內(nèi)存

我要報(bào)錯(cuò)

內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

全面進(jìn)軍28nm 高通路線圖曝光

早在4月份我們?cè)?jīng)偷看過(guò)高通的一份簡(jiǎn)報(bào)，知道了他們基于Krait微架構(gòu)的MSM8930、MSM8960、APQ8064和一款尚未發(fā)布的MSM8270等處理器新品，現(xiàn)在又有一份關(guān)于下一代Snapdragon芯片的路線圖曝光。在這次曝光的路線圖中，

消費(fèi)電子
2011-07-08

路線圖內(nèi)存 TD-SCDMA
日本瑞薩決定關(guān)閉旗下一座半導(dǎo)體封測(cè)廠

日本半導(dǎo)體廠商瑞薩電子于28日董事會(huì)議程中，決定2012年3月關(guān)閉全額出資子公司瑞薩東日本半導(dǎo)體(Renesas Eastern Japan Semiconductor)底下半導(dǎo)體封測(cè)廠「東京組件本部」。過(guò)去瑞薩也曾嘗試找尋買主，可惜沒(méi)有合適的

消費(fèi)電子
2011-07-06

半導(dǎo)體組件 RENESAS 內(nèi)存
傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元，想買

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-07-05

晶圓代工臺(tái)積電驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)存
傳世界先進(jìn)出價(jià)100億新臺(tái)幣競(jìng)逐茂德中科12寸廠

茂德申請(qǐng)負(fù)債降息暫化解當(dāng)前財(cái)務(wù)危機(jī)后，引進(jìn)新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評(píng)估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2寸晶圓廠有興趣，近期已有第1個(gè)出價(jià)者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進(jìn)出價(jià)新臺(tái)幣100億元，想買

模擬
2011-07-05

晶圓代工臺(tái)積電驅(qū)動(dòng)IC 內(nèi)存
力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶

半導(dǎo)體
2011-07-04

晶圓封裝技術(shù) BSP 內(nèi)存
力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶

模擬
2011-07-04

晶圓封裝技術(shù) DDR 內(nèi)存
未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。 2011 年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24

消費(fèi)電子
2011-06-30

DRAM PC DDR3 內(nèi)存
未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于去

模擬
2011-06-30

DRAM PC DDR3 內(nèi)存
平板電腦的狂熱潮遇冷，賣場(chǎng)門面陸續(xù)出現(xiàn)倒閉

宏基15日意外宣布將今年平板電腦的出貨量下調(diào)一半，猶如一顆重磅炸彈丟入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，一時(shí)間內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)聲鶴唳，當(dāng)日臺(tái)灣地區(qū)閃存價(jià)格即遭遇重挫。2010年9月，遭受市場(chǎng)的過(guò)度炒作以及消費(fèi)者追捧的平板電腦開始火熱，平板

智能硬件
2011-06-27

DRAM 平板電腦 MOBILE 內(nèi)存
日置推出MR8847系列存儲(chǔ)記錄儀

21ic訊長(zhǎng)久以來(lái)，廣受好評(píng)的日置（HIOKI）8847存儲(chǔ)記錄儀現(xiàn)已全面升級(jí)為MR8847系列。該系列分為：MR8847-01（64MW內(nèi)存）；MR8847-02（256MW內(nèi)存）；MR8847-03（512MW內(nèi)存）除了原本20MS/s采樣率的靈活運(yùn)用之外，更新

測(cè)試測(cè)量
2011-06-27

模擬記錄儀 BSP 內(nèi)存
2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場(chǎng)份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來(lái)三年仍將是DRAM市場(chǎng)的主流技術(shù)，隨后才會(huì)逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達(dá)8.08億個(gè)左右，預(yù)計(jì)DDR3將占89%，高于

智能硬件
2011-06-23

DRAM PC DDR3 內(nèi)存
芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒走勢(shì)雪上加霜

宏基15日意外宣布將今年平板電腦的出貨量下調(diào)一半，猶如一顆重磅炸彈丟入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，一時(shí)間內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)聲鶴唳，當(dāng)日臺(tái)灣地區(qū)閃存價(jià)格即遭遇重挫。2010年9月，遭受市場(chǎng)的過(guò)度炒作以及消費(fèi)者追捧的平板電腦開始火熱，平板

