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功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體有何不同？有哪些應(yīng)用領(lǐng)域
在這篇文章中，小編將對(duì)半導(dǎo)體的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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長(zhǎng)距離出行需求下的功率器件革命
在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長(zhǎng)續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿足超長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的電學(xué)特性，成為破解長(zhǎng)距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。
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SK keyfoundry加速碳化硅化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)
-- 通過(guò)收購(gòu)SK powertech掌握核心技術(shù)能力，目標(biāo)2025年底前提供工藝技術(shù) -- 韓國(guó)首爾2025年11月12日 /美通社/ -- 韓國(guó)8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，正加速開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)化合物功...
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東芝攜150年創(chuàng)新積淀八赴進(jìn)博，以科技賦能可持續(xù)未來(lái)
上海2025年11月5日 /美通社/ -- 深秋時(shí)節(jié)，黃浦江畔，第八屆中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱"進(jìn)博會(huì)"）盛大舉行，再次奏響全球交融發(fā)展的新樂(lè)章。作為進(jìn)博會(huì)堅(jiān)定不移的"老朋友"，東芝連續(xù)八年參與這一全球經(jīng)貿(mào)盛會(huì)。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，東芝以&quo...
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泰瑞達(dá)宣布推出ETS-800 D20雙站點(diǎn)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，滿足功率半導(dǎo)體多樣化測(cè)試需求
2025年10月23日，中國(guó) 北京訊 —— 全球領(lǐng)先的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備和機(jī)器人供應(yīng)商泰瑞達(dá)(NASDAQ:TER)宣布，推出面向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的高性能測(cè)試平臺(tái)ETS-800的最新成員ETS-800 D20。ETS-800 D20，具備多功能性與成本效益優(yōu)勢(shì)，可同時(shí)滿足大批量芯片測(cè)試以及多品種、小批量芯片測(cè)試需求，可更好地服務(wù)客戶的多樣化場(chǎng)景。
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瑞薩電子采用下一代功率半導(dǎo)體 為800伏直流AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)供電
2025 年 10 月 14 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE：6723)宣布，支持NVIDIA宣布的800伏直流電源架構(gòu)的高效電源轉(zhuǎn)換和分配，推動(dòng)下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展。
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為什么IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一
在追求2060年“碳中和”目標(biāo)的道路上，高效利用綠色能源顯得尤為重要。功率模塊，作為綠色能源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，其性能至關(guān)重要。
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英飛凌2025財(cái)年第三季營(yíng)收符合預(yù)期，利潤(rùn)超出預(yù)期 盡管面臨持續(xù)的關(guān)稅不確定性和美元走弱，本季度預(yù)計(jì)將進(jìn)一步增長(zhǎng)
· 2025 財(cái)年展望：假設(shè)第四季度歐元兌美元匯率為1:1.15(此前為1:1.125)，預(yù)計(jì)本財(cái)年?duì)I收約為146億歐元，較上一年將略有下降。調(diào)整后的毛利率預(yù)計(jì)達(dá)到40%以上(此前為約40%)，利潤(rùn)率為17%~19%左右(此前為14%~16%)。投資額約 22 億歐元(此前為23億歐元)。自由現(xiàn)金流將自然增長(zhǎng)至10 億歐元左右(此前為約9億歐元)。考慮到從Marvell收購(gòu)汽車以太網(wǎng)業(yè)務(wù)即將完成，自由現(xiàn)金流預(yù)計(jì)將達(dá)到約負(fù)12億歐元。調(diào)整后的自由現(xiàn)金流(扣除對(duì)前道廠房的投資和大型并購(gòu)交易后)預(yù)計(jì)為約17億歐元(此前為16億歐元)。
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開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門(mén)|魯歐智造第三屆用戶大會(huì)成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開(kāi)啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門(mén)”為主題，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的300余名行業(yè)專家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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確?？煽啃裕禾蓟璁a(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開(kāi)關(guān)速度。
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確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開(kāi)發(fā)與制造
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
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GaN 車載應(yīng)用已成趨勢(shì)
在全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向電氣化、智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新成為關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。氮化鎵(GaN)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，逐漸在車載應(yīng)用領(lǐng)域嶄露頭角，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。從當(dāng)前發(fā)展態(tài)勢(shì)來(lái)看，GaN 車載應(yīng)用已成不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。
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新一代功率半導(dǎo)體前景廣闊，中國(guó)企業(yè)如何縮小差距?
