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[導(dǎo)讀]【導(dǎo)讀】華邦電80納米制程下季投產(chǎn),溝槽式陣營(yíng)暫緩顏面 臺(tái)灣DRAM業(yè)者華邦電總經(jīng)理徐英士近日于法說(shuō)會(huì)時(shí)表示,華邦電于2006年完成初步擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬(wàn)片,2007年華邦電并無(wú)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),

【導(dǎo)讀】華邦電80納米制程下季投產(chǎn),溝槽式陣營(yíng)暫緩顏面
     臺(tái)灣DRAM業(yè)者華邦電總經(jīng)理徐英士近日于法說(shuō)會(huì)時(shí)表示,華邦電于2006年完成初步擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),12寸廠(chǎng)月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬(wàn)片,2007年華邦電并無(wú)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),除將提升生產(chǎn)效率及良率外,還將持續(xù)進(jìn)行制程技術(shù)推進(jìn),預(yù)計(jì)2007年第二季開(kāi)始轉(zhuǎn)進(jìn)80奈米制程正式投產(chǎn),市場(chǎng)分析師指出,對(duì)于溝槽式陣營(yíng)而言,可說(shuō)暫時(shí)先行扳回顏面,不讓堆疊式陣營(yíng)動(dòng)輒拿70奈米制程來(lái)暗批溝槽式陣營(yíng)前途茫茫。 

      徐英士指出,華邦電2006年資本支出約新臺(tái)幣217億元,主要用于中科12寸廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)部份,至2006年底月產(chǎn)能已達(dá)2.4萬(wàn)片滿(mǎn)載規(guī)模,2007年無(wú)大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà),華邦電初步規(guī)劃,2007年資本支出降至84億元。徐英士進(jìn)一步表示,華邦電2007年將積極提升生產(chǎn)效率及良率,此外制程技術(shù)也將不斷推進(jìn),以便能增加產(chǎn)出貢獻(xiàn)。 

      相較于華邦電預(yù)計(jì)在2007年第二季便可開(kāi)始導(dǎo)入80奈米制程量產(chǎn),臺(tái)系DRAM廠(chǎng)中的茂德、力晶及華亞科等廠(chǎng),分別將于2007年第 
一季底,第二季中下旬以及第四季底左右分別導(dǎo)入70奈米制程,也正因?yàn)檫^(guò)去市場(chǎng)動(dòng)輒將堆疊式陣營(yíng)成員與溝槽式陣營(yíng)相比較,而由于同屬溝槽式陣營(yíng)的華亞科要到2007年第四季才開(kāi)始進(jìn)入70奈米制程試產(chǎn),為了讓溝槽式陣營(yíng)能扳回顏面,華邦電的80奈米制程推出可說(shuō)適時(shí)讓溝槽式陣營(yíng)不會(huì)一直處于挨打地位。 

      至于華邦電為何先導(dǎo)入80奈米制程而非直接跳到70奈米制程,奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)亞太區(qū)總裁黃振潮日前便已表示,對(duì)于80奈米制程來(lái)說(shuō),華邦電僅需采用與90奈米制程相同機(jī)器設(shè)備,無(wú)須再額外增加新的機(jī)器設(shè)備,但產(chǎn)出量上卻可足足增加20%左右,也因此對(duì)于現(xiàn)階段華邦電而言是最佳的選擇方案。 

      華邦電上周也公布2006年第四季自結(jié)財(cái)務(wù)報(bào)告,營(yíng)收為新臺(tái)幣111.6億元,稅后盈余為 17.27億元,每股盈余 0.45元,累計(jì)2006年全年總營(yíng)收為344.88億元,較2005年增加24%,稅后盈余為23.64億 元,每股盈余0.62元,較前1年每股虧損0.35元情況已是大幅改善,并正式轉(zhuǎn)虧為盈。 

      華邦電董事會(huì)亦初步?jīng)Q議,2006年度盈余分配暫定每股將派發(fā)0.3元現(xiàn)金股息。在記憶體產(chǎn)品方面,華邦電指出12寸廠(chǎng)產(chǎn)能及良率于2006年第四季達(dá)成預(yù)期目標(biāo),制程技術(shù)順利推進(jìn)至90奈米制程,利基型動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(Specialty DRAM)產(chǎn)能陸續(xù)導(dǎo)入0.11微米制程,生產(chǎn)效率大為提升,后段封測(cè)成本降低,致?tīng)I(yíng)業(yè)毛利增加;標(biāo)準(zhǔn)型記憶體受惠于市場(chǎng)價(jià)格不錯(cuò),以及在出貨量增加之帶動(dòng)下,創(chuàng)造記憶體產(chǎn)品營(yíng)收成長(zhǎng)佳績(jī)。 

      在邏輯產(chǎn)品方面,華邦電指出,2006年第四季消費(fèi)性邏輯產(chǎn)品之語(yǔ)音IC (Speech IC)表現(xiàn)淡季不淡;電腦邏輯產(chǎn)品則由于受到筆記型電腦(NB)市場(chǎng)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)壓力影響,并在市場(chǎng)CPU缺貨影響主機(jī)板相關(guān)輸出入控制器 (Motherboard related I/O)需求情形下,致使邏輯產(chǎn)品整體表現(xiàn)較前1季呈現(xiàn)下滑。 

      展望2007年,華邦電指出,第一季因DRAM跌價(jià)壓力,以及消費(fèi)性產(chǎn)品進(jìn)入傳統(tǒng)淡季影響,預(yù)計(jì)整體表現(xiàn)將較上1季微幅下滑,但華邦認(rèn)為,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣成長(zhǎng)仍可期待狀況下,對(duì)2007年發(fā)展抱持樂(lè)觀(guān)看法。 
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