安森美半導(dǎo)體的高性能第二代場截止型(FSII) IGBT系列擴充了額定電流范圍，為不間斷電源系統(tǒng)(UPS)、電火鍋、電飯煲及微波爐等電源應(yīng)用提供高能效、高速開關(guān)能力。獲獎器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有優(yōu)異的開關(guān)性能及更低的導(dǎo)電損耗，用于15至30 千赫茲(kHz)中等頻率工作的電磁加熱及軟開關(guān)應(yīng)用。這些器件在大電流時提供極佳的強固性和優(yōu)異的導(dǎo)通狀態(tài)特性，根據(jù)系統(tǒng)要求經(jīng)過優(yōu)化，以提供更高能效及降低系統(tǒng)損耗。

安森美半導(dǎo)體的FSII IGBT技術(shù)進一步擴充， 還包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，專門設(shè)計用于太陽能逆變器、UPS及變頻焊機應(yīng)用。這些器件提供增強的熱性能，結(jié)點工作溫度范圍達-55到175°C，并將額定電流能力提升至采用TO-247封裝條件下 的100 A。

安森美半導(dǎo)體提供高品質(zhì)及可靠IGBT的實力悠久，其中通過汽車AEC-Q認(rèn)證的IGBT量產(chǎn)已超過10年。2011年，公司開始開發(fā)新的高壓/大電流IGBT，用于不斷增長、持續(xù)需求高能效方案的工業(yè)及消費類市場。2012年，公司發(fā)布采用專有溝槽場截止型技術(shù)的首個完整IGBT產(chǎn)品系列，媲美同類技術(shù)。此次獲獎的FSII IGBT產(chǎn)品系列于2013年5月發(fā)布，進一步鞏固安森美半導(dǎo)體的技術(shù)領(lǐng)先者地位，現(xiàn)又獲得了《電子產(chǎn)品世界》讀者投票及專家評審小組的認(rèn)可。