總裁李新榮(Allen Lee)則指出，超微持續(xù)強化與晶圓代工關系，其中與特許合作65奈米制程可望于2007年中時完成；而超微合并亞鼎(ATI)后的新超微，亦與臺積電為首的晶圓代工維持90、80、65奈米制程制造合作。業(yè)者認為臺積電、聯(lián)電亟欲從既有與超微繪圖芯片(GPU)合作關系切入CPU，若晶圓雙雄下一個市場競逐焦點轉移至CPU市場，那么恐將分食特許訂單。
事實上，臺積電、聯(lián)電已經(jīng)先在內(nèi)存訂單上交過手，日前聯(lián)電爭取到臺積電多年客戶賽普拉斯(Cypress)65奈米制程訂單，目前已進入合作開發(fā)階段；Spansion則采臺積電0.11微米、90奈米制程生產(chǎn)NOR Flash，臺積電南科12吋廠產(chǎn)量正不斷擴增當中，且雙方公布合作之前，業(yè)界曾盛傳聯(lián)電亦有意爭取Spansion青睞，但最后還是花落臺積電。
盡管臺積電、聯(lián)電對于既有內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的企圖心都很強，但對外皆三緘其口。蔡力行指出，臺積電跨入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)絕不僅止于NOR Flash產(chǎn)品，目前已有幾個其它合作案，但仍不宜宣布；胡國強則說，相較于DRAM，F(xiàn)lash產(chǎn)品與邏輯IC制程兼容性較高，制程轉換較易，較可能成為填充產(chǎn)能(Fab filler)選項之一，但聯(lián)電2007年內(nèi)是否投入量產(chǎn)Flash，則不予置評。
不過，對于著重沖刺產(chǎn)能的標準型DRAM，蔡力行就明言，臺積電肯定不會投入；胡國強也指出，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)規(guī)則與邏輯IC截然不同，耗費巨額投資、市場波動又非常劇烈，近2季內(nèi)存產(chǎn)品價格波動便逾6成，顯然其對晶圓專工步入游戲規(guī)則全然不同的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍不乏疑慮。
目前晶圓代工投入Flash最積極的就是中芯國際，中芯北京12吋廠部分生產(chǎn)DRAM，未來代管的武漢新芯將全數(shù)替爾必達(Elpida)生產(chǎn)70奈米以下制程DRAM；而上海12吋廠則是向以色列業(yè)者SaiFun技術授權，擬投產(chǎn)NAND 型閃存(Flash)。中芯則是4家晶圓代工廠中，邏輯IC、內(nèi)存雙主軸最明確的廠商。
值得注意的是，由于內(nèi)存、CPU多采先進制程，臺積電、聯(lián)電同時拓展此市場，難免再度替90、65奈米制程價格投下巨大變量，使原本制程價格呈現(xiàn)重力加速度下滑，抵銷掉部分爭取到新訂單的效益。
此外，臺積電、聯(lián)電要爭取超微CPU訂單，仍有技術障礙得克服。特許過去直接采用絕緣層上覆硅(Silicon-on-Insulator；SOI)技術，但臺積電則選擇自行開發(fā)替代性SOI，并認為目前SOI無法達成本效益；聯(lián)電則認為，傳統(tǒng)CMOS(Bulk CMOS)仍較具成本效益，但未來SOI的重要性與日俱增，尤其在32奈米制程可能會是必要制程技術之一。
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