在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，離不開我們科研人員的辛勤付出，制造出如此多的電子產(chǎn)品，然而大家只關(guān)注這些產(chǎn)品的使用，只有研究人員會(huì)關(guān)注內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這其中就要數(shù)功率器件了。在能源、軌道交通、工業(yè)電子與汽車電子中，功率半導(dǎo)體扮演著關(guān)鍵角色，這些領(lǐng)域?qū)τ诳煽啃砸蠓浅８摺Ｒ攒壍澜煌☉?yīng)用為例，軌道交通會(huì)采用IGBT做牽引變流器，這些牽引變流器的性能將決定軌交列車跑得快不快、速度是否均勻、剎車是否可靠，軌道交通的快速發(fā)展，對(duì)于IGBT技術(shù)的發(fā)展起到了極大的促進(jìn)作用。

某IGBT

由于性能出色，英飛凌的IGBT在中國(guó)的軌道交通與電網(wǎng)等應(yīng)用非常廣泛，甚至還引起了高層的關(guān)注。據(jù)英飛凌科技香港有限公司工業(yè)功率控制事業(yè)部總監(jiān)馬國(guó)偉博士介紹，2015年3月馬凱副總理到英飛凌德國(guó)總部參觀時(shí)，短短半小時(shí)的時(shí)間內(nèi)，一直在講IGBT的話題，馬凱副總理對(duì)于英飛凌IGBT在功率密度上能夠比同行高30%至40%很感興趣。

功率密度突破的方向主要有三個(gè)

“不斷突破功率密度的極限是英飛凌研發(fā)部門一直以來(lái)工作的方向，也是整個(gè)行業(yè)的方向”馬國(guó)偉說(shuō)道，他表示功率密度突破的方向主要有三個(gè)。

第一個(gè)方向是提高IGBT器件的工作溫度，這是是突破功率密度的主要方向。當(dāng)有辦法把IGBT的最高溫度提升，就可以增加器件的功率密度，提高工作溫度是一個(gè)大方向，但也是最難的方向。

第二個(gè)方向是通過(guò)功能整合來(lái)提高功率密度。例如英飛凌的RCDC二極管可控逆導(dǎo)型IGBT，在功能上進(jìn)行了整合，把兩個(gè)芯片變成一個(gè)，這樣就可以騰出更多的空間出來(lái)，用于增加功率密度。

第三個(gè)方向比較間接，以英飛凌的MIPAQ Pro智能功率模塊為例，在現(xiàn)有的功率密度上，增加了保護(hù)功能，收集工作狀態(tài)信息，避免緊急狀況發(fā)生，以確保機(jī)器能夠安全工作。當(dāng)器件具備智能的精準(zhǔn)控制功能以后，就可以在更寬泛的環(huán)境下工作，從這個(gè)意義上來(lái)說(shuō)等于變相增加了功率密度。技術(shù)的不斷發(fā)展，也推動(dòng)了功率器件的不斷更新，這也需要我們年輕的科研人員更加努力，學(xué)好專業(yè)知識(shí)，這樣才能趕得上社會(huì)的發(fā)展。