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  • 英飛凌為全新行業(yè)標準封裝技術奠定基礎

    英飛凌科技股份公司和日月光半導體制造股份有限公司近日宣布，雙方將合作推出更高集成度半導體封裝，可容納幾乎無窮盡的連接元件。與傳統(tǒng)封裝（導線架層壓）相比，這種新型封裝的尺寸要小30%。 隨著半導體尺寸不斷縮減，更復雜、更高效的半導體解決方案不斷得以實現(xiàn)。然而，盡管芯片尺寸逐漸變小，但對足夠連接空間的需求還是對封裝尺寸的縮小帶來了物理限制。 英飛凌通過全新嵌入式WLB技術（eWLB）成功地將晶圓級球陣列封裝（WLB）工藝的優(yōu)越性進行了進一步拓展，即：成本優(yōu)化生產(chǎn)和增強性能特性。與WLB一樣，所有操作都是在晶圓級別上并行進行，標志著晶圓上所有芯片可以同時進行處理。為了更有力地推廣這些優(yōu)勢，英飛凌和ASE已經(jīng)結成合作伙伴關系，將英飛凌開發(fā)的這一技術與ASE的封裝技術專長融合在一個許可模型中。 ASE集團研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明博士表示：“非常高興英飛凌在推出這一領先技術時選擇ASE作為他們的IC封裝首選合作伙伴。通過合作，我們相信英飛凌將大大受益于ASE的封裝專長及其在全球市場的領袖地位，同時我們也期待能為他們的成功助一臂之力?！?英飛凌科技股份公司管理委員會成員兼通信解決方案業(yè)務部總裁Hermann Eul博士表示：“我們將利用我們的研發(fā)能力為未來封裝技術奠定基礎，不斷滿足未來市場需求，并牢記摩爾定律。隨著半導體尺寸的不斷縮小，性能的不斷提升，需要全新的創(chuàng)新方式。我們引領潮流的封裝技術將在集成度和效率上樹立行業(yè)基準。我們將與ASE一道為向企業(yè)和終端消費者提供全新一代節(jié)能型高性能移動設備鋪平道路?！?eWLB技術 eWLB技術是WLB技術的前瞻性發(fā)展，同時完美繼承了后者的突出優(yōu)點，如小型封裝尺寸、卓越電氣性能和熱性能以及最大連接密度。但這一全新技術還大大提高了封裝的功能和適用范圍。由于eWLB，面向移動通信應用的調制解調器和處理器芯片等復雜半導體芯片要求在最小的尺寸上實現(xiàn)擁有標準接觸間距的大量焊接。同時，這些封裝上可以提供所需的足夠多的焊接觸點。在芯片周圍實現(xiàn)適當額外布線區(qū)意味著該晶圓級封裝技術也可以用于全新緊湊型應用。 全新封裝將根據(jù)許可模型在英飛凌科技和ASE的工廠生產(chǎn)。首批組件預計將于2008年年底前面市。

