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  • 新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第一部分

    電流傳感器在許多電子應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用，可讓您提高應(yīng)用效率并監(jiān)控電流以避免可能出現(xiàn)的故障或故障。 多年來電流傳感器所經(jīng)歷的技術(shù)發(fā)展導(dǎo)致了集成電流傳感器的誕生，此外還提供了高水平的精度和可靠性，這些傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，占地面積非常小。最新一代的傳感器具有高壓隔離特性、高度的外部電磁場抗擾度和卓越的精度，使其成為測量工業(yè)、汽車、智能儀表、光伏、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器中的 AC 和 DC 電流的理想解決方案.

  • 新型數(shù)字電流傳感器提高了惡劣環(huán)境中的可靠性，第二部分

    隨著人民的生活水平日益的提高，汽車應(yīng)用的普及，使得汽車尾氣污染越來越嚴(yán)重，尤其是首都北京，天津，河北，重度污染天氣已經(jīng)超過全年的一半，嚴(yán)重影響了人們的健康，國家領(lǐng)導(dǎo)也相應(yīng)的采取措施，其中電動汽車的支持就是一項(xiàng)，電動汽車也很受老百姓喜歡，電動汽車的電源啟動系統(tǒng)中電流傳感器起到很大的作用。

  • 電動汽車電池“護(hù)照”推動我們實(shí)現(xiàn)碳中和

    轉(zhuǎn)向電氣化并非沒有缺點(diǎn)。例如，除了回收電池組件的隱性費(fèi)用外，采礦和生產(chǎn)電池所用原材料的碳足跡與尾氣排放的碳足跡相當(dāng)。 許多初創(chuàng)公司提出了一個功能齊全的循環(huán)經(jīng)濟(jì)作為實(shí)現(xiàn)凈零碳排放的一種方式。為了使電動汽車可持續(xù)發(fā)展，在提取基本原材料時必須遵守社會和環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)。這些材料也必須回收。Circulor 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Douglas Johnson-Poensgen 表示，為了實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)，我們必須將可追溯性與循環(huán)性結(jié)合起來。

  • 抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項(xiàng)

    在關(guān)于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的一些優(yōu)勢，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結(jié)一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

  • 抗輻射分立功率器件：第 1 部分 — Si MOSFET

    用于 5G、物聯(lián)網(wǎng)和其他各種用途的商業(yè)天基通信出現(xiàn)了巨大的增長，Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明證。這補(bǔ)充了軍事和科學(xué)衛(wèi)星的使用，后者也出現(xiàn)了大幅增長。這些應(yīng)用所需的半導(dǎo)體功率器件，例如衛(wèi)星總線電壓到終端應(yīng)用的DC/DC 轉(zhuǎn)換，與地面商業(yè)或汽車對應(yīng)器件相比，需要滿足某些獨(dú)特的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)樗鼈兇嬖谟跀硨Νh(huán)境中。環(huán)境。這既意味著可預(yù)測的輻射暴露——例如來自地球周圍的范艾倫帶——也意味著不可預(yù)測的事件，例如太陽耀斑。

  • 頻率折返的工作方式：固定頻率折返

    輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個開關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。

  • GAAFET，是什么技術(shù)？

    美國計(jì)劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）？

  • GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

    氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達(dá)3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分

    在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時間。幾項(xiàng)關(guān)于 GaN HEMT 的研究報(bào)告了更短的 SCWT 時間，這被認(rèn)為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機(jī)會以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計(jì)的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強(qiáng)調(diào)每個方面的一些權(quán)衡。

  • EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個問題。一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應(yīng)商輕松獲得可用于在幾乎任何應(yīng)用中有效過濾 EMI 的各種組件。

  • EMI 噪聲，箱級 EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)所必需的板級 EMI 抑制解決方案。然而，對于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應(yīng)用，它們可能還不夠。此類應(yīng)用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng))需要盒級 EMI 濾波。

  • 不要讓EMI 噪聲成為我們的問題

    電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個問題。這個由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對汽車、醫(yī)療、植入式和空間應(yīng)用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中，我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。

  • EMI 噪聲，惡劣環(huán)境下的 EMI 抑制

    在惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用的組件通常會承受過大的機(jī)械應(yīng)力、極熱或極冷的溫度、增加的靜電放電潛力和/或高水平的輻射。因此，這些組件采用能夠處理高溫變化的材料制造，并具有機(jī)械堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)。例如，陶瓷 NP0/C0G 等電介質(zhì)能夠處理高達(dá) 150 o C 的溫度而電容沒有變化，但缺乏制造高電容器件所需的高介電常數(shù)。由于這一限制，已開發(fā)出具有更高常數(shù)的電介質(zhì)，如 X8R，以將典型 X7R 電介質(zhì)的溫度范圍擴(kuò)展到其通常的溫度范圍之外125 oC 極限。

  • AmberSemi 實(shí)現(xiàn)電力的固態(tài)數(shù)字控制

    Amber Solutions 已更名為 Amber Semiconductor (AmberSemi)，立即生效。遷移至 AmberSemi 反映了該公司更清楚地展示其關(guān)鍵技術(shù)功能的意圖，其中包括將其專利的突破性技術(shù)產(chǎn)品化，用于將能量的交流直接數(shù)字控制轉(zhuǎn)化為硅芯片。這一成就為主要的半導(dǎo)體和電氣產(chǎn)品公司 徹底改革全球電網(wǎng)和實(shí)現(xiàn)電氣產(chǎn)品現(xiàn)代化鋪平了道路 。

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