【導(dǎo)讀】飛思卡爾：利用4Mbit產(chǎn)品推動MRAM的普及
    非揮發(fā)性內(nèi)存MRAM不僅可隨機(jī)訪問，而且可無限次擦寫。一致力于MRAM研發(fā)的美國飛思卡爾半導(dǎo)體公司終于投產(chǎn)了4Mbit產(chǎn)品。就其投產(chǎn)的目的及未來前景，筆者采訪了該公司負(fù)責(zé)MRAM技術(shù)開發(fā)工作的Saied Tehrani（MRAM和SMARTMOS技術(shù)和技術(shù)解決方案部門經(jīng)理）。

    飛思卡爾：利用4Mbit產(chǎn)品推動MRAM的普及  問：適合使用MRAM的產(chǎn)品是什么？  

    Tehrani：現(xiàn)階段最被看好的應(yīng)用就是取代電池后備SRAM。使用MRAM，能以更低的成本得到可靠性更高的內(nèi)存。具體來說，就是能夠取消電池后備SRAM必須使用的電池和電池控制單元。可減少設(shè)備的元件數(shù)量。而且從MRAM的使用方式上來看，非常適合于保存設(shè)備最后信息的配置存儲用途。在使用設(shè)備過程中即使突然停電，或者發(fā)生了系統(tǒng)故障，由于MRAM保存了最后的狀態(tài)，因此能夠?qū)⒃O(shè)備恢復(fù)到故障發(fā)生前的狀態(tài)。能為打印機(jī)廠商等客戶帶來很大的好處。能夠高速寫入，而且可無限擦寫的MRAM使這種使用方式變成了可能。  

    問：MRAM是否還可用于其他用途？  

    Tehrani：其他還有硬盤和NAND閃存等需要大容量存儲的緩存用途。由處理器向內(nèi)存加載數(shù)據(jù)時，能夠得到更高的可靠性。這種使用方式同樣也是因為MRAM具有高可靠性和高性能的特點才成為可能。針對上述各種應(yīng)用，我們已經(jīng)向40多家客戶提供了4Mbit MRAM樣品?，F(xiàn)已有多家客戶決定采用，我們也做好量產(chǎn)的準(zhǔn)備。  

    問：在技術(shù)方面，什么是MRAM得以投產(chǎn)的關(guān)鍵？  

    Tehrani：我們使抗紊亂能力較強(qiáng)的觸發(fā)寫入方式達(dá)到了實用水平。  

問：能否將工藝成本控制在低水平？  

    Tehrani：由于能夠采用CMOS工藝生產(chǎn)，因此MRAM的工藝成本較低。盡管需要成膜工藝以防止外部磁場產(chǎn)生內(nèi)部紊亂，但成本的增加非常小。  

    問：現(xiàn)為單一用途投產(chǎn)的4Mbit MRAM采用多少nm的設(shè)計工藝進(jìn)行生產(chǎn)？能否談一下此后的工藝藍(lán)圖？  

    Tehrani：4Mbit產(chǎn)品采用180nm工藝。此后將跳過130nm，直接過渡到90nm工藝。90nm產(chǎn)品將在2～3年內(nèi)投入量產(chǎn)。為了向65nm以后的工藝過渡，目前正在開發(fā)自旋注入反磁化這一新技術(shù)。  

    問：為SoC混載領(lǐng)域投產(chǎn)時是否也需要這樣一種微細(xì)化工藝？  

Tehrani：內(nèi)存混載SoC的主流設(shè)計工藝是180～250nm。目前，利用現(xiàn)有工藝即可滿足要求。  

    問：是否已經(jīng)計劃投產(chǎn)4Mbit以外的產(chǎn)品？  

    Tehrani：現(xiàn)已制定了容量比4Mbit要小的產(chǎn)品和16～32Mbit產(chǎn)品的投產(chǎn)計劃。但沒有投產(chǎn)Gbit級大容量產(chǎn)品的計劃。  

    問：三星已經(jīng)宣布投產(chǎn)PRAM（相變RAM內(nèi)存）。其用途會不會與MRAM重疊？  

    Tehrani：不會重疊。PRAM廠商的目標(biāo)是取代NOR閃存。而在MRAM設(shè)想的用途中，PRAM無法滿足對工作速度和可擦寫次數(shù)的要求。