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  • 45納米時代呼之欲出 本土跟進面臨多重難題

    微電子技術踏著摩爾定律的足跡終于走到了45納米。本月中旬，英特爾公司發(fā)布了16款采用45納米工藝生產(chǎn)的服務器及高端PC處理器，標志著45納米集成電路產(chǎn)品正式投入到應用領域。英特爾還宣布，目前該公司已有三條12英寸生產(chǎn)線具備生產(chǎn)45納米芯片的能力。預計到2008年第三或者第四季度時，英特爾的45納米產(chǎn)品在數(shù)量上將可能超過65納米產(chǎn)品。在英特爾的帶動之下，其他高端廠家必將陸續(xù)跟進，“45納米時代”已是呼之欲出。 新技術具有里程碑意義 英特爾的共同創(chuàng)始人戈登?摩爾認為，此次英特爾新產(chǎn)品的推出，是自從多晶硅柵MOS晶體管問世以來，晶體管工藝制程技術中的一個最大的突破，英特爾采用新材料和新的器件結構，是CMOS工藝的又一里程碑。 事實上，目前具備45納米工藝生產(chǎn)能力的并不只是英特爾一家，半導體產(chǎn)業(yè)觀察家、美國應用材料公司高級顧問莫大康先生在接受《中國電子報》記者采訪時表示：“IBM、TSMC、松下等廠家都已具備45納米工藝生產(chǎn)能力。英特爾45納米芯片的偉大意義在于，它率先改變了CMOS的工藝結構，將傳統(tǒng)的‘二氧化硅絕緣層+多晶硅柵’改為了‘高K介質+金屬柵’的結構，半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入‘材料推動革命’的時代?！?微電子業(yè)界通常是通過縮小器件的特征尺寸(Critical Dimension，CD)來提升產(chǎn)品的性能，因為體積更小的晶體管會使器件擁有更快的運行速度和更低的發(fā)熱量。其實在晶體管中柵極和柵介質也非常重要，它們的作用就是在硅底層通道和柵極之間產(chǎn)生較高的場效應，同時又要求柵介質是完美的絕緣體，防止電流通過柵介質發(fā)生泄漏。由于二氧化硅作為柵極絕緣材料在65納米工藝時已逼近物理極限，如果再繼續(xù)降低二氧化硅絕緣層的厚度，將導致漏電及功耗急劇上升。英特爾在45納米處理器上的高K工藝，就是用更高介電常數(shù)的二氧化鉿(HfO2)取代傳統(tǒng)的低介電常數(shù)的二氧化硅，從而解決漏電問題。“高K介質+金屬柵”結構在增加器件密度的同時，有效地增強了器件的性能，降低了功耗。英特爾45納米產(chǎn)品晶體管密度將是65納米產(chǎn)品的兩倍，其漏電量降為原來的10%，運行時的耗電量減少了30%，速度提高了20%。并且，在將來工藝提升到32納米、22納米乃至16納米水平的時候，仍然可以使用這種材料和結構。 新工藝帶來的材料難題并不僅英特爾一家遇到，但其他公司都把“高K介質+金屬柵”結構定位為32納米產(chǎn)品將要使用的技術?！爸挥杏⑻貭栐?5納米階段就先行一步，掃清了工藝技術中的一大障礙，再次扮演了行業(yè)領頭羊的角色。”莫大康先生評價道。 產(chǎn)品升級影響產(chǎn)業(yè)格局 45納米產(chǎn)品投入市場，對于集成電路產(chǎn)業(yè)而言具有深遠的影響。首先是工藝研發(fā)成本進一步提高，研發(fā)費用已高達50億美元至100億美元，掩模版的費用也在300萬美元以上。如此之高的研發(fā)成本讓許多傳統(tǒng)的IDM廠商望而卻步，紛紛尋求代工合作或者聯(lián)合研發(fā)，其中尤以三大半導體巨頭IBM、英飛凌和三星與新加坡特許半導體結成的聯(lián)盟最具震撼力。在代工業(yè)界，由于TSMC的霸主地位難以撼動，其在45納米技術的比拼中也已處于領先地位，其競爭對手倘若不能在技術水平上迅速跟進，將會面臨失去部分高端客戶的危險。 新工藝的推出也給IC設計企業(yè)提供了新的機遇，因為更高的加工精度為產(chǎn)品在功能和性能兩個方面都提供了較大的提升空間，從而更有效地滿足消費者的需求。但“硬幣的另一面”也不容忽視，IC設計企業(yè)同樣也面臨成本上升的問題。正如Altera公司技術開發(fā)副總裁Mojy Chian先生在接受《中國電子報》記者采訪時所指出的那樣，在IC設計導入45納米工藝后，器件開發(fā)將面臨泄漏管理、電壓飽和、變異管理、逆溫現(xiàn)象以及更嚴格的設計規(guī)則等一系列的挑戰(zhàn)。這些問題并非不能解決，但卻必然會增加開發(fā)成本。此外，45納米工藝的導入，對IC設計公司與晶圓代工廠之間的協(xié)作也提出了更高的要求。中芯國際執(zhí)行顧問羅復昌博士向《中國電子報》記者介紹說：“到了45納米階段，代工廠的設計規(guī)則較之上一階段會有相當大的調整，DFM(可制造性設計)已經(jīng)成為了必需的技術手段，代工廠要在研發(fā)的起步階段就與設計公司合作，要在設計規(guī)則、電性參數(shù)指標、可靠性指標等方面與設計公司達成共識?！?對半導體設備產(chǎn)業(yè)而言，工藝技術的提升所引發(fā)的生產(chǎn)線的更新?lián)Q代肯定會使設備制造業(yè)在一定程度上受益，但市場的增長不會發(fā)生革命性的突破。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁丁輝文先生告訴《中國電子報》記者，65納米工藝的設備同樣可以用于45納米芯片的生產(chǎn)，所不同的只是生產(chǎn)工藝發(fā)生了變化。而莫大康先生也表達了類似的觀點：在45納米工藝階段，英特爾仍然將采用193納米干法光刻機，只是加上了二次光刻及OPC技術。 本土廠家跟進需政策支持 面對45納米，中國內地的IC制造業(yè)將作何抉擇？莫大康先生認為，目前中國內地最先進技術還處于65納米水平，且尚未量產(chǎn)，與45納米、“高K介質+金屬柵”結構相比還差兩個臺階；與此同時，中國的邏輯電路設計水平還停留在0.13微米的階段，IC設計公司最高的設計水平也只是90納米，因此，即便工藝制造技術能實現(xiàn)飛躍而與國際頂尖企業(yè)并駕齊驅，也會面臨缺乏產(chǎn)品市場的尷尬局面。 當然，中國內地的IC制造企業(yè)不會因此而減緩邁向更高工藝的步伐。羅復昌博士表示：“中芯國際45納米技術的研發(fā)已經(jīng)在準備中，已經(jīng)做了大量的前期研究工作。中芯國際將會在量大、面廣、成本相對較低的產(chǎn)品(比如通訊產(chǎn)品、移動終端等)率先使用45納米工藝?！?中國企業(yè)在籌劃邁向先進工藝的同時，更要腳踏實地做好眼前的事?！澳壳爸袊鴥鹊氐?5納米技術還是空白，盡管中芯國際做了許多工作，有望在明年開始量產(chǎn)，但是要廣泛應用，還有大量的工作要做。未來幾年，65納米產(chǎn)品還將是經(jīng)濟效益的重要來源，并且，做好65納米也是開發(fā)45納米的前提和基礎。因此，我們在關注45納米的同時，要努力把65納米技術做通、做好，并使其得到廣泛應用?！绷_復昌博士補充道。 半導體技術的提升對企業(yè)的研發(fā)資金和人才提出了極大的挑戰(zhàn)。中國內地的半導體企業(yè)總體來講實力相對弱小，規(guī)模不夠大，所能在研發(fā)上投入的資金量小，一個企業(yè)即便是將銷售收入的10%投入研發(fā)，其資金量也不足以與國外的大公司競爭。羅復昌博士強調：“中國內地集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要國家政策的傾斜和資金的支持。具體講：一是在資金方面政府要支持，要大量投入；二是在人力方面，實施產(chǎn)學研用結合，發(fā)揮研究機構的人才優(yōu)勢，還要把設計公司納入研發(fā)的圈子，從而增加成功的可能性。”

