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[導(dǎo)讀]摘要 在實際應(yīng)用電路時,噪聲及波動經(jīng)常不知不覺會引入到供電電壓中,從而影響輸出端電壓。為使電路穩(wěn)定,需消除或抑制所產(chǎn)生的噪聲。文中討論了3種改善放大器電路電源抑制比(PSRR)的方法:共源共柵方法、反饋技術(shù)、

摘要 在實際應(yīng)用電路時,噪聲及波動經(jīng)常不知不覺會引入到供電電壓中,從而影響輸出端電壓。為使電路穩(wěn)定,需消除或抑制所產(chǎn)生的噪聲。文中討論了3種改善放大器電路電源抑制比(PSRR)的方法:共源共柵方法、反饋技術(shù)、設(shè)計附加的能夠減小電源對輸出端電壓增益影響的電路。通過3種技術(shù)的仿真數(shù)據(jù)輸對比,其能維持較高的增益值,對有級聯(lián)放大器的電路設(shè)計有益,附加電路能夠滿足電源波動穩(wěn)定性的需求。
關(guān)鍵詞 共源共柵;共源放大器;負反饋;PSRR

    在實際應(yīng)用一個電路時,噪聲和波動常會在不知不覺時被引入到供電電壓中,從而影響輸出端電壓。為此,要使電路穩(wěn)定,就必須消除或抑制這些噪聲。基于這個原因,弄清楚由供電電壓導(dǎo)致的噪聲,在輸出端是如何表現(xiàn)的以及如何測量并削弱這些影響輸出的噪聲是必要的。
    PSRR是電路抑制來自于電源噪聲能力的量化術(shù)語。它被定義為輸入端到輸出端的增益與電源到輸出端增益的比值,即
   
    這里,A(s)=輸入端到輸出端的增益=Gm×Rout;Ap(s)=電源到輸出端的增益=GMp×Rout。
    因此
   
    這里,Gm為輸入信號跨導(dǎo);GMp為電源跨導(dǎo)。

1 改善PSRR的方法
    為減小電源波動對輸出端的影響,Gm必須增加而GMp必須減小。理想情況下,要完全排除電源波動的影響,就要使Gm無限大,而GMp為0。文中介紹了共源共柵技術(shù),負反饋技術(shù)和采用附加電路。3種改善放大器電路PSRR的方法,并進行了仿真驗證。
    通過從VDD到輸出端能夠反方向影響電源波動的負增益改善PSRR,從而反映到放大電路的輸出端。共源放大器為應(yīng)用這一技術(shù)提供了支撐,結(jié)果已被證實。

2 共源共柵技術(shù)
2.1 簡介
    共源共柵技術(shù),盡管增加了放大器的輸出阻抗Rout,卻也極大地增加了放大器電路的增益。然而,從電源VDD到輸出端的增益仍然為1,與共源放大器相同。這樣,共源共柵技術(shù)改善了PSRR,由于它增加了輸入端到輸出端的增益,而保持電源到輸出端的增益為常數(shù)。

    然而,和共源放大器相比,共源共柵也帶來了輸出擺幅和3 dB頻率點減小的不足。輸出擺幅減小是由于Vd輸出擺幅值要求較低。由于輸出能力增加,輸出端的頻率點左移而導(dǎo)致3 dB頻率的減小。
2.2 電路
    共源電路如圖1所示,它由一個PMOS管作為負載,以負載MOS管的偏置電路來估計放大器的PSRR。一個30 μA的電流源被用做放大器的偏置。這個共源放大器的增益可以仿真到3 dB頻率為5.43 MHz8寸的356。由于電源端的增益AVDD為1,因此PSRR仍然為356。


    多級共源放大器如圖2所示,它包括共源共柵NMOS晶體管M1和M2。這些晶體管的偏置電壓由鏡像電流源產(chǎn)生,并由M1分流。30μA的電流源被用來匹配共源放大器的偏置。盡管負載器件只包含單級MOS,沒有級聯(lián),但放大器的增益為722,是原來的2倍。然而,由于輸出阻抗增加,3 dB點的頻率減小到3.57 MHz。[!--empirenews.page--]
2.3 仿真結(jié)果及輸出曲線


    在共源電路里,可看到AVDD=1。這意味著波動從電源VDD無衰減的傳遞到輸出端,由此發(fā)現(xiàn)PSRR=放大器的增益,因而為了增加電路的PSRR,這一技術(shù)更趨向于增加電路的增益。然而,該方法的主要不足在于其低的輸出擺幅,其應(yīng)用受到了頻率較低的限制,在高頻時PSRR較低。



