隨著筆記本電腦向高性能、輕薄化與長續(xù)航方向演進,其內(nèi)置電源設計面臨嚴峻挑戰(zhàn):一方面,處理器(CPU/GPU)的功耗持續(xù)攀升(如移動端H系列CPU峰值功耗可達115W,獨立顯卡TDP突破150W);另一方面,電池容量受限于機身厚度,用戶對續(xù)航時間的期待卻日益增長。在此背景下,多相電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)與動態(tài)電壓調(diào)整(DVS)技術的協(xié)同優(yōu)化,成為平衡性能、能效與散熱的核心解決方案。
在全球能源轉型加速推進的背景下,高功率高電壓儲能系統(tǒng)憑借其快速響應、大容量存儲的優(yōu)勢,成為支撐新能源并網(wǎng)、電網(wǎng)調(diào)峰調(diào)頻以及保障關鍵場景供電穩(wěn)定性的核心裝備。然而,這類系統(tǒng)在實際運行中面臨著能量轉換效率低、安全風險高、運維成本居高不下等挑戰(zhàn)。想要充分發(fā)揮其性能,離不開一系列 “好搭子” 的協(xié)同配合。這些 “搭檔” 從硬件適配到軟件優(yōu)化,從安全防護到智能管理,全方位助力高功率高電壓儲能系統(tǒng)突破瓶頸,實現(xiàn)效能最大化。
在現(xiàn)代電子設備的復雜電路系統(tǒng)中,電源的穩(wěn)定性和可靠性至關重要。然而,各種電磁干擾卻如影隨形,嚴重威脅著電源的正常工作。從工業(yè)生產(chǎn)中的大型設備,到日常生活中的智能家居產(chǎn)品,電源抗干擾問題亟待解決。而數(shù)字隔離器的出現(xiàn),宛如一顆璀璨的明星,為提升電源抗干擾性帶來了革命性的解決方案。
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,對于電源管理芯片的性能要求愈發(fā)嚴苛,其中實現(xiàn)高分辨率的脈沖輸出成為眾多應用場景的關鍵需求。LT8722 作為一款高性能、高效率的單片全橋 DC/DC 轉換器,在高分辨率脈沖的生成方面展現(xiàn)出卓越的能力,廣泛應用于如通信設備、工業(yè)控制以及醫(yī)療設備等對電源精度和穩(wěn)定性要求極高的領域。
在全球積極推動清潔能源轉型的大背景下,太陽能作為一種可持續(xù)且豐富的能源,其在能源結構中的占比日益提升。光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件,承擔著將光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉換為交流電并接入電網(wǎng)的關鍵任務。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)晶圓在 1200V 光伏逆變器領域發(fā)揮著舉足輕重的作用,對逆變器的性能、效率和可靠性有著深遠影響。深入剖析 IGBT 晶圓在這一領域的應用,對于推動光伏產(chǎn)業(yè)的高效發(fā)展意義重大。
氮化鎵(GaN)技術作為一種寬帶隙半導體技術,近年來在開關模式電源(SMPS)領域展現(xiàn)出巨大的潛力。與傳統(tǒng)的硅基 MOSFET 相比,GaN 技術具有諸多優(yōu)勢,為開關模式電源的設計帶來了新的思路和方法,正逐步改變著電源管理設計的格局。
在電子電路設計中,確保電源的穩(wěn)定和安全至關重要。LTC4365 作為一款出色的過壓(OV)、欠壓(UV)以及反向極性故障保護控制器,在眾多領域得到了廣泛應用。其能夠為電源輸入電壓可能出現(xiàn)過高、過低甚至負值的應用場景提供可靠保護,通過控制外部 N 溝道 MOSFET 的柵極電壓,使輸出處于安全工作范圍。在 LTC4365 的應用中,過欠壓設置電阻的選擇和設定對其保護性能起著關鍵作用,而一個值得深入探討的問題是:LTC4365 的過欠壓設置電阻是否可以通過輸出電壓來改變?