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  • Altium任命中國區(qū)總經(jīng)理 致力拓展中國市場

    Altium Limited宣布任命曹建靜擔任中國區(qū)總經(jīng)理。此次任命是 Altium 公司繼續(xù)開拓中國市場的重大舉措之一。 Altium 公司憑借其早期的 Protel 印刷電路板 (PCB) 軟件在中國板級市場處于領先地位。該軟件在中國市場持續(xù)銷售超過 10 年。Altium 公司于 2003 年在上海開設了辦事處，并于 2005 年建立了一家外商獨資企業(yè) (WOFE)。截止 2007 年 6 月 30 日的財年中，Altium 公司在中國的銷售增長了大約 150%。 作為中國區(qū)總經(jīng)理，曹先生將為公司在中國市場下一階段預計增長中指明發(fā)展方向，并指導公司滿足日益增長的客戶群的需求。 曹先生表示：“能夠成為 Altium 團隊的一員，我感到非常高興。我們會一如既往地為客戶提供優(yōu)質的服務，并不斷變革電子產(chǎn)品設計方法?！? “我們的任務是提升 Altium Designer 6 的銷量，并在中國市場不斷的壯大。Altium Designer 6 的統(tǒng)一架構可簡化電子系統(tǒng)設計、新技術運用以及將電子設計過程與公司其它部門相結合等任務?！?“同樣令我感到驕傲的是，我們在中國市場上擁有世界級的解決方案，可幫助我們的客戶取得更大的成功?！?曹先生將他超過 15 年的工作經(jīng)驗帶到了 Altium 公司。在加盟 Altium 公司之前，曹先生曾擔任海波龍解決方案公司北亞業(yè)務開發(fā)總監(jiān)兼中國區(qū)總經(jīng)理長達 5 年。此外，他還曾在兩家業(yè)界領先的公司 SAS 和 Tyco 公司擔任高級管理和營銷職位。曹先生畢業(yè)于復旦大學，獲英語語言文學碩士學位，并留校任教；后來又畢業(yè)于美國紐約州大學和美國圣路易斯華盛頓大學，分別獲跨文化研究碩士學位和 MBA學位。

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  • 新一輪投票順利過關 閃聯(lián)將成國際標準

        中國閃聯(lián)標準國際化戰(zhàn)略近期取得重大突破。記者獲悉，閃聯(lián)國際標準提案在ISO/IEC（國際標準化組織/國際電工委員會）經(jīng)過長期的艱苦談判和積極溝通，克服種種困難，獲得了來自美國、日本、韓國、法國、英國等信息領域強國的支持，在最新一輪的FCD國際投票中順利過關，中國閃聯(lián)標準即將成為全球3C（計算機、通訊和消費電子產(chǎn)品三類電子產(chǎn)品的簡稱）協(xié)同領域中、來自中國的第一個國際標準。  　　3C協(xié)同是全球電子信息化產(chǎn)業(yè)發(fā)展的共同趨勢，中國閃聯(lián)標準則是我國企業(yè)打破國際標準壁壘和技術壟斷、搶占未來國際電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略制高點的重要力量。閃聯(lián)標準加速推進和產(chǎn)業(yè)化進程全方位跟進，離不開民族產(chǎn)業(yè)巨頭的推動。作為“閃聯(lián)”標準最早倡導廠商之一，長城電腦相關負責人表示：“4年前憂心于從數(shù)字電視到DVD、3C產(chǎn)業(yè)專利風波不斷，沒有標準制定權，市場又缺乏廣泛的認同感，意味著喪失了巨大的市場和經(jīng)濟利益；IT設備之間的互通互聯(lián)則是信息產(chǎn)業(yè)領域的制高點，誰能在此占據(jù)一席之地，誰就能夠在競爭中占據(jù)主導地位。同時，對于國內企業(yè)來說，標準的制定已經(jīng)成為其應對加入WTO后新競爭格局的重要手段，單純的專利已經(jīng)不能滿足競爭發(fā)展需要，構建以標準為核心的知識產(chǎn)權體系已經(jīng)成為企業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展的重要手段?！?nbsp; 　　據(jù)了解，為了讓“閃聯(lián)”給百姓生活帶來實實在在的數(shù)字生活，長城電腦在閃聯(lián)的事情上，表現(xiàn)得非常積極。目前，長城所有的筆記本電腦、臺式機電腦，都已經(jīng)預裝了閃聯(lián)的相關軟件。  　　另據(jù)相關部門預測，預計至2007年底閃聯(lián)產(chǎn)品累計銷量將突破500萬臺。中國閃聯(lián)成為全球3C協(xié)同領域的國際標準，將促進閃聯(lián)在3C市場的全面啟動。

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  • Tensilica在CoWare平臺集成鉆石106Micro