智能硬件
2011-06-21

DRAM 芯片廠商平板電腦內(nèi)存
芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒下半年走勢(shì)堪憂

2010年9月，遭受市場(chǎng)的過(guò)度炒作以及消費(fèi)者追捧的平板電腦開始火熱，平板電腦的銷售快速增長(zhǎng)。此外智能手機(jī)發(fā)展迅速，也拉動(dòng)了MobileRAM的需求。因此內(nèi)存廠家紛紛將產(chǎn)能集中到MobileRAM產(chǎn)品，MobileRAM在短時(shí)間內(nèi)廠家

消費(fèi)電子
2011-06-20

DRAM 芯片廠商平板電腦內(nèi)存
芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒走勢(shì)雪上加霜

宏基15日意外宣布將今年平板電腦的出貨量下調(diào)一半，猶如一顆重磅炸彈丟入存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，一時(shí)間內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)聲鶴唳，當(dāng)日臺(tái)灣地區(qū)閃存價(jià)格即遭遇重挫。2010年9月，遭受市場(chǎng)的過(guò)度炒作以及消費(fèi)者追捧的平板電腦開始火熱，平板

模擬
2011-06-20

DRAM 芯片廠商平板電腦內(nèi)存
源于IBM的9大日?？萍籍a(chǎn)品：PC內(nèi)存硬盤上榜

導(dǎo)語(yǔ)：IBM本月迎來(lái)百歲生日，美國(guó)科技博客BusinessInsider周五撰文列出了IBM為世界打造的9種日?？萍脊ぞ撸琍C等產(chǎn)品上榜。以下是文章全文： PC PC 沒(méi)有IBM，PC就無(wú)從談起。從最早的數(shù)值計(jì)算研究機(jī)到PC再到超級(jí)計(jì)算機(jī)

消費(fèi)電子
2011-06-20

IBM 硬盤 PC 內(nèi)存
2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增10.2%

全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致

半導(dǎo)體
2011-06-17

半導(dǎo)體 NAND GARTNER 內(nèi)存
ADC關(guān)鍵性能指標(biāo)及誤區(qū)

由于ADC產(chǎn)品相對(duì)于網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品和服務(wù)器需求小很多，用戶和集成商在選擇產(chǎn)品時(shí)對(duì)關(guān)鍵指標(biāo)的理解難免有一些誤區(qū)，加之部分主流廠商刻意引導(dǎo)，招標(biāo)規(guī)范往往有不少非關(guān)鍵指標(biāo)作被作為必須符合項(xiàng)。接下來(lái)就這些誤區(qū)和真正的關(guān)

通信技術(shù)
2011-06-17

CPU ADC PS 內(nèi)存
Gartner：半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支

半導(dǎo)體
2011-06-16

半導(dǎo)體 NAND GARTNER 內(nèi)存
Gartner：2011半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-16

半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 GARTNER 內(nèi)存
Gartner：2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

21ic訊全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求

半導(dǎo)體
2011-06-15

半導(dǎo)體 BSP GARTNER 內(nèi)存

首頁(yè) 上一頁(yè) 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 下一頁(yè) 尾頁(yè)

內(nèi)存

全面進(jìn)軍28nm 高通路線圖曝光

日本瑞薩決定關(guān)閉旗下一座半導(dǎo)體封測(cè)廠

傳世界先進(jìn)有意投資茂德中科12吋廠

傳世界先進(jìn)出價(jià)100億新臺(tái)幣競(jìng)逐茂德中科12寸廠

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

未來(lái)三年DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

平板電腦的狂熱潮遇冷，賣場(chǎng)門面陸續(xù)出現(xiàn)倒閉

日置推出MR8847系列存儲(chǔ)記錄儀

2011年和近期內(nèi)，DDR3仍將是主流DRAM技術(shù)

芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒走勢(shì)雪上加霜

芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒下半年走勢(shì)堪憂

芯片廠商轉(zhuǎn)產(chǎn)內(nèi)存顆粒走勢(shì)雪上加霜

源于IBM的9大日?？萍籍a(chǎn)品：PC內(nèi)存硬盤上榜

2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增10.2%

ADC關(guān)鍵性能指標(biāo)及誤區(qū)

Gartner：半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

Gartner：2011半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

Gartner：2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動(dòng)

課程視頻