雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商Alchimer，宣布與歐洲研究機構IMEC攜手進行一項合作研發(fā)計劃，為先進的奈米互連技術評估和實施銅(Cu)填充解決方案。該計劃的重點將是Alchimer的Electrografting(eG)產品系列，其已證明可在7nm節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。

由于CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸(<16/14nm)，采用薄阻擋層，以及薄銅晶種層，或無銅晶種層。填充制程必須沒有任何缺陷/空隙，以滿足可靠性規(guī)范，并實現(xiàn)高良率。傳統(tǒng)的物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)制程不能達到這些要求。Alchimer的濕沉積技術建立在分子構建制程的基礎之上，突破了干沉積制程的局限性。

Alchimer的執(zhí)行長BrunoMorel表示：「我們相信，隨著產業(yè)發(fā)展到更小的技術節(jié)點，效能和成本將推動技術的采用。eG在先進鑲嵌應用領域的效能，包括20nm以下的單、雙鑲嵌，已經在效能及持有成本兩方面均展現(xiàn)出廣闊前景。與IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源，藉此驗證我們在12寸晶圓制程的技術適宜性，并瞭解如何為18寸晶圓制程做好準備?！?BR>
該合作研發(fā)計劃(JDP)的目標是要獲得在22nm以下技術的12寸晶圓制程環(huán)境中，eG濕沉積制程的可靠性資料及電氣效能。作為此項JDP的一部分，兩間公司將對電鍍化學法實施評估，并努力確定12寸晶圓級先進鑲嵌電鍍應用的最佳制程條件。

eG填充允許在阻擋層上進行直接銅填充，而不再需要晶種層。此外，該技術還被證明能夠在7nm節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，以改善良率及效能?？傊?，它對終端影響很小，且均勻性優(yōu)異。Alchimer高度可擴展的濕沉積技術是滿足先進鑲嵌結構市場需求的唯一解決方案，不僅如此，與傳統(tǒng)的干沉積制程相比，該技術還能降低25%至35%的持有成本。

這是透過盡量減少使用昂貴的PVD與CVD制程實現(xiàn)的，因為該制程可以在僅需最少改裝的傳統(tǒng)設備上實施。造成較低覆層及穩(wěn)定化學作用的超保形層可在使用前即期混合。