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新唐科技發(fā)布高功率紫外激光二極管(379 nm，1.0 W)
阻力無掩膜光刻技術以其高精度和高生產效率適用于先進半導體封裝
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Imec展示首個采用EUV光刻技術的晶圓級固態(tài)納米孔制造工藝
這項突破性技術使生命科學和醫(yī)療保健領域實現可擴展、高精度的生物傳感器應用成為可能 比利時魯汶2025年12月10日 /美通社/ -- Imec首次成功在300毫米晶圓上采用EUV光刻技術制造晶圓級固態(tài)納米孔。 這項創(chuàng)新將納米...
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不一樣的展會，不一樣的精彩：2025灣芯展順利收官
深圳2025年10月17日 /美通社/ -- 10月17日，2025灣區(qū)半導體產業(yè)生態(tài)博覽會（2025灣芯展）在深圳會展中心（福田）圓滿收官。全球600多家展商、超30場論壇，在6萬平方米的展區(qū)內，打造一場"不一樣的展會"，呈現出"不一樣的精彩&qu...
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思坦科技助力深紫外Micro-LED顯示無掩膜光刻技術榮登Nature Photonics
深圳2024年10月18日 /美通社/ -- 由思坦科技與南方科技大學、香港科技大學、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合攻關的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 顯示的無掩膜光刻技術，于10月15日正式在國際頂尖權威學術期刊 Nature Pho...
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光刻技術的基本原理是什么？主要有哪些應用？
光刻技術是一種常用于半導體制造過程中的關鍵技術。它是通過使用光刻機將設計好的芯片圖形投射到半導體材料表面，并進行一系列加工步驟，最終形成微米級別的芯片結構。本文將詳細介紹光刻技術的基本原理以及主要應用。
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在當下的半導體先進制程領域中，三星、英特爾、臺積電三足鼎立，各有千秋
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導體業(yè)界首個代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預計2022年量產的3納米，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程，這是臺積電邏輯制程激蕩的35年。
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在當下半導體先進制程領域中，三星、英特爾、臺積電三足鼎立各有千秋
如果說臺積電成功的首要原因是是開創(chuàng)了半導體業(yè)界首個代工的模式，那么，持續(xù)不斷的在邏輯制程上的自主研發(fā)，則是維持臺積電一直成功前行的燃料。從1987年的3微米制程到預計2022年量產的3納米，臺積電平均2年開發(fā)一代新制程，這是臺積電邏輯制程激蕩的35年。
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可編程邏輯件概述
可編程邏輯器件 英文全稱為：programmable logic device 即 PLD。PLD是做為一種通用集成電路產生的，他的邏輯功能按照用戶對器件編程來確定。一般的PLD的集成度很高，足以滿足設計一般的數字系統(tǒng)的需要。
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光刻技術的工藝流程和曝光系統(tǒng)
集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發(fā)展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級(從毫米級到亞微米級)，已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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中科院辟謠：5nm光刻技術被誤讀，國產水平在180nm
今年 7月份，中科院發(fā)表的一則《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關注。 當時，華為正被美國打壓，中國芯片產業(yè)成為了國人的心頭憂慮。 因此，中科院此新聞一出，遭部分媒體夸張、誤解之后，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為“中國不用EUV光刻機，便能制造出5nm芯片”，但事實并非如此。
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5nm光刻技術突破ASML壟斷？中科院研發(fā)者回應，真相是這樣的！
近日，中國科學院官網上發(fā)布的一則研究進展顯示，該團隊研發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，隨后這被外界解讀為，已經5nm ASML的壟斷，對此相關人士也是進行了回應。
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深度：光刻技術的?歷史與現狀
集成電路的飛速發(fā)展有賴于相關的制造工藝—光刻技術的發(fā)展,光刻技術是迄今所能達到的最高精度的加工技術。集成電路產業(yè)是現代信息社會的基石。集成電路的發(fā)明使電子產品成本大幅度降低，尺寸奇跡般減小。
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泛林集團推出全新適用于200mm的光刻膠剝離技術
泛林集團旗下GAMMA?系列干式光刻膠剝離系統(tǒng)推出最新一代產品，將該系列GxT?系統(tǒng)晶圓加工能力從300mm拓展至200mm。
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EV Group通過LITHOSCALE技術實現無掩膜光刻技術在批量生產中的運用
該系統(tǒng)整合了EV Group的MLE?（無掩膜曝光）技術的LITHOSCALE?，使多種應用和市場得以利用數字光刻技術的優(yōu)勢。
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美國國防部資助了一項新的光刻技術項目
Multibeam Corporation 確認已開始一項雄心勃勃的項目，以應用其創(chuàng)新的Multicolumn電子束光刻技術（MEBL）對45nm及更大節(jié)點上的整個晶圓進行構圖，無需使用任何光罩，即可進行后端（BEOL）處理。
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臺積電加速研發(fā)2nm工藝：成本可輕松超10億美元
這幾年，天字一號代工廠臺積電一路高歌猛進：7nm工藝上獨步天下，5nm工藝也正在量產，3nm工藝就在不遠處，2nm工藝也正在藍圖上鋪開…… 在最新的2019年年報中，臺積電
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扇出型封裝技術難題
現在的技術的發(fā)展也推動著封裝技術的不斷發(fā)展。先進封裝技術已進入大量移動應用市場，但亟需更高端的設備和更低成本的工藝制程。更高密度的扇出型封裝正朝著具有更精細布線層的復雜結構發(fā)展，所有這些都需要更強大的光刻設備和其它制造設備。
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我科學家另辟蹊徑造出9納米光刻試驗樣機
記者從武漢光電國家研究中心獲悉，該中心甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠場光學的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段，實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。
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7nm EUV芯片來臨！三星宣布今年6月開啟大規(guī)模生產
據businesskorea報道，三星電子將于今年6月開始大規(guī)模生產7納米(nm)極紫外(EUV)芯片。
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科學家開發(fā)微電池 有望實現設備小型化
通過結合3D全息光刻和2D光刻技術，美國伊利諾伊大學厄巴納—香檳分校的科學家日前開發(fā)出一種適用于大規(guī)模集成電路的高性能3D微電池。研究人員稱，這種微型高能電池具有
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