    Coware公司和Tensilica公司日前共同宣布，在CoWare平臺架構中集成Tensilica公司可授權的業(yè)界最小的32位處理器IP核—Diamond Standard 106Micro。該集成為設計工程師提供了一流的ESL 2.0解決方案，使其能夠采用Tensilica公司處理器IP核進行平臺架構設計、平臺驗證和軟件開發(fā)，從而開發(fā)出市場上最小面積、最低功耗和最高性能的產(chǎn)品。 該最新集成將CoWare和Tensilica之間獨特的合作關系擴展到完整的鉆石標準系列和Xtensa可配置處理器產(chǎn)品線。Tensilica處理器IP核已在CoWare平臺架構上被設計工程師廣泛使用，以進行關鍵設計部分：架構及其性能分析，如軟件執(zhí)行、存儲器架構和總線占用，從而更快速開發(fā)出更好的設計產(chǎn)品。 Tensilica市場副總裁Steve Roddy表示，“我們雙方的客戶都認識到采用CoWare強大的工具和其對ESL 2.0的支持可提高開發(fā)效率。通過與CoWare公司一起工作，我們能夠幫助客戶顯著縮短SoC平臺設計周期。” CoWare公司IP和第三方關系部市場經(jīng)理Tom De Schutter表示，“通過支持這一小型、低功耗、高效的處理器，我們能為客戶在其設計產(chǎn)品中提供另一項業(yè)界領先的處理選項。大量的超大系統(tǒng)公司正在采用CoWare公司的ESL2.0解決方案來使用Tensilica公司的IP核?！?Diamond Standard 106Micro IP核在65納米GP工藝下少于1平方毫米，功耗僅0.029 mW/MHz。這使其在非常小的面積下能夠得到驚人的750 Dhrystone MIPS的性能。Diamond Standard 106Micro對于那些想從8位和16位控制器升級為32位處理器以取得額外的性能和C級編程靈活度的設計工程師，以及那些需要一個小型高效系統(tǒng)或子系統(tǒng)級控制器來開發(fā)從外圍設備和接口設計到網(wǎng)絡設備、汽車電子、工業(yè)控制以及諸如玩具、游戲和娛樂設施等消費類電子產(chǎn)品等應用的設計工程師來說，特別具有吸引力。

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  • 奇夢達擬削減200毫米晶圓產(chǎn)量 影響波及英飛凌

    奇夢達(Qimonda)將削減其200毫米晶圓產(chǎn)量，并專注于300毫米產(chǎn)品。此舉將影響奇夢達在美國里士滿市和德國德累斯頓的工廠，以及母公司英飛凌(Infineon)。 為了改善生產(chǎn)力，處于虧損之中的奇夢達日前宣布，已取消與英飛凌之間的200毫米晶圓供應協(xié)議，從2008年3月1日開始生效。該生產(chǎn)線的最后一批晶圓將在明年2月底開始生產(chǎn)。 此外，奇夢達將把它在里士滿工廠的初始晶圓產(chǎn)量降低15%左右。同時，里士滿的生產(chǎn)將轉向80納米工藝。由于上述兩項措施的影響，奇夢達300毫米晶圓的產(chǎn)量比例將上升至90%左右。 英飛凌在一個記者會上表示，奇夢達撤出英飛凌在德累斯頓的生產(chǎn)活動，將影響產(chǎn)能利用率并導致裁員。每家公司將終止與300名工人的合同，總計裁員600人。這兩家公司表示，只有來自臨時職業(yè)介紹所的工人才會受到影響。英飛凌的一位發(fā)言人表示：“我們的目標是不裁減長期職工?！?在德累斯頓，奇夢達目前雇用大約3,000名工人，多數(shù)從事300毫米晶圓生產(chǎn)。在同一個廠址，英飛凌經(jīng)營著自己的邏輯芯片生產(chǎn)，有2,300名員工。 英飛凌把奇夢達的舉動作為從內存生產(chǎn)轉向邏輯芯片生產(chǎn)的最后一步。據(jù)英飛凌最近公布的季度報告，汽車、工業(yè)和通訊客戶對于邏輯器件的需求不斷上升。

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  • 新發(fā)現(xiàn):超絕緣體或與超導體共組無熱量電路

    超導金屬的工作原理是將電子綁成庫伯對(Cooper pair)，其運動能夠耦合為長串的電子。這些電子與導體的點陣振動在冷卻到接近絕對零度時同步，這樣就避免與形成電阻的金屬原子發(fā)生碰撞。  布朗大學(Brown University)的研究人員James Valles宣布在被冷卻到接近絕對零度、具有無限大電阻的超絕緣體中發(fā)現(xiàn)了庫伯對。超絕緣體在將來可能與超導體一起共同形成完全不產(chǎn)生熱量的超級電路。布朗大學的研究人員通過將超導金屬鉍制成只有四個原子厚的薄膜模板從而發(fā)現(xiàn)了超絕緣體。這種薄膜上打上50納米的小洞，這樣就形成將鉍從超導體變成超絕緣體的條件。  研究人員目前正在探索形成一種理論，既能解釋超導體理論(rival the theory of superconductivity)，又能說明超絕緣體的的工作原理。到目前為止，他們的理論認為，當作為超絕緣體時，庫伯對被鎖定在一起，而不是連接成串。  接下來，布朗大學的研究人員希望為超導線制成絕熱的超絕緣體，然后與超導體結合在一起形成超導電路。研究人員認為，利用具有無限阻力的材料的量子效應能發(fā)展出新型的器件。 

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  • 閃聯(lián)發(fā)表聲明 否認ISO/IEC投票“誤導媒體”