3 負反饋技術(shù)
3.1 簡介
    由于負反饋保證了輸出端電壓跟隨輸入端電壓,穩(wěn)定了電路。且抑制了來自像電源等其它節(jié)點的干擾,并給出了較低的電源到輸出端的增益,因而改善了整個電路的PSRR。[!--empirenews.page--]
3.2 電路
    為構(gòu)建負反饋方法改善PSRR,對一種帶有負反饋的共源放大電路進行了仿真,并與圖1中仿真的不帶負反饋的共源放大器進行了比較。負反饋的電路如圖5所示,輸出電壓被采樣并控制M6,由M6的電流通過R0轉(zhuǎn)換為電壓,輸出電流及M0的輸入電流混合構(gòu)成。負載器件是PMOS管,其偏置電壓由一鏡像電路產(chǎn)生。在設(shè)計過程中,其電阻值是關(guān)鍵,因為它決定著增益和PSRR值之間的平衡。電阻值過大會損失增益。


3.3 仿真結(jié)果及輸出曲線
    在使用負反饋的電路中,AVDD值已減小到0.293。最后PSRR得已改善。負反饋把輸出電壓強加于輸入電壓,從而穩(wěn)定了電路。因此,它能抑制任何從其他節(jié)點像電源等的波動,即使只有很低的電源到輸出節(jié)點的增益值。因此使用其它方法像共源共射電路、增益提升等來增加這一電路的增益,應(yīng)用相同的反饋電路將極大地隨增益而改善電路的PSRR。



4 附加電路方法
4.1 簡介
    附加電路是為提供消除在正常電路中電源對輸出的影響,而搭建的從VDD到輸出的負增益通道作為設(shè)計目標(biāo)。由于負增益消除了VDD對輸出節(jié)點的影響,改善PSRR值的GMp減小了。
4.2 電路
    帶附加電路的共源電路如圖7和圖8所示,消除了使用工作以線性范圍內(nèi)的共源放大器,從VDD到輸出節(jié)點電源波動的影響。

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    由于共源放大器為反相輸出,由M14放大后的VDD波動,明顯影響了經(jīng)過輸出節(jié)點晶體管M3的VDD波動。附加電路法使增益和PSRR值達到了平衡。隨著增益的增加,PSRR值則減小。
    給出了兩種電路仿真如圖9和圖10所示,其中第一個工作在高增益下,相應(yīng)的PSRR較低。M14有電源電壓VDD提供門限電壓,使其有較高的Vgs值,導(dǎo)致其工作在線性區(qū)域。輸入晶體管M0工作在很高R0和跨導(dǎo)Gm的飽和區(qū)。因而M14也被驅(qū)動工作在飽和區(qū),而增加了它的R0和Gm值,盡管它工作在線性區(qū)。結(jié)果發(fā)現(xiàn)此電路有很高的整體增益和AVDD值以及很低的PSRR。


    在第2個仿真里,輸入晶體管M0工作在飽和區(qū),卻在線性區(qū)的邊緣。因此,晶體管M14和M10工作在較深的線性區(qū),減少M14消耗的等效電阻Ra。結(jié)果,放大器的增益有所下降,同樣AVDD的值也會下降。最后,電路的PSRR徹底改善了整個放大器的增益,且能夠在第二級放大器中得到改善,并維持較高的PSRR值。
4.3 仿真結(jié)果及輸出曲線
    通過使用消除電源波動影響的附加電路,改善了PSRR。但由于輸出阻抗上附加電路的影響,整個電路的增益依然有待于改變。從上述結(jié)果看,整個電路將獲得一個增益與PSRR的平衡。
    然而,這一電路的3 dB頻率點與使用負反饋技術(shù)相比較低,盡管附加的MOSFET增加了輸出節(jié)點的負載電容,極點左移而3 dB頻率變低。低增益和高PSRR放大器,能通過級連達到較高的增益。

5 結(jié)束語
    盡管共源共柵技術(shù)同比率改善了電路的增益和PSRR,但它卻隨之帶來較低的輸出擺幅和3 dB頻率點及較高的輸出阻抗,且不適于放大器的級聯(lián)和較高工作頻率等需求的應(yīng)用中。負反饋技術(shù)在改善放大器PSRR的同時又穩(wěn)定了輸出。盡管負反饋技術(shù)減少了從電源到輸出節(jié)點的增益,如AVDD,并且增益了PSRR。但增益是按比例減少,B值能夠被合理的調(diào)整以達到增益要求。這一技術(shù)對工作在高頻中的電路有效。附加電路則是能夠給出最大PSRR值的技術(shù),其結(jié)論能夠從3種技術(shù)的仿真數(shù)據(jù)輸出表里看出,并能維持較高的增益值。但它也有減小電路3 dB頻率點的不足,因為在輸出端引進了附加電容。因此,如表3中的電路2可以看到,這一電路能夠達到極高的PSRR值,卻是以很低的增益為代價。因此,該電路在設(shè)計含級聯(lián)放大器電路的設(shè)計中有重要作用,這里增益可通過級聯(lián)解決。附加電路能夠滿足電源波動穩(wěn)定性的需求。

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