1月上旬DRAM合約價(jià)持平但成交價(jià)有往上趨勢(shì)
[導(dǎo)讀]根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，1月上旬DRAM合約價(jià)仍以持平價(jià)位開出，DDR3 4GB均價(jià)固守16.5美元，DDR3 2GB均價(jià)則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價(jià)區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價(jià)格移動(dòng)，除了減產(chǎn)效
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，1月上旬DRAM合約價(jià)仍以持平價(jià)位開出，DDR3 4GB均價(jià)固守16.5美元，DDR3 2GB均價(jià)則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價(jià)區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價(jià)格移動(dòng)，除了減產(chǎn)效應(yīng)于第一季正式發(fā)酵，目前合約價(jià)格仍屬歷史低價(jià)，部份PC-OEM廠已緩步拉高庫存水位，并開始接受較高價(jià)格的合約價(jià)，加上硬盤短缺問題在第一季陸續(xù)獲得紓解，PC出貨將在二月后將回復(fù)正常。集邦科技認(rèn)為，只要DRAM廠不要因短期顆粒價(jià)格上漲而貿(mào)進(jìn)將產(chǎn)能恢復(fù)，預(yù)估今年DRAM價(jià)格在二月后起漲可能性高。
在現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，雖然DDR3 2Gb現(xiàn)貨價(jià)格自去年12月初0.72美元起漲至今來到0.97美元，不光顆粒價(jià)格逼近金1美元價(jià)位，漲幅亦高達(dá)35%，但現(xiàn)貨市場(chǎng)規(guī)模逐漸萎縮卻是不爭的事實(shí)，其中不外乎筆電已搭載足量的內(nèi)存，近幾年升級(jí)市場(chǎng)的衰退亦是其中主因，現(xiàn)貨市場(chǎng)產(chǎn)值從早期2004年約囊括整體DRAM市場(chǎng)的50%，大幅衰退至2011年的15%左右。平心而論，現(xiàn)貨價(jià)格對(duì)于DRAM市場(chǎng)仍具影響力，對(duì)于合約價(jià)格上漲也有一定助力。
后標(biāo)準(zhǔn)型DRAM時(shí)代來臨，產(chǎn)品開發(fā)與核心技術(shù)將是未來獲利關(guān)鍵
綜觀整體DRAM市場(chǎng)的獲利關(guān)鍵，幾乎都是來自于產(chǎn)能的擴(kuò)充與制程不斷的再精進(jìn)，從早期的90nm、65nm制程至今已來到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續(xù)下降，但同時(shí)伴隨著是顆粒數(shù)的高成長，加上近年P(guān)C出貨年成長已大幅趨緩，內(nèi)存搭載容量亦失成長動(dòng)能，DRAM產(chǎn)業(yè)在需求力道不再強(qiáng)勁的影響之下，獲利難度越來越高。
集邦科技預(yù)估，2012年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將會(huì)產(chǎn)生重大的變革。首先，DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)充將漸趨理性，加上轉(zhuǎn)進(jìn)20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買EUV等先進(jìn)機(jī)臺(tái)，即使龍頭三星半導(dǎo)體亦不得不在制程精進(jìn)上放慢腳步，因此集邦科技預(yù)估，今年整體DRAM的年供給位成長率僅有22%，較前數(shù)年動(dòng)輒50%的年成長已大幅趨緩。不幸的是，供給位的減緩并不足以代表整體DRAM產(chǎn)業(yè)供過于求的頹勢(shì)獲得實(shí)時(shí)紓解，而是代表各DRAM廠獲利的關(guān)鍵必須轉(zhuǎn)向核心技術(shù)開發(fā)能力再作競(jìng)爭，例如隨著智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)的興起，帶動(dòng)行動(dòng)式內(nèi)存的需求，如已在2011年第四季成為行動(dòng)式內(nèi)存出貨主流LPDDR2，或者是今年下半年即將量產(chǎn)的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術(shù)的DRAM廠便是獲利贏家。