        近日有媒體爆料，稱閃聯(lián)在通過ISO/IEC投票問題上“混淆視聽，偷換概念，系誤導媒體”。隨后，閃聯(lián)標準工作組發(fā)布聲明指出，投票的每一部分都必須單獨經(jīng)過審批流程，該傳言“犯了常識性錯誤”，甚至“別有用心”。  　　近日，閃聯(lián)國際標準提案(ISO/IEC)經(jīng)過長期談判和溝通，在新一輪FCD國際投票中過關。就此，中國閃聯(lián)標準終將成為全球3C協(xié)同領域的第一個國際標準。  　　閃聯(lián)聲明全文如下：  　　一、在信息產(chǎn)業(yè)部、國家發(fā)改委、國家標準化委員會、北京市政府等政府領導的支持下，超過100家企業(yè)的積極參與下，閃聯(lián)標準的制定工作一直在快速推進中，并取得了顯著的成果。閃聯(lián)標準的內容涵蓋了3C領域的許多方面，不斷有新內容被充實到標準族里，所以，我們每年都向國家標準化委員會提交新的標準提案，條件成熟時即向國際標準組織遞交提案，每一部分都必須單獨經(jīng)過審批流程。到目前為止，除了“測試規(guī)范”部分已經(jīng)通過最終委員會草案（FCD）投票，“基礎協(xié)議”部分經(jīng)過磋商很快可以通過FCD投票外，閃聯(lián)還有三個提案進入委員會草案（CD）投票階段?？梢哉f，在未來的幾年里，閃聯(lián)都將不斷有新的提案通過國際標準化組織的審批。這些基本知識是所有參與過國際標準化組織工作的人都應該清楚的。  　　二、閃聯(lián)測試規(guī)范是整個閃聯(lián)標準中的核心之一，一個標準要真正應用到產(chǎn)業(yè)中成為事實標準，標準的一致性測試認證至關重要，唯有把好這一關才能確保標準能在不同品牌、不同廠商、不同類型的產(chǎn)品上大規(guī)模商用。所以，這一部分率先通過FCD投票，在同類標準中還是第一個，也填補了中國信息產(chǎn)業(yè)領域很長時間的一個空白；同時將極大的加速閃聯(lián)產(chǎn)業(yè)化的進程，對標準的其它部分的推進也起到了積極的作用。對此，政府主管部門、業(yè)界和媒體都深表高度贊揚和肯定。  　　三、閃聯(lián)在幾年的發(fā)展過程中，特別是沖擊國際標準的過程中，遇到過許許多多的困難，我們都能一一克服。最讓我們困惑的是，最大的困難居然是來自于國內個別不健康的聲音和行為的不斷干擾！個別別有用心的人不是把心思精力用在做好自己的事情，而是上竄下跳，從國內到國外，制造各種事端，千方百計阻撓閃聯(lián)的發(fā)展。特別是當閃聯(lián)作為代表中國的標準，在爭取國際標準的過程中，卻有來自國內的不和諧聲音，在國際上造成極壞的影響。我們奉勸這個別人還是踏踏實實把自己的工作做好，不要試圖通過詆毀他人，來轉移自身的壓力。我們希望看到的是中國人更多地到國際舞臺上發(fā)揮作用，而不是這種內耗。  　　四、對于個別人在媒體上發(fā)布的言論，我們認為不是犯了常識性錯誤，就是別有用心，稍有常識的人自能明辨其中是非，認清事實真相。我們不需做具體的回應。我們歡迎來自各界朋友的善意批評和建設性意見，支持我們和更多的企業(yè)一起，做好閃聯(lián)，為國家增光，為行業(yè)增利。  　　借此機會，再次感謝來自于國家有關部門的一貫支持，感謝業(yè)界和媒體朋友的一貫支持。  　　閃聯(lián)標準工作組  　　2007年12月3日

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  • 速度超快 三星計劃明年量產(chǎn)GDDR5新型顯存

        據(jù)國外媒體報道，三星電子公司打算在明年開始量產(chǎn)新型顯存。與現(xiàn)行顯存芯片相比，新顯存芯片電力銷售較少，運行速度則大大提高。  　　新顯存芯片名為GDDR5(雙通道圖形顯示）。新芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度可達6Gbps，而目前最快顯存GDDR4的數(shù)據(jù)傳輸速度是3.2Gbps。與目前應用最廣泛的GDDR3相比，新型顯存的優(yōu)勢更為明顯，因為GDDR3的傳輸速率僅為1.6Gbps。  　　三星公司稱，較快的數(shù)據(jù)傳輸速度意味著GDDR5的數(shù)據(jù)處理容量最大可達24Gbps，而GDDR3和GDDR4的數(shù)據(jù)處理容量分別為6.4Gbps和9.6Gbps。這種更大規(guī)模的數(shù)據(jù)處理能力可使GDDR5在游戲和其他應用中顯示出更逼真和更細致的圖形。 三星公司還說，新芯片電耗為1.5伏，比GDDR3節(jié)電20%。  　　三星已從上月開始向圖形處理器制造商提供GDDR5芯片，公司打算在明年上半年開始進行量產(chǎn)。  　　GDDR5顯存將首先用于高端游戲系統(tǒng)，這類系統(tǒng)的用戶愿意為更好的圖形支付額外費用。三星未透露新芯片的價格。

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  • 東芝搶購索尼Cell生產(chǎn)設備擴充份額

        據(jù)國外媒體獲悉，據(jù)iSuppli2007年全球半導體廠商銷售額排名預估，2007年全球半導體市場將比上一年增加4.1％。由于游戲機用高性能半導體“Cell”的供貨量持續(xù)增加，索尼從第十四位上升到第八位。東芝計劃在2008年春季之前收購索尼的Cell生產(chǎn)設備，因此，東芝的市場份額明年很可能將進一步提高。 　　此外，瑞薩科技下降了一個位次，排在第七位，NEC電子也從第十一位跌落到第十三位。一直持續(xù)增產(chǎn)DRAM的爾必達內存則上升一位，排在第十八位。

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  • 美科學家新發(fā)現(xiàn)：新型碳晶體管勝過非晶硅！

