21ic訊 意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性，飽和電壓更是低達(dá)1.8V，最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C，這些優(yōu)點(diǎn)將有助于開發(fā)人員提高系統(tǒng)能效和開關(guān)頻率，并簡化散熱設(shè)計(jì)和電磁干擾(EMI)[2] 設(shè)計(jì)。

通過消除IGBT固有的關(guān)斷拖尾電流特性，意法半導(dǎo)體的新器件提高了開關(guān)能效與最大開關(guān)頻率。新產(chǎn)品的裸片非常薄，這有助于提高開關(guān)和散熱性能。意法半導(dǎo)體獨(dú)有的優(yōu)化的溝柵式(trench-gate)場截止型(field-stop)工藝降低了熱阻，最高結(jié)溫高達(dá)175°C，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對飽和電壓等參數(shù)的嚴(yán)格控制，允許多個(gè)IGBT安全并聯(lián)，提高電流密度和通態(tài)能效。

全新的IGBT非常穩(wěn)定，具有很高的Dv/dt耐壓能力。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復(fù)(soft-recovery)二極管可最大限度降低導(dǎo)通能耗。針對成本更敏感的應(yīng)用，意法半導(dǎo)體還推出了可無二極管的型號供選擇。

意法半導(dǎo)體的20A至80A V系列IGBT現(xiàn)已投產(chǎn)，采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封裝。

[1]IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極晶體管)

[2]EMI，Electromagnetic Interference(電磁干擾)