生產(chǎn)和銷售制造設(shè)備用高頻電源等產(chǎn)品的日新技研試制出了利用SiC功率元件的高頻加熱電源，并在SiC相關(guān)國際學(xué)會“ICSCRM 2013”并設(shè)的展會上進行了展示。該公司表示，與利用Si功率元件時相比，利用SiC功率元件可提高電源效率、實現(xiàn)小型化并減少冷卻水使用量。將這種電源用于晶體生長設(shè)備時，“可通過使用SiC的電源來高效制備SiC晶體”。

此次試制的是輸出功率為30kW級別的電源。開關(guān)頻率為20kHz時，日新技研以往的利用Si功率元件的產(chǎn)品的效率最大為95％左右，而利用SiC功率元件后，效率達(dá)到了97.5％左右。

利用SiC功率元件還提高了電源的耐熱性，與日新技研的以往產(chǎn)品相比，試制品所需冷卻水的流量減至約1/4。該公司表示，將來“打算改用空冷方式”，“因為制造設(shè)備用高頻電源使用的工業(yè)用冷卻水中的雜質(zhì)等經(jīng)常會引起故障”。

通過減少冷卻水用量，還可削減水費。“比如，晶體生長設(shè)備要連續(xù)運轉(zhuǎn)好幾天，每個月僅水費一項，有時就要花費數(shù)千日元。對于多臺使用數(shù)年的情況，改用空冷方式有助于大幅削減成本”。

試制品使用的SiC功率元件由羅姆制造，采用的是配備SiC MOSFET和SiC二極管的全SiC功率模塊。（記者：根津 禎，《日經(jīng)電子》）

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