據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導(dǎo)體制程微細化競爭，再度點燃火焰。

半導(dǎo)體業(yè)者的奈米技術(shù)競爭關(guān)鍵在能以晶圓制造出多少電路集成度高的晶片。直徑30公分的基板上，能制造出200顆晶片還是400顆晶片，將決定生產(chǎn)性和獲利性差異。

半導(dǎo)體微細制程在2012年下半成功研發(fā)出25奈米DRAM制程后，在近1年6個月的期間幾乎是原地踏步的狀態(tài)。

在晶圓上形成超精密設(shè)計圖的曝光技術(shù)，為制程微細化關(guān)鍵。次世代曝光設(shè)備極紫外線微影(EUV)設(shè)備為每臺要價約1,000億韓元(約9,352萬美元)的高價設(shè)備，不可能每條產(chǎn)線都配置數(shù)十臺設(shè)備。這也使得曝光技術(shù)變成一個高門檻，半導(dǎo)體業(yè)者難以轉(zhuǎn)換到25奈米以下制程。

然而，三星電子以改良型雙重微影曝光技術(shù)，成功生產(chǎn)20奈米DRAM，逆轉(zhuǎn)市場情勢。三星電子接著已跨入10奈米級DRAM前導(dǎo)研發(fā)，展現(xiàn)出滿滿的自信。

三星DS部門旗下記憶體事業(yè)部長金奇南，在2月就任南韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會長時表示，半導(dǎo)體技術(shù)沒有所謂的界限。微細制程將可發(fā)展到10奈米級。

而過去致力于架構(gòu)25奈米DRAM生產(chǎn)體系的SK海力士(SKHynix)，也期待在2014年下半投入20奈米制程量產(chǎn)。SK海力士內(nèi)部人員表示，20奈米DRAM研發(fā)作業(yè)進行得相當順利，下半年可望實現(xiàn)以20奈米制程生產(chǎn)DRAM。

外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange資料指出，以記憶體業(yè)者的微細制程比重來看，三星電子2013年第4季時28奈米DRAM占32%、25奈米DRAM占28%。SK海力士則以29奈米制程為主，生產(chǎn)比重占68%。整并了爾必達(Elpida)的美光(Micron)則以30奈米制程為主，生產(chǎn)比重達96%。

2014年第1季預(yù)估三星電子將轉(zhuǎn)以25奈米制程為主，比重為45%。但三星電子若照計劃投入20奈米量產(chǎn)，預(yù)估值將出現(xiàn)變化。

外電再以市調(diào)機構(gòu)iSuppli資料指出，三星電子25奈米制程比重2014年第1季為10%、第2季為17%。SK海力士25奈米制程比重為第1季1%、第2季6%。SK海力士在2014年第4季時，25奈米制程比重將提升到26%。