功率半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)鏈中極為關(guān)鍵的一類器件，肩負(fù)著電能轉(zhuǎn)換與電路控制的重任，在電路里發(fā)揮著功率轉(zhuǎn)換、放大、開(kāi)關(guān)、線路保護(hù)以及逆變、整流等諸多重要作用。其身影廣泛出現(xiàn)在電網(wǎng)輸變電、新能源汽車、軌道交通、新能源、變頻家電等眾多領(lǐng)域，是推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)電氣化進(jìn)程的核心力量。
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英飛凌與科士達(dá)深入合作，全棧方案樹(shù)立UPS高效可靠新標(biāo)桿
【2025年4月10日, 中國(guó)上海訊】在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，對(duì)能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作，通過(guò)提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力科士達(dá)100kVA在線式UPS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，滿足數(shù)據(jù)中心對(duì)高可靠、高能效電源的嚴(yán)苛需求。
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DB HiTek將參展PCIM 2025，加強(qiáng)歐洲市場(chǎng)推廣
…… 德國(guó)最大的功率半導(dǎo)體展會(huì)于紐倫堡舉行（5月6日至8日）…… 分享模擬與電源、專用CIS、SiC和GaN技術(shù)的最新進(jìn)展 韓國(guó)首爾2025年4月7日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的8英寸晶圓代工企業(yè)DB HiTek將參加于當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月6...
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Kulicke & Soffa 推出全新垂直線焊解決方案，市場(chǎng)領(lǐng)先地位繼續(xù)擴(kuò)大 ATPremier MEM PLUS?進(jìn)一步提高存儲(chǔ)器封裝密度
新加坡—2025年3月26日—Kulicke and Soffa Industries，股份有限公司(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我們”或“公司”)宣布推出適用于大容量存儲(chǔ)器應(yīng)用的ATPremier MEM PLUS?。
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是德科技在寬禁帶半導(dǎo)體裸片上實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)測(cè)試
是德科技(NYSE: KEYS )增強(qiáng)了其雙脈沖測(cè)試產(chǎn)品組合，使客戶能夠從寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體裸芯片的動(dòng)態(tài)特性的精確和輕松測(cè)量中受益。在測(cè)量夾具中實(shí)施新技術(shù)最大限度地減少了寄生效應(yīng)，并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個(gè)版本的雙脈沖測(cè)試儀兼容。
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芯向未來(lái) ，2025 英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦
【2025年3月17日, 中國(guó)上海訊】3月14日， “2025 英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”(ICIC 2025，以下同)在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了精彩探討，首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。
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國(guó)產(chǎn)車規(guī)功率半導(dǎo)體再提速
在全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型的浪潮中，車規(guī)功率半導(dǎo)體作為核心 “心臟”，正發(fā)揮著愈發(fā)關(guān)鍵的作用。國(guó)產(chǎn)車規(guī)功率半導(dǎo)體近年來(lái)發(fā)展迅猛，不斷在技術(shù)突破、產(chǎn)能擴(kuò)充、市場(chǎng)份額提升等方面實(shí)現(xiàn)新跨越，開(kāi)啟再提速的發(fā)展新篇章。
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在汽車應(yīng)用中使用 SiC 牽引技術(shù)逆變器
在汽車行業(yè)邁向電氣化的進(jìn)程中，功率半導(dǎo)體技術(shù)的革新成為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。以碳化硅(SiC)為核心的功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性能，在汽車電氣化浪潮中嶄露頭角，而 SiC 牽引技術(shù)逆變器更是成為了這一領(lǐng)域的焦點(diǎn)。
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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