同時(shí)，云端需求的興起亦使原本深耕于服務(wù)器內(nèi)存的DRAM廠獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個(gè)獲利指標(biāo)。甚至在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，今年亦有許多產(chǎn)品以DDR3為基礎(chǔ)上再進(jìn)化，如著眼于Ultrabook的興起，為了精進(jìn)省電效能以延長使用時(shí)效，廠商已開發(fā)出低電壓版的DDR3L，在省電機(jī)制的強(qiáng)化上亦發(fā)展出DDR3M的產(chǎn)品，甚至有廠商有考慮將GDDR導(dǎo)入標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存中，在繪圖上與游戲上可以有比標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存更佳的表現(xiàn)。DRAM廠在后續(xù)的獲利競(jìng)賽仍有一番激烈競(jìng)逐，落后者勢(shì)必逐漸將產(chǎn)能退出，唯擁有核心技術(shù)力的DRAM廠才有機(jī)會(huì)在后續(xù)市場(chǎng)中持續(xù)獲利與生存。
在現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，雖然DDR3 2Gb現(xiàn)貨價(jià)格自去年12月初0.72美元起漲至今來到0.97美元，不光顆粒價(jià)格逼近金1美元價(jià)位，漲幅亦高達(dá)35%，但現(xiàn)貨市場(chǎng)規(guī)模逐漸萎縮卻是不爭的事實(shí)，其中不外乎筆電已搭載足量的內(nèi)存，近幾年升級(jí)市場(chǎng)的衰退亦是其中主因，現(xiàn)貨市場(chǎng)產(chǎn)值從早期2004年約囊括整體DRAM市場(chǎng)的50%，大幅衰退至2011年的15%左右。平心而論，現(xiàn)貨價(jià)格對(duì)于DRAM市場(chǎng)仍具影響力，對(duì)于合約價(jià)格上漲也有一定助力。
后標(biāo)準(zhǔn)型DRAM時(shí)代來臨，產(chǎn)品開發(fā)與核心技術(shù)將是未來獲利關(guān)鍵
綜觀整體DRAM市場(chǎng)的獲利關(guān)鍵，幾乎都是來自于產(chǎn)能的擴(kuò)充與制程不斷的再精進(jìn)，從早期的90nm、65nm制程至今已來到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續(xù)下降，但同時(shí)伴隨著是顆粒數(shù)的高成長，加上近年P(guān)C出貨年成長已大幅趨緩，內(nèi)存搭載容量亦失成長動(dòng)能，DRAM產(chǎn)業(yè)在需求力道不再強(qiáng)勁的影響之下，獲利難度越來越高。
集邦科技預(yù)估，2012年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將會(huì)產(chǎn)生重大的變革。首先，DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)充將漸趨理性，加上轉(zhuǎn)進(jìn)20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買EUV等先進(jìn)機(jī)臺(tái)，即使龍頭三星半導(dǎo)體亦不得不在制程精進(jìn)上放慢腳步，因此集邦科技預(yù)估，今年整體DRAM的年供給位成長率僅有22%，較前數(shù)年動(dòng)輒50%的年成長已大幅趨緩。不幸的是，供給位的減緩并不足以代表整體DRAM產(chǎn)業(yè)供過于求的頹勢(shì)獲得實(shí)時(shí)紓解，而是代表各DRAM廠獲利的關(guān)鍵必須轉(zhuǎn)向核心技術(shù)開發(fā)能力再作競(jìng)爭，例如隨著智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)的興起，帶動(dòng)行動(dòng)式內(nèi)存的需求，如已在2011年第四季成為行動(dòng)式內(nèi)存出貨主流LPDDR2，或者是今年下半年即將量產(chǎn)的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術(shù)的DRAM廠便是獲利贏家。
同時(shí)，云端需求的興起亦使原本深耕于服務(wù)器內(nèi)存的DRAM廠獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個(gè)獲利指標(biāo)。甚至在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上，今年亦有許多產(chǎn)品以DDR3為基礎(chǔ)上再進(jìn)化，如著眼于Ultrabook的興起，為了精進(jìn)省電效能以延長使用時(shí)效，廠商已開發(fā)出低電壓版的DDR3L，在省電機(jī)制的強(qiáng)化上亦發(fā)展出DDR3M的產(chǎn)品，甚至有廠商有考慮將GDDR導(dǎo)入標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存中，在繪圖上與游戲上可以有比標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存更佳的表現(xiàn)。DRAM廠在后續(xù)的獲利競(jìng)賽仍有一番激烈競(jìng)逐，落后者勢(shì)必逐漸將產(chǎn)能退出，唯擁有核心技術(shù)力的DRAM廠才有機(jī)會(huì)在后續(xù)市場(chǎng)中持續(xù)獲利與生存。
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