    在室溫處理半導體的技術可能使諸如電子布告板這樣的大規(guī)模應用以及像可任意使用的RFID標簽這樣的超低成本應用成為可能。但是，大多數(shù)室溫晶體管具有幾百cm2/Vs(平方厘米/電壓.秒)的低電子移動率。  現(xiàn)在，喬治亞州科技大學的研究人員聲稱，通過利用碳-60(C-60)薄膜—也稱為巴克球或富勒思—制作晶體管的溝道，找到了一種制作比非晶硅速度快100倍的室溫晶體管的完美方法。  “我們并沒有聲稱我們是第一家在室溫下制作C60晶體管的實驗室，”喬治亞科技大學的教授Bernard Kippelen說，“我們工作的創(chuàng)新在于：我們能夠證明在室溫處理下獲得3-5cm2/Vs這么高的移動率的同時，能夠獲得良好的可再現(xiàn)性、良好的穩(wěn)定性、低閥值電壓以及大的開關電流比?！?nbsp; 全球的實驗室均在追蹤研究室溫處理技術，以便利用廉價、高產(chǎn)的滾轉壓力及噴墨打印技術，制造大型顯示器以及像RFID這樣的低成本應用產(chǎn)品。那樣就不需要清潔室這樣昂貴高價的處理設備。許多方法在利用有機材料制作晶體管的同時，嘗試利用新材料的形成來增加電子移動率的途徑。  其它一些方法已經(jīng)實現(xiàn)了高于喬治亞科技大學小組的電子移動率，但是，只是通過高溫創(chuàng)建有機晶體管。Kovio公司已經(jīng)為利用滾轉制造技術，通過噴墨方法開發(fā)了用于制造薄膜晶體管的無機硅，盡管制作溫度遠遠高于塑料襯底能夠承受的溫度。  雖然沒有實現(xiàn)高溫方法所能達到的電子移動率(Kovio公司聲稱電子移動性與多晶硅一樣好)，喬治亞科技大學實現(xiàn)的電子移動率已經(jīng)優(yōu)于非晶硅。它的一個潛在應用就是作為僅僅要求16ms刷新率的服務顯示器。此外，它們可以被印制在廉價的塑料襯底上。  構建在幾年的設計改進上，Kippelen聲稱他的小組已經(jīng)確定了需要在低溫下針對高電子移動率進行最優(yōu)化的材料和參數(shù)。“我們的工作建立在對有機半導體進行純化和處理的幾年研究經(jīng)驗之上，”Kippelen說，“對柵極介質以及電極金屬的選擇也起到了重要作用。”  Bernard Kippelen教授(中)在晶體管項目上與喬治亞科技大學的研究科學家Benoit Domercq以及博士候選人Xiao-Hong Zhang攜手合作。  為方便起見，演示器件是在硅襯底上制作的，但是，研究人員聲稱，他們的有機C60晶體管使用的所有元素均在室溫下制成。用于晶體管的金屬電極是利用跟有機發(fā)光二極管以及塑料太陽能電池制作所采用的透明工藝一樣的工藝沉積而成。  “我們的電極是利用遮光板以及熱蒸發(fā)工藝在有機半導體的頂層制成的，”Kippelen說，“通過保持金屬源極和襯底之間的距離足夠大(3英寸)，讓襯底在沉積過程之中不會過熱。”  下一步，研究人員將探索證明制作n溝道和p溝道晶體管的方法，以便利用室溫有機材料制成用于有源矩陣顯示器的CMOS反相器、振蕩器、邏輯門以及驅動器等類似的輔助電路。  “用塑料襯底取代硅襯底也是我們將來研究計劃的一個組成部分，”Kippelen說。  采用C60制作晶體管溝道的一個缺點在于它們對氧氣敏感，意味著這種器件必須在氮氣環(huán)境中工作。研究人員計劃通過重新形成富勒思分子并把器件封裝中的空氣排掉來解決這個問題。 

