【導(dǎo)讀】飛索開發(fā)基地向支持300mm晶圓過渡 以滿足新生產(chǎn)線量產(chǎn)需求
　　美國飛索半導(dǎo)體（Spansion）已徹底完成了美國加利福尼亞州的研發(fā)設(shè)施的從支持200mm晶圓向支持300mm晶圓的過渡（a  TARGET=_blank>英文發(fā)布資料）。這樣一來，便可將該研發(fā)設(shè)施開發(fā)的工藝技術(shù)直接應(yīng)用于正在構(gòu)筑的新300mm生產(chǎn)線的量產(chǎn)中。 

　　飛索已完成向支持300mm晶圓的過渡的是NOR型閃存尖端產(chǎn)品的開發(fā)基地“亞微型開發(fā)中心（Submicron Development Center，SDC）”。因為該公司的尖端產(chǎn)品生產(chǎn)基地今后將從“Fab25”（美國得克薩斯州奧斯?。┺D(zhuǎn)移到支持300mm的“SP1”（日本福島縣會津若松市），所以工藝開發(fā)基地也實施了向支持300mm的過渡。 

　　該公司計劃在SP1于07年內(nèi)開始量產(chǎn)65nm產(chǎn)品、在08年中期之前開始量產(chǎn)45nm產(chǎn)品，此前已宣布計劃在07年3月之前使用300mm晶圓在SDC制造45nm工藝的試制芯片。