雖然說這幾年的英特爾半導(dǎo)體制程更新速度變緩，不過臺(tái)積電、三星等廠家的進(jìn)度卻相當(dāng)之快。雖然說三星和臺(tái)積電的實(shí)際工藝并沒有達(dá)到英特爾的水平，不過已經(jīng)相當(dāng)接近了。

臺(tái)積電主要半導(dǎo)體工廠均設(shè)置在臺(tái)灣，僅有一座位于美國。不過最進(jìn)關(guān)于臺(tái)積電準(zhǔn)備將3nm工廠搬到美國的消息讓臺(tái)灣政府的神經(jīng)都繃緊了。臺(tái)積電作為臺(tái)灣市值最大的企業(yè)，如果他們將工廠遷往美國，對(duì)于臺(tái)灣的沖擊可想而知。消息人士透露，臺(tái)積電要搬遷到美國的原因主要有兩個(gè)方面：第一點(diǎn)是臺(tái)灣的環(huán)保評(píng)估作業(yè)完成時(shí)間無法滿足臺(tái)積電的需求;再加上臺(tái)灣作為環(huán)島，電力供應(yīng)的穩(wěn)定性并不理想，而3nm工藝芯片的制造，需要有極為穩(wěn)定的供電，這兩個(gè)變量讓臺(tái)積電產(chǎn)生了到美國建設(shè)工廠的想法。

在傳出臺(tái)積電有意赴美設(shè)廠之后，臺(tái)灣行政院、經(jīng)濟(jì)部、環(huán)保署緊急出面，表示會(huì)啟動(dòng)專案協(xié)助，希望臺(tái)積電等企業(yè)能夠繼續(xù)在臺(tái)灣深耕。其實(shí)臺(tái)積電此舉更多的是在向臺(tái)灣當(dāng)局施壓，希望可以獲得更好的設(shè)廠環(huán)境。臺(tái)灣科技部愿意協(xié)助將近50公頃位于南科高雄園區(qū)土地，也希望臺(tái)積電能夠?qū)?nm工廠再此設(shè)立。但是臺(tái)積電對(duì)于3nm量產(chǎn)的時(shí)間定在了2022年，但是臺(tái)灣并不穩(wěn)定的電力供應(yīng)會(huì)讓3nm的制造產(chǎn)生負(fù)面影響。而環(huán)保評(píng)估方面，臺(tái)積電一旦選擇在南科高雄區(qū)設(shè)廠，從投資方案提出到通過環(huán)保審查，恐怕5年的時(shí)間，這會(huì)讓臺(tái)積電無法接受。

臺(tái)灣工研院IEK指出，3nm工藝可能是摩爾定律下電晶體制程微縮的最后節(jié)點(diǎn)，它將銜接1nm制程以及1nm以下的次納米新技術(shù)和材料，甚至?xí)婕暗搅孔与娔X的布局。臺(tái)積電在對(duì)3nm工藝并不只是考慮環(huán)評(píng)、電力等硬件設(shè)施，他們更為看重的是當(dāng)?shù)厥欠窬邆湮磥戆雽?dǎo)體次納米制程技術(shù)與關(guān)鍵材料的研發(fā)實(shí)力、人才需求和產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。臺(tái)積電已經(jīng)回應(yīng)，明年上半年才會(huì)決定3納米晶圓的設(shè)廠地點(diǎn)，心在說臺(tái)積電赴美設(shè)廠還為時(shí)過早。