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[導(dǎo)讀]高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側(cè)視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術(shù),發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到82mW/sr21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3.2mm x 2

高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側(cè)視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術(shù),發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到82mW/sr

21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側(cè)視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940和VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術(shù),具有高發(fā)光強(qiáng)度和光功率,以及快速的開關(guān)時間。

Vishay Semiconductors的VSMY14940和VSMB14940高度極低,半強(qiáng)角只有±9°,非常適合空間受限的終端產(chǎn)品中的遙控應(yīng)用,如智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備。另外,這些器件還可以用作光柵和煙霧探測器的高強(qiáng)度發(fā)射器。

基于GaAIAs表面發(fā)射器芯片技術(shù),VSMY14940在70mA驅(qū)動電流下實(shí)現(xiàn)了82mW/sr的極高發(fā)光強(qiáng)度,10ns的快速開關(guān)時間,以及1.48V的正向電壓。在需要較低發(fā)光強(qiáng)度的應(yīng)用里,采用GaAIAs MQW的VSMB14940能夠提供35mW/sr的發(fā)光強(qiáng)度,15ns的開關(guān)時間和低至1.33V的正向電壓。

今天推出的發(fā)光二極管符合RoHS和Vishay Green標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,無鉛,可采用溫度達(dá)260℃的無鉛焊接。器件可以在車間里存放168小時,潮濕敏感度等級(MSL)達(dá)到J-STD-020規(guī)定的3級。

器件規(guī)格表:

紅外發(fā)光二極管現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。

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