
內(nèi)存行業(yè)調(diào)研機構(gòu)DRAMeXchange的最新報告顯示,DDR3內(nèi)存條的合約報價在連續(xù)下跌的狀態(tài)下,終于在今年一月下旬穩(wěn)定下來,第一次不再下滑。據(jù)專業(yè)人士分析,單條4GB的需求量已經(jīng)超過了2GB。2GB DDR3內(nèi)存條在一月下半月
根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,1月上旬DRAM合約價仍以持平價位開出,DDR3 4GB均價固守16.5美元,DDR3 2GB均價則維持在9.25美元,但整體成交量已從低價區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價格移動,除了減產(chǎn)
想象一下,在太空中存在著一個蜘蛛網(wǎng)的話,會是什么形態(tài)?其實這一點都不可怕,相反很漂亮,也很壯觀。近日,美國宇航局斯皮策太空望遠(yuǎn)鏡最新發(fā)布照片顯示一個螺旋星系的星光和微妙的灰塵結(jié)構(gòu)組合成一個明亮的太空漩
隨著這種趨勢越來越深入到數(shù)據(jù)中心,機構(gòu)正開始利用虛擬化技術(shù)消除控制一個應(yīng)用程序應(yīng)該在哪一個平臺上運行的許多局限性。不同類型的應(yīng)用程序有不同的工作量的"個性"。這些個性對于一個應(yīng)用程序如何在一個指定的虛
WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法
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根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,1月上旬DRAM合約價仍以持平價位開出,DDR3 4GB均價固守16.5美元,DDR3 2GB均價則維持在9.25美元,但整體成交量已從低價區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價格移動,除了減產(chǎn)效
1 引言 擠出吹塑成型是一種生產(chǎn)塑料容器的加工過程,型坯的成型是擠出吹塑中一個相當(dāng)重要的階段。型坯成型對吹塑制品的性能與成本均有很大影響,若能在這個階段在線檢測出型坯吹脹前的尺寸,則可用最少的原料消耗
1 引言 擠出吹塑成型是一種生產(chǎn)塑料容器的加工過程,型坯的成型是擠出吹塑中一個相當(dāng)重要的階段。型坯成型對吹塑制品的性能與成本均有很大影響,若能在這個階段在線檢測出型坯吹脹前的尺寸,則可用最少的原料消耗
去年由于三星、鎂光和爾必達(dá)等企業(yè)的步步緊逼,加之隨后全球經(jīng)濟大環(huán)境不斷惡化,上游市場不景氣造成內(nèi)存市場需求不振,一場內(nèi)存市場的危機正式來臨,內(nèi)存價格全線崩盤走低,這種情況下,三星加緊腳步吞并Grandis,標(biāo)
IDM與Multitest公司日前宣布其UltraFlat?工藝達(dá)到高測試并行度垂直探針卡應(yīng)用要求。對于DDR3內(nèi)存等應(yīng)用,晶圓級測試中的電路板平面度要求變得日益重要。為優(yōu)化MLO/MLC附屬裝置和接觸單元界面,需要一個更佳的表面。此
面臨洗牌 自20世紀(jì)60年代以來,內(nèi)存芯片便被看作是信息時代的“原油”——它們對電腦和其他設(shè)備非常重要,以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能,降低生產(chǎn)成本。然而,上周有消息稱,日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達(dá)正尋求從
內(nèi)存封測廠華東(8110)估去年12月營收與11月持平,去年第4季營收較第3季下滑近2成。華東預(yù)估去年12月營收和11月持平,在新臺幣5.6億元左右,去年第4季受到動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)客戶減產(chǎn)、加上行動DRAM(Mobile DRAM)
內(nèi)存封測廠華東(8110)估去年12月營收與11月持平,去年第4季營收較第3季下滑近2成。華東預(yù)估去年12月營收和11月持平,在新臺幣5.6億元左右,去年第4季受到動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)客戶減產(chǎn)、加上行動DRAM(Mobile DRAM)
前段時間,我們報道了浪潮收購齊夢達(dá)整條內(nèi)存顆粒生產(chǎn)線的消息。當(dāng)時我們預(yù)測,2012年內(nèi)存行業(yè)可能將要面對新一輪的整合,而浪潮將是縱向整合的開啟者。而今天,我們得到消息,內(nèi)存行業(yè)的橫向整合也正在展開,而這次
點陣式液晶接口簡單,能以點陣或圖形方式顯示出各種信息,因此在各種電子設(shè)計中得到廣泛應(yīng)用。但是,它的接口必須遵循一定的硬件和時序規(guī)范,根據(jù)不同的液晶驅(qū)動器,可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而
雖然NAND閃存可能在2020年末引領(lǐng)企業(yè)級固態(tài)存儲的蓬勃發(fā)展,不過這種技術(shù)潛在的對手已經(jīng)出現(xiàn),并開始獲得業(yè)內(nèi)關(guān)注。這些技術(shù)包括相變內(nèi)存(PCM)、磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)和電阻式隨機存取內(nèi)存(RRAM)。在過去的數(shù)年中,
據(jù)IHS iSuppli公司最新發(fā)布的研究分析報告,目前DRAM發(fā)展遭遇瓶頸,需求不旺盛,需求增長緩慢,DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨極大困難,而如今DRAM的庫存又出現(xiàn)很大的增長,庫存勁增可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)繼續(xù)下滑。第三季度IHS iSupp
美光科技表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”——不是任天堂的新掌機,而是&ldq
相變化內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是一項全新的內(nèi)存技術(shù),目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長,為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無