內存

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內存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。內存(Memory)也被稱為內存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調到內存中進行運算，當運算完成后CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。內存是由內存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

華東2011年Q4營收估降近2成

內存封測廠華東(8110)估去年12月營收與11月持平，去年第4季營收較第3季下滑近2成。華東預估去年12月營收和11月持平，在新臺幣5.6億元左右，去年第4季受到動態(tài)隨機存取內存(DRAM)客戶減產(chǎn)、加上行動DRAM(Mobile DRAM)

消費電子
2012-01-06

DRAM PID 內存 MOBILE
東芝與爾必達將合并內存業(yè)務

前段時間，我們報道了浪潮收購齊夢達整條內存顆粒生產(chǎn)線的消息。當時我們預測，2012年內存行業(yè)可能將要面對新一輪的整合，而浪潮將是縱向整合的開啟者。而今天，我們得到消息，內存行業(yè)的橫向整合也正在展開，而這次

智能硬件
2012-01-05

東芝爾必達 PID 內存
采用內存接液晶顯示模塊設計

點陣式液晶接口簡單，能以點陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設計中得到廣泛應用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅動器，可能需要發(fā)出不同的命令進行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而

顯示光電
2012-01-05

模塊設計液晶顯示模塊雙口RAM 內存
超越NAND閃存的新一代內存技術

雖然NAND閃存可能在2020年末引領企業(yè)級固態(tài)存儲的蓬勃發(fā)展，不過這種技術潛在的對手已經(jīng)出現(xiàn)，并開始獲得業(yè)內關注。這些技術包括相變內存(PCM)、磁阻隨機存取內存(MRAM)和電阻式隨機存取內存(RRAM)。在過去的數(shù)年中，

智能硬件
2012-01-04

NAND閃存 PCM 內存
Q3 DRAM庫存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

據(jù)IHS iSuppli公司最新發(fā)布的研究分析報告，目前DRAM發(fā)展遭遇瓶頸，需求不旺盛，需求增長緩慢，DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨極大困難，而如今DRAM的庫存又出現(xiàn)很大的增長，庫存勁增可能導致DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑。第三季度IHS iSupp

消費電子
2011-12-23

ARM ISUPPLI DRAM 內存
美光提出3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是&ldq

智能硬件
2011-12-21

美光封裝 DDR4 內存
相變化內存開創(chuàng)新型內存系統(tǒng)設計

相變化內存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內存技術，目前有多家公司在從事該技術的研發(fā)活動。這項技術集當今揮發(fā)性內存和非揮發(fā)性內存兩大技術之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術特性和功能。工程師無

智能硬件
2011-12-21

系統(tǒng)設計編碼 BSP 內存
基于動態(tài)輸入追蹤的模糊技術研究

　1 概述　　隨著信息技術的廣泛應用，軟件安全漏洞所造成的危害正日益嚴重。軟件安全漏洞發(fā)掘作為一種預先發(fā)現(xiàn)軟件潛在安全漏洞、保證信息安全的重要技術，也越來越受到人們的重視。目前國內外常用的漏洞自動發(fā)掘技

模擬
2011-12-20

進程安全漏洞庫函數(shù) 內存
美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機，而是

智能硬件
2011-12-20

美光封裝 DDR4 內存
美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

消費電子
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內存
美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光科技表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術。美光將此標準提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensi

半導體
2011-12-19

美光封裝 DDR4 內存
三維可視化中的地形建模與實現(xiàn)技術研究

　1 引言　　20世紀60年代以后，地形可視化的概念隨著地理信息系統(tǒng)的出現(xiàn)而逐漸形成。隨后以地形地貌為研究重點的地形三維可視化技術在地理信息系統(tǒng)(GIs)、虛擬現(xiàn)實(VR)戰(zhàn)場環(huán)境仿真、娛樂游戲、地形的穿越飛行({1y

工業(yè)控制
2011-12-18

建模編程 PEN 內存
日月光正考慮并購日月鴻

日月鴻董事會日前決議，向柜買中心申請終止興柜股票柜臺買賣。掌握99%日月鴻股權的封測大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會決議，基于目前業(yè)務、財務規(guī)畫及整體經(jīng)營策略考慮，向財團法人中

電子設計自動化
2011-12-14

IC封裝 DRAM PID 內存
日月光正考慮并購日月鴻

日月鴻董事會日前決議，向柜買中心申請終止興柜股票柜臺買賣。掌握99%日月鴻股權的封測大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會決議，基于目前業(yè)務、財務規(guī)畫及整體經(jīng)營策略考慮，向財團法人中

消費電子
2011-12-13

IC封裝 DRAM PID 內存
日月光正考慮并購日月鴻

日月鴻董事會日前決議，向柜買中心申請終止興柜股票柜臺買賣。掌握99%日月鴻股權的封測大廠日月光(2311)表示，正在考慮是否將日月鴻并入。日月鴻董事會決議，基于目前業(yè)務、財務規(guī)畫及整體經(jīng)營策略考慮，向財團法人中

模擬
2011-12-13

IC封裝 DRAM PID 內存
力晶與瑞薩合作90納米驅動芯片量產(chǎn)

內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉型之路邁進

消費電子
2011-12-09

驅動芯片制程技術 DRAM 內存
更多小技巧！核芯顯卡性能還能大幅提升

現(xiàn)在配獨顯的低價筆記本很多，但是大多數(shù)配備的都是入門級獨立顯卡，實際的游戲性能很弱，甚至比不上Sandy Bridge的核芯顯卡。這些入門級獨顯不光提高了整機成本，功耗也比核芯顯卡高得多，而且發(fā)熱量還很高，影響了

智能硬件
2011-12-09

超頻雙通道顯卡內存
力晶與瑞薩合作90納米驅動芯片量產(chǎn)

內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉型之路邁進

模擬
2011-12-08

驅動芯片制程技術 DRAM 內存
力晶與瑞薩合作90納米驅動芯片量產(chǎn)

內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創(chuàng)下2009年7月以來新低。盡管營收表現(xiàn)不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產(chǎn)，持續(xù)朝轉型之路邁進

電子設計自動化
2011-12-08

驅動芯片制程技術 DRAM 內存
熱敏打印機的心電圖形快速打印方法

目前，我國各醫(yī)院普遍使用的心電圖機絕大多數(shù)是機電式的，即通過電極檢測心電信號，放大后直接記錄，存在著打印效率低、噪聲污染嚴重、心電波形失真等缺點。與之相比，數(shù)字式心電圖機通過軟件實現(xiàn)噪聲抑制和心電參數(shù)

消費電子
2011-12-04

熱敏打印機心電圖 SPI 內存

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明天你好8
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搬磚砌樓
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劍圣灬哥
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內存

華東2011年Q4營收估降近2成

東芝與爾必達將合并內存業(yè)務

采用內存接液晶顯示模塊設計

超越NAND閃存的新一代內存技術

Q3 DRAM庫存指數(shù)為12.75周同比激增30.8%

美光提出3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

相變化內存開創(chuàng)新型內存系統(tǒng)設計

基于動態(tài)輸入追蹤的模糊技術研究

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

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日月光正考慮并購日月鴻

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力晶與瑞薩合作90納米驅動芯片量產(chǎn)

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力晶與瑞薩合作90納米驅動芯片量產(chǎn)

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