在電子設備的世界里,穩(wěn)定的電源供應如同基石,支撐著各種電路和器件的正常運行。線性穩(wěn)壓電源和開關穩(wěn)壓電源作為兩種主流的電源類型,各自有著獨特的工作方式、性能特點以及適用場景。深入了解它們,對于電子工程師進行合理的電源選型和設計至關重要。
在現(xiàn)代科技飛速發(fā)展的時代,電子產(chǎn)品已廣泛滲透到人們生活和工業(yè)生產(chǎn)的各個角落。從日常使用的手機、電腦,到工業(yè)生產(chǎn)中的各類精密設備,都離不開穩(wěn)定可靠的電源供應。而開關電源系統(tǒng)作為電子產(chǎn)品的核心供電部件,其性能與穩(wěn)定性至關重要。然而,自然雷電浪涌的存在,如同隱藏在電子產(chǎn)品背后的 “殺手”,時刻威脅著開關電源系統(tǒng)的正常運行。
在全球倡導節(jié)能減排的大背景下,家電產(chǎn)品的能耗問題日益受到關注。電視機作為家庭中使用頻率較高的電器之一,其能耗的降低對于節(jié)約能源和減少碳排放具有重要意義。LED 驅動技術作為影響電視機能耗的關鍵因素,正不斷發(fā)展和創(chuàng)新,為實現(xiàn)電視機的高效節(jié)能提供了有力支持。
隨著電力技術的不斷發(fā)展,大功率非晶態(tài)變壓器因其獨特的優(yōu)勢,如低損耗、高導磁率等,在眾多領域得到了廣泛應用。然而,磁偏飽和問題嚴重影響了大功率非晶態(tài)變壓器的性能與穩(wěn)定性,成為制約其進一步推廣應用的關鍵因素。因此,深入研究并有效預防大功率非晶態(tài)變壓器磁偏飽和具有重要的現(xiàn)實意義。
在以太網(wǎng)供電(PoE)技術向高功率演進,受電設備(PD)的硬件開發(fā)面臨效率與安全性的雙重挑戰(zhàn)。IEEE 802.3bt標準將單端口供電能力提升至90W,要求PD設備在實現(xiàn)高效率DC-DC轉換的同時,必須具備完善的過壓保護機制。本文從拓撲選擇、器件選型、控制策略及測試驗證四個維度,系統(tǒng)闡述PD設備硬件開發(fā)的關鍵技術路徑。
PoE(以太網(wǎng)供電)技術向高功率(90W/端口)、高可靠性(MTBF>100,000小時)演進,合規(guī)性測試已成為設備廠商進入市場的核心門檻。從IEEE 802.3af/at/bt標準認證到線纜阻抗匹配驗證,再到負載模擬的極限測試,每個環(huán)節(jié)都直接決定產(chǎn)品能否通過UL、CE、FCC等國際認證。本文結合實際測試案例與數(shù)據(jù),系統(tǒng)解析PoE合規(guī)性測試的三大核心模塊,為開發(fā)者提供可復用的實操指南。
物聯(lián)網(wǎng)與5G通信技術,PoE(以太網(wǎng)供電)設備正朝著高集成度、小體積方向快速演進。從QFN封裝的熱管理到疊層PCB的阻抗控制,再到高密度布線的串擾抑制,每個技術環(huán)節(jié)都直接決定著設備能否在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高效供電與數(shù)據(jù)傳輸。本文結合實際案例與測試數(shù)據(jù),系統(tǒng)解析PoE設備小型化設計的三大核心技術要點。
以太網(wǎng)供電(PoE)技術快速發(fā)展,電磁兼容性(EMC)已成為保障設備穩(wěn)定運行的核心挑戰(zhàn)。PoE電路通過單根網(wǎng)線同時傳輸電力與數(shù)據(jù),高頻開關電源、高速信號傳輸與復雜電磁環(huán)境的疊加,導致電磁干擾(EMI)問題尤為突出。本文結合IEEE 802.3af/at/bt標準及實際工程案例,系統(tǒng)解析PoE電路中EMI濾波與屏蔽設計的關鍵策略。