日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

  • EMI 問題不斷增加，但我們可以盡可能避免它們

    EMI 就像夜深人靜的幽靈一樣，不正常。但是，盡管與 EMI 相關(guān)的問題正在增加，但仍有一些方法可以在您的設(shè)計中避免它們。

  • GaN 將射頻應(yīng)用推向新的階段

    氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可滿足高功率和射頻應(yīng)用日益增長的需求。GaN 的帶隙是傳統(tǒng)硅的三倍以上，它允許功率器件在比硅更高的溫度和電壓下工作，而不會破壞或降低其性能和可靠性。此外，其極低的導(dǎo)通電阻使 GaN 能夠提供非常高的電流和射頻功率密度，在雷達、功率轉(zhuǎn)換器和功率放大器等高功率射頻系統(tǒng)中得到應(yīng)用。

  • Rohm羅姆最新幾款電源芯片

    BD7F205EFJ-C是一種無光耦合器的隔離反彈射轉(zhuǎn)換器。不需要光耦或變壓器輔助繞組的反饋電路，從而減少設(shè)定件。此外，采用原始適應(yīng)的接通時間控制技術(shù)可以實現(xiàn)快速負載響應(yīng)。此外，各種保護功能實現(xiàn)了高可靠性隔離電源應(yīng)用的設(shè)計。

  • 如何合理的測試DCDC電源第一部分，測試原因和設(shè)備

    在我擔任現(xiàn)場應(yīng)用工程師的這么多年中，我看到了相當多的電源設(shè)計。在許多情況下，這些設(shè)計可以毫無問題地工作。有時，我發(fā)現(xiàn)在將產(chǎn)品投入生產(chǎn)之前通過一些額外的工程工作可以避免的問題。系統(tǒng)設(shè)計人員常常在使用電源電路時沒有徹底確保其在整個極端工作條件下都能正常工作。存在原型工作正常的情況，因此忽略了進一步的電源測試，或者是檢查是否正常運行的最后一項。有時直到產(chǎn)品投入生產(chǎn)后才會出現(xiàn)問題，從而導(dǎo)致現(xiàn)場故障。

    電源
    2022-07-20
    電源測試 DCDC

  • 如何為測試應(yīng)用確定最佳電源，第一部分功率和噪聲

    大多數(shù)電氣工程師認為他們對電源有很好的了解，因為它們是相對簡單的單功能直流設(shè)備，旨在輸出受控電壓。但是，電源的功能遠不止此描述所暗示的。盡管電源的規(guī)格對大多數(shù)應(yīng)用都充分描述了其性能，但指定其性能(或任何儀器的性能)的每個可能方面在金錢和時間方面都太昂貴了。

  • 高速互連要求推動更便宜的 PCB 材料

    在閱讀和研究文章和互聯(lián)網(wǎng)上的大量觀點時，很容易假設(shè)知情人士一致認為，使用傳統(tǒng)低成本 PCB 材料進行下一代高速設(shè)計的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了走了。還有一種觀點認為，現(xiàn)代技術(shù)(如 PCIe 5.0 及更高版本)的要求已將電路板設(shè)計和制造的界限推向了邊緣。

  • 如何合理的測試DCDC電源第二部分，輸出電壓測試

    使用計劃生產(chǎn)的組件設(shè)計和構(gòu)建電源后，將其放置在允許訪問電源輸入和輸出的位置。如果可能，請斷開系統(tǒng)負載與電源的連接以進行初始測試。在系統(tǒng)負載斷開的情況下，您可以測試最小和最大負載，同時保護系統(tǒng)免受任何可能的電源故障情況的影響。

    電源
    2022-07-20
    輸出電壓 DCDC

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 1 部分如何選擇 IGBT

    IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領(lǐng)域用的非常多，特別是在高壓大電流領(lǐng)域，IGBT占主導(dǎo)地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導(dǎo)體器件之一，這種主要應(yīng)用在電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，我們統(tǒng)稱功率半導(dǎo)體

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 2 部分IGBT概述

    N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導(dǎo)致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹

    所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復(fù)雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 4 部分數(shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性一

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 5 部分數(shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性二

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 6 部分IGBT靜態(tài)特性

    IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向電壓由J2結(jié)承擔，反向電壓由J1結(jié)承擔。 無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓 做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達到幾十伏水平， 限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 7 部分IGBT動態(tài)特性

    一個等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 8 部分IGBT熱和機械特性

    這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻，是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測溫升。

發(fā)布文章