近年來，半導體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下，但是新材料的出現(xiàn)，或可讓它迎來又一個拐點。美國猶他州大學的工程師們，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種由一氧化錫制成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓電荷以更快的速度通過，遠勝硅與其它3D材料。相比之下，在傳統(tǒng)電子設(shè)備上，電荷會以各個方向穿過晶體管、以及玻璃襯底上其它由硅層組成的部件。

采用錫氧材料打造的更快的半導體器件

直到近年，工程師們才更多地將目光放到了諸如石墨烯(graphene)、二硫化鉬(molybdenum disulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。

領(lǐng)導這項研究的Ashutosh Tiwari教授稱其強制電子“僅在單層上以快得多的速度通過”，是加快填補電子新材料缺口的一個重要組成部分。

與石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同，其同時允許負電子和正正電荷穿過，因此研究團隊將之描述為“現(xiàn)有首種穩(wěn)定P型2D半導體材料”。

我們現(xiàn)在已經(jīng)擁有了一切，事物將會以快得多的速度推進。

團隊認為這種材料可用于制造比當前所使用的更小、更快的晶體管，讓計算機和移動設(shè)備的運行速度提升百倍，同時溫度更低、效率更高，并且延長電池的續(xù)航。

當前該領(lǐng)域異?；馃幔藗儗λ罡信d趣。有鑒于此，我們有望在2到3年內(nèi)看到一些原型設(shè)備。

這項研究已經(jīng)發(fā)表于本周出版的《先進電子材料》(Advanced Electronic Materials)期刊上。