光刻技術(shù)

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隨筆：EUV光刻技術(shù)與協(xié)和式超音速客機(jī)的奇妙類比

與我們熟悉的摩爾定律類似，如果采樣對比的時(shí)間長度足夠短，那么幾乎任何科技發(fā)展的速度都會(huì)呈現(xiàn)出一種對數(shù)級的線性增長。有些業(yè)內(nèi)人士總是喜歡將其所在業(yè)界的發(fā)展歷史趨勢總結(jié)為與摩爾定律類似的形式，希望業(yè)界的未

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2011-07-27

超音速光刻技術(shù) EUV 摩爾定律
MIT實(shí)現(xiàn)9納米工藝電子束光刻技術(shù)

麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸。MIT表示，電子束光刻工具的最小特征尺寸已證實(shí)可以解決25nm的制程

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2011-07-12

電子光刻膠 MIT 光刻技術(shù)
麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm

麻省理工學(xué)院的研究人員表示，他們已經(jīng)研制出了一種可以刻制尺寸為9nm圖像的電子束光刻技術(shù)，而此前電子束光刻技術(shù)所能刻制的圖像尺寸極限則為25nm左右.有關(guān)這次研究的詳細(xì)內(nèi)容將發(fā)表在下一期的《微電子工程》（ Mic

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2011-07-06

電子光刻光刻技術(shù) EUV
后ArF時(shí)代的光刻征途

Cost matters。用中國話說就是“成本猛于虎”。半導(dǎo)體業(yè)人士最大的夢想莫過于以最小的成本投入換取最大的回報(bào)。因此，按比例縮小、在單片晶圓上制造出更多的芯片是創(chuàng)新最強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)力，它影響著成千上萬的工程師

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2011-07-01

電子光刻 RF 光刻技術(shù)
光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。

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2011-06-23

反射 EUV光刻機(jī) 光刻技術(shù) EUV
GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進(jìn)展

GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。O

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2011-06-22

光刻 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù) EUV
光刻技術(shù)：193nm波長光源光刻技術(shù)的延壽術(shù)與緩兵之計(jì)

半導(dǎo)體工業(yè)目前的普遍做法是使用的是波長接近200nm的光源來刻制30nm尺寸級別的芯片圖像。如果按照常規(guī)的光學(xué)理論，由于所謂衍射極限的存在，200nm光源光刻技術(shù)的理論分辨率極限應(yīng)在400nm左右。然而，實(shí)際上人們

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2011-05-15

模板 PS OPC技術(shù) 光刻技術(shù)
Intel:極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過10nm工藝

Intel近日親口承認(rèn)，備受關(guān)注的極遠(yuǎn)紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計(jì)劃是在14nm工藝上擴(kuò)展193nm沉浸式光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2013年下半年實(shí)現(xiàn)，然后2015年下半

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2011-04-08

Intel 光刻紫外光光刻技術(shù)
EUV掩膜版清洗技術(shù)遭遇資金危機(jī)

本周在奧斯汀由美國半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟(Sematech)牽頭舉辦的表面制備與清潔技術(shù)大會(huì)(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,與會(huì)者紛紛表示EUV光刻技術(shù)的發(fā)展對EUV有關(guān)的量測技術(shù)以及掩膜清潔技術(shù)

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2011-03-26

電子 SE 光刻技術(shù) EUV
光刻世界的期待與沮喪

數(shù)十年來，光刻一直是關(guān)鍵的芯片生產(chǎn)技術(shù)。今天它仍然很重要。不過，在最近的SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)大會(huì)中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實(shí)上幾乎已經(jīng)有點(diǎn)像心理安慰了。焦慮、緊張

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2011-03-21

光刻 ASML 光刻技術(shù) EUV
誰才是IC大佬們的光刻技術(shù)最愛？

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-03-20

臺積電 IC GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

消費(fèi)電子
2011-03-07

芯片制造臺積電 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
Intel：極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過10nm工藝

Intel近日親口承認(rèn)，備受關(guān)注的極遠(yuǎn)紫外光刻(EUV)技術(shù)可能又要推遲了，要趕不上10nm工藝這一里程碑步驟希望渺茫。 Intel目前的計(jì)劃是在14nm工藝上擴(kuò)展193nm沉浸式光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2013年下半年實(shí)現(xiàn)，然后2015年下半年

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2011-03-06

Intel 光刻紫外光光刻技術(shù)
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

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2011-03-04

芯片制造臺積電 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

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2011-03-04

芯片制造臺積電 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略異同分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

半導(dǎo)體
2011-03-03

芯片制造臺積電 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(wù)（至少從對外公布的路線圖上看是這樣

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2011-03-03

芯片制造臺積電 GLOBALFOUNDRIES 光刻技術(shù)
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來

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2011-03-03

Intel 制程技術(shù) 光刻技術(shù) EUV
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來看

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2011-03-02

Intel 制程技術(shù) 光刻技術(shù) EUV
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢來

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2011-03-02

Intel 制程技術(shù) 光刻技術(shù) EUV

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光刻技術(shù)

隨筆：EUV光刻技術(shù)與協(xié)和式超音速客機(jī)的奇妙類比

MIT實(shí)現(xiàn)9納米工藝電子束光刻技術(shù)

麻理將電子束光刻可刻制最小圖像尺寸降至9nm

后ArF時(shí)代的光刻征途

光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

GlobalFoundries光刻專家談EUV最新進(jìn)展

光刻技術(shù)：193nm波長光源光刻技術(shù)的延壽術(shù)與緩兵之計(jì)

Intel:極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過10nm工藝

EUV掩膜版清洗技術(shù)遭遇資金危機(jī)

光刻世界的期待與沮喪

誰才是IC大佬們的光刻技術(shù)最愛？

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略

Intel：極遠(yuǎn)紫外光刻恐將錯(cuò)過10nm工藝

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略異同分析

芯片制造三巨頭的次世代光刻技術(shù)戰(zhàn)略對比分析

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

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