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  • 競爭力使2007年半導體廠商見輸贏

    英特爾、索尼、東芝和高通閃亮iSuppli初步排名榜 iSuppli公司按2007年全球半導體市場份額預估制作的初步排名榜，顯示各公司在各自市場領域中的表現(xiàn)相差懸殊，表明在半導體銷售增長放緩之際，那些擁有卓越執(zhí)行能力或者一直能比較好地利用產(chǎn)業(yè)趨勢或事件的廠商，表現(xiàn)優(yōu)于整體市場及其競爭對手。 英特爾表現(xiàn)不俗 例如，據(jù)iSuppli公司的初步排名，全球最大的半導體供應商——美國英特爾2007年芯片銷售額預計增長7.7%，從2006年的315億美元上升到339.7億美元。其2007年銷售額增長率高于整體半導體市場的4.1%，而且讓它在PC微處理器領域中的對手——美國AMD相形見絀。預計2007年AMD銷售額下降22.7%。  “在今年的大部分時間里，由于雙核及四核芯片產(chǎn)品取得成功，英特爾守住了第一季度在PC微處理器市場從AMD手中奪得的大部分市場份額，”iSuppli的市場情報副總裁Dale Ford表示，“這相當于2006年的情形完全逆轉，當時AMD利用其受歡迎的雙核處理器從英特爾手中奪下了許多市場份額?！? 2007年英特爾市場份額從2006年的12.1%上升到12.5%。 繼去年有史以來首次進入10大半導體廠商排名榜之后，AMD的銷售額下滑，預計將使其2007年排名從2006年的第8降至第11位。預計2007年AMD半導體銷售額將從2006年的75億美元下降到58億美元。 表1所示為iSuppli公司對2007年全球20大半導體供應商的初步排名 索尼與東芝贏在視頻游戲領域 廠商自身情況決定其市場表現(xiàn)的另一個例子是消費電子巨頭——日本索尼，預計2007年它的半導體銷售額增長56.8%，這是當年全部20大半導體供應商中最高的增長率。相比之下，預計2007年整體消費電子半導體銷售額僅增長8.9%。 索尼的銷售額增長幾乎全部來自用于該公司PlayStation 3游戲機的芯片銷售。該公司2007年半導體銷售額預計從2006年的51億美元上升到80億美元。 日本東芝也向索尼提供用于PlayStation 3游戲機的半導體，預計2007年該公司在全球半導體產(chǎn)業(yè)中也將有出色的表現(xiàn)。其銷售額料增長24.1%，該增長速度在20大芯片廠商中排在第二位。 “PlayStation 3所帶動的芯片銷售，是推動2007年日本半導體產(chǎn)業(yè)增長速度快于全球市場的主要因素，”Ford表示，“2007年總部在日本的半導體廠商所創(chuàng)造的營業(yè)額，預計增長11.9%，在全球所有地區(qū)中增長最快。” 日本芯片供應商瑞薩科技和NEC電子的銷售額預計分別增長3%和下降0.8%，顯然，索尼和東芝是推動日本半導體產(chǎn)業(yè)增長的主要力量。 表2所示為iSuppli按公司總部所在地對全球半導體銷售額進行的初步估計。 索尼已宣布簽署了一項協(xié)議，將把其用于PlayStation 3的Cell微處理器生產(chǎn)業(yè)務轉讓給東芝。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計方法，如果這項交易在今年底以前完成，則索尼在該領域的2007年芯片銷售額將轉到東芝名下。 在這種情況下，東芝將拉大其領先全球第三大半導體供應商德州儀器的距離，而索尼的排名則將跌出前10。 高通排名高升，德州儀器與飛思卡爾下降 另一個有關廠商走勢分化的例子是，無半導體半導體供應商的表現(xiàn)好壞不一。 預計美國高通的2007年銷售額增長率達23.7%，是20大半導體供應商中的第三高增長率。其銷售額將從2006年的45億美元上升到56億美元。高通的排名將從2006年的第16上升到第12位。 高通的增長完全來自面向手機和基礎設施的半導體銷售大幅增長。同時，德國英飛凌2007年銷售額有望增長14.6%，其中多數(shù)增長來自無線通訊半導體銷售額的上升。 但是，45%以上銷售額來自無線通訊芯片的美國德州儀器，它2007年全球半導體銷售額預計下降3.4%。 “預計2007年全球無線半導體銷售額增長4.3%，這些廠商的表現(xiàn)好壞不一，主要是因為特殊事件造成的：諾基亞決定使其供應基礎多元化，”Ford表示，“諾基亞是全球最大的手機廠商，歷史上一直把德州儀器幾乎當作其獨家無線基帶供應商。但是，諾基亞采取了一項戰(zhàn)略性行動，增加其它基帶供應商，降低對德州儀器的依賴程度。這使英飛凌等廠商受益，卻打擊了德州儀器的銷售?！? 同時，手機半導體供應商——美國飛思卡爾2007年芯片銷售額預計下降10.7%。這主要是由于飛思卡爾最大的客戶摩托羅拉表現(xiàn)不佳。2007年在手機銷售方面，摩托羅拉的市場份額不斷被諾基亞和三星侵占。 iSuppli微幅提高2007年全球半導體市場增長率預測 iSuppli現(xiàn)在預測，2007年全球半導體銷售額增長4.1%，從2006年的2602億美元上升到2709億美元。該預測略高于iSuppli在9月預測的3.5%。 “第三季度全球半導體銷售額預計比第二季度增長11.9%，非常接近iSuppli預測的9.9%，”Ford表示，“由于第三季度市場表現(xiàn)略好于預期，iSuppli把它對全年銷售額增長率的預估微幅提高了0.6個百分點。”

