【導讀】世界半導體巨頭將在大容量閃存展開激烈競爭
    東京9月13日專電(記者 鐘沈軍)隨著半導體電路工藝的不斷提高，芯片尺寸越來越小。最近，韓國三星電子采用布線寬度為40nm的微細加工技術，成功地開發(fā)出了存儲容量為32G的產(chǎn)品。此舉將引發(fā)業(yè)界在大容量閃存開發(fā)上的激烈競爭。

　 據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道，由于數(shù)碼相機和便攜音樂播放器專用的閃存需求急劇擴大，韓國三星電子最近開發(fā)出了存儲容量為32G的全球最大NAND型閃存，并將在2008年開始批量生產(chǎn)這種新型閃存。

　 同時，排名全球第二的東芝-美國晟碟(SanDisk)聯(lián)盟也準備投產(chǎn)這種大容量閃存，東芝與三星間的競爭將進一步加劇。