IGBT剛出現(xiàn)時(shí)，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時(shí)間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達(dá)到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達(dá)到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開關(guān)）和300kHz（軟開關(guān)）。

其共同點(diǎn)是，二 者集成的對象都是電子電路。因此，集成電路中的許多技術(shù)都為電力電子集成技術(shù)所借鑒。例如，單片電力電子集成技術(shù)就和集成電路十分相似。起源于集成電路封 裝技術(shù)的多芯片模塊（Multi Chip Module-MCM）技術(shù)就對電力電子集成技術(shù)有很大的借鑒意義。共同點(diǎn)主要是：信息電力技術(shù)特別容易在單 個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)，甚至出了片上系統(tǒng)（System on Chip-SOC）的概念和技術(shù)。而在電力電子集成中，單片集成就要困難很多。因?yàn)殡娏﹄娮又兄麟?路通常電壓較高、功率較大、發(fā)熱嚴(yán)重、電磁干擾也嚴(yán)重，而控制電路通常電壓較低、本身功耗不大也難于承受高壓，抗電磁干擾性能也較弱。因此，電壓隔離、熱隔離、抗電磁干擾就成為電力電子集成技術(shù)的三大問題。

碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是：禁帶寬、工作溫度高（可達(dá)600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、PN結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體器件。