在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，從2016年至今，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)和NAND Flash(NAND閃速存儲(chǔ)器)市場(chǎng)價(jià)格一漲再漲。韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星則因此大大受益。并且，美國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC insights預(yù)測(cè)，繼中國(guó)臺(tái)積電市值趕超美國(guó)英特爾之后，三星就很有可能在2017年第二季度取代英特爾，成為全球半導(dǎo)市場(chǎng)老大。

IC insights公布數(shù)據(jù)顯示：在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上，從2016年第一季度到2017年第一季度，三星半導(dǎo)體銷售額逐個(gè)季度遞增;2017年第一季度，英特爾半導(dǎo)體銷售額反倒比起上一個(gè)季度減少15億美元左右。IC insights還預(yù)測(cè)：2017年第二季度，英特爾半導(dǎo)體銷售額144億美元，三星半導(dǎo)體銷售額149.4億美元，比英特爾多出大約5億美元。

2017年第二季度，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上，三星半導(dǎo)體銷售額超過(guò)英特爾。

僅2016年下半年，在全球DRAM市場(chǎng)上，英特爾沒(méi)占到什么市場(chǎng)份額，三星占得大約50%市場(chǎng)份額;而在全球NAND Flash市場(chǎng)上，英特爾占得市場(chǎng)份額介于6%到7%之間，三星占得36%以上市場(chǎng)份額。所以，DRAM和NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格雙雙快速上漲，自然導(dǎo)致了三星半導(dǎo)體銷售額逐個(gè)季度遞增。從2016年第一季度到2017年第一季度，DRAM市場(chǎng)價(jià)格上漲45%，NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格上漲40%。加之，整個(gè)2017年，DRAM和NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格依然會(huì)很堅(jiān)挺。

2016年下半年，在全球DRAM市場(chǎng)上，三星和海力士合占70%以上市場(chǎng)份額。

2016年下半年，在全球NAND Flash市場(chǎng)上，三星占得36%以上市場(chǎng)份額。

2016年，在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上，三星半導(dǎo)體銷售額僅次于英特爾。

當(dāng)然，英特爾也深知，臺(tái)積電和三星等重量級(jí)競(jìng)爭(zhēng)廠商正給自身帶來(lái)沖擊，英特爾必須有所改變。比如，英特爾正向人工智能、云計(jì)算、車聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)等新領(lǐng)域拓展業(yè)務(wù)。再有，英特爾會(huì)緊隨三星步伐，同樣在2017年投產(chǎn)10nm制程工藝。英特爾向媒體稱，英特爾所研發(fā)10nm制程工藝，要優(yōu)于臺(tái)積電和三星所研發(fā)10nm制程工藝。這等于是說(shuō)，就算英特爾市值落后于臺(tái)積電，就算英特爾半導(dǎo)體銷售額落后于三星，但英特爾在技術(shù)研發(fā)上卻依然領(lǐng)先于同行中其他競(jìng)爭(zhēng)廠商。

結(jié)語(yǔ)：在過(guò)去一年多時(shí)間，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格大幅上漲，對(duì)華為來(lái)說(shuō)不是什么好事。另外，可能會(huì)有人分不清本文所說(shuō)半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器、DRAM和NAND Flash之間關(guān)系。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體包含存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器包含DRAM和NAND Flash。