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  • 電容器市場未來五年趨向薄膜貼片類

    隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，人們對各類電子產(chǎn)品的電磁兼容性與可靠性、安全性提出了更高的要求。這就極大地促進了EMI對策電子元件與電路保護電子元件的飛速發(fā)展，成為電子元件領域中的一個熱點，引起人們的極大關注。這類電子元件品種繁多，雖然近兩年沒有出現(xiàn)什么特別令人注目的新發(fā)明、新品種，但是這類電子元件型號規(guī)格的增多、參數(shù)范圍的擴大以及抑制電磁干擾能力和保護電路能力的提升都非常顯著。特別是在這類電子元件的應用方面，應用范圍的迅速擴大與需求量的急劇上升，都是十分驚人的。 EMI對策元件的新進展  1．微小型化  迫于電子產(chǎn)品向更小、更輕、更靈巧的方向發(fā)展，EMI對策元件繼續(xù)向微小型化發(fā)展，如片式磁珠和片式電容器的主流封裝尺寸已經(jīng)逐步從1608（0603）過渡到1005（0402）；又如日本村田新發(fā)布的3繞組共模扼流圈的尺寸僅為2.5mm×2.0mm×1.2mm；在3.2mm×1.6mm×1.15mm的尺寸內封裝了兩個共模扼流圈陣列。  2．高頻化  目前，電子產(chǎn)品向高頻化發(fā)展的趨勢十分明顯，如計算機的時鐘頻率提高到幾百兆赫乃至千兆赫；數(shù)字無線傳輸?shù)念l率也達到2GHz以上；無繩電話的頻率從45MHz提高到2400MHz等，因而由高次諧波引起的噪聲也相應出現(xiàn)在更高的頻率范圍，EMI對策元件也隨著向高頻化發(fā)展，例如，疊層型片式磁珠的抑制頻率提高到GHz范圍。國內南虹、順絡、麥捷以及國外的Murata、TDK、Taiyo－yuden、AEM、Vishay等公司都已推出性能優(yōu)良的GHz片式磁珠，其抑制噪聲頻率在600MHz～3GHz，滿足了高速數(shù)字電路的要求；村田的3端片式穿心陶瓷電容器的抑制頻率范圍為3MHz～2000MHz；TDK開發(fā)的1005（0402）片式電感器.電感器的使用頻率達到12GHz。  3．復合化和多功能化    在電子產(chǎn)品中經(jīng)常有排線部位，如I/O排線。為了使用方便，節(jié)省PCB面積，加快表面貼裝速度，一些片式EMI對策元件已經(jīng)陣列化。在1個封裝內通常含有2、4、6、8個EMI對策元件。此外，將不同功能的EMI對策元件組合在1個封裝內，達到多功能的目的。如將噪聲抑制功能與靜電放電保護功能組合在一起；將電容器與電感器或電阻器組合在一起；將共模噪聲抑制與差模噪聲抑制組合在一起等，都體現(xiàn)了向多功能化發(fā)展的趨勢。  4．新材料和新元件  眾所周知，尖晶石型軟磁鐵氧體和BaTiO3基陶瓷材料在EMI對策中占有十分重要的位置。近年來，又開發(fā)出一些新型材料，可用于抗電磁干擾，如6角晶系鐵氧體材料、金屬磁粉材料、非晶及超細晶金屬磁性材料、高分子磁性材料、高分子介質材料、復合介質材料及納米材料等。這些新型材料將在電磁兼容領域嶄露頭角，值得人們密切關注。

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  • 富士康稱中國九成實用新型專利為垃圾專利

        晨報訊 (記者 田野) 中國企業(yè)的創(chuàng)新能力依然存在很大差距，在昨天的“創(chuàng)新型國家建設與知識產(chǎn)權研討會”上，信息產(chǎn)業(yè)部電子知識產(chǎn)權咨詢服務中心主任趙天五認為，“國內的一流企業(yè)和三星差距在15年到20年”。隨后，全球最大電子代工企業(yè)富士康有關專家更拋出驚人觀點——中國90%的實用新型專利都應該撤銷。 　　富士康集團知識產(chǎn)權管理處處長傅紹明認為，目前中國的很多實用新型專利都是“垃圾專利”，很多都是在原來的基礎上稍做粗糙改良、倉促上馬并快速通過的，“90%的實用新型專利都應該撤銷”。 　　所謂實用新型專利，是和發(fā)明以及外觀設計并列的三種專利類別之一，是指對產(chǎn)品的形狀、構造或者其結合所提出的適于實用的新的技術方案。 　　傅紹明昨天的表態(tài)顯然頗具轟動效應。因為權威數(shù)據(jù)顯示，僅2006年，我國的實用新型專利數(shù)量就高達161366件。 　　原北京市一中院知識產(chǎn)權庭庭長、中國政法大學教授張廣良指出，我國許多企業(yè)依然處于有“制造”無“創(chuàng)造”的“非知識產(chǎn)權”的模糊狀態(tài)。他警告說，如果一旦發(fā)生糾紛，企業(yè)必然陷入兩難境地。 

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  • 21IC廣招英才記者，快來加入呀！

    您經(jīng)常留意周圍發(fā)生的趣聞軼事嗎？您具備調查坊間傳聞的能力嗎？您能令妙筆生花嗎？您原意和網(wǎng)友分享您的所見所聞嗎？您夢想過美名遠揚嗎？您希望包里再多幾張零花錢嗎？如果您能答出四個是，那么請加入21IC兼職記者的隊伍吧！ 為加強21IC的新聞報道能力，更廣泛、深入地挖掘網(wǎng)友真正關心的中國電子行業(yè)的熱點事件，21IC決定在各地招募兼職記者。 崗位描述：捕捉、跟蹤、報道電子行業(yè)（尤其是所在城市）的重大或有趣事件，將稿件及時發(fā)給本站編輯。記者需署真實名字，并為所發(fā)表作品的真實性負責。 作品要求：必須有文字描述。最好附有圖片或視頻。樣品：深圳治理電子市場 賽格華強人去樓空 投稿方式：E-mail至guo#21ic.com。最好先壓縮，文件最好不大于800K，文件以Word格式為佳。如用純文本格式，請將圖片與文本文件打包發(fā)送，并注名相關圖片名稱和位置。請注明真實姓名、身份證號、電話和郵寄地址，以便發(fā)放稿酬。 職業(yè)操守：所報道事件必須真實有據(jù)，不得捕風捉影。所有作品必須是原創(chuàng)，并從未在其他網(wǎng)站或刊物上發(fā)表過。嚴禁剽竊。有上述行為者將被取消記者資格。 薪酬方式：按字數(shù)、圖片或視頻數(shù)量及點擊量綜合核算。典型稿件（1000字、一幅圖）的稿酬為100元。 其他要求：名額：不限年齡：不限性別：不限身高：不限容貌：不限城市：不限學歷：不限專業(yè)：不限 注：21IC保留錄用和編輯稿件的權利。來稿一經(jīng)采用，版權歸21IC與作者共同所有。

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