
在當(dāng)前的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中,F(xiàn)D-SOI(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,全耗盡絕緣層上硅)技術(shù)以其獨特的優(yōu)勢備受關(guān)注。FPGA(Field Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列)作為一種可編程的集成電路,其靈活性和可配置性在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)FD-SOI技術(shù)與FPGA相結(jié)合時,產(chǎn)生的基于FD-SOI的FPGA芯片不僅繼承了FPGA的靈活性和可配置性,還獲得了FD-SOI技術(shù)的諸多優(yōu)勢。本文將詳細(xì)探討基于FD-SOI的FPGA芯片的技術(shù)優(yōu)勢以及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。
隔離器是一種采用線性光耦隔離原理,將輸入信號進(jìn)行轉(zhuǎn)換輸出。輸入,輸出和工作電源三者相互隔離,特別適合與需要電隔離的設(shè)備儀表配用。
硅成為制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要原材料,廣泛應(yīng)用于集成電路等低壓、低頻、低功率場景。但是,第一代半導(dǎo)體材料難以滿足高功率及高頻器件需求。
6月25日消息,在2024 MWC上海期間,華為無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品線副總裁、首席營銷官趙東在5G-A & AI圓桌上發(fā)布AI入網(wǎng)“開城計劃”。
時隔三年,備受矚目的2023年度國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎于6月24日在首都人民大會堂舉行。由芯和半導(dǎo)體與上海交通大學(xué)等單位合作的項目“射頻系統(tǒng)設(shè)計自動化關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”榮獲2023年度國家科技進(jìn)步獎一等獎。
6月24日消息,據(jù)媒體報道,三星可能創(chuàng)造了半導(dǎo)體歷史上最大的玩笑。
6月25日消息,據(jù)國外媒體報道稱,自從美國對中國實施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來,韓國最難受,因為其半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重。
聯(lián)合實驗室揭牌,開啟中國芯研發(fā)新篇章
6月23日消息,據(jù)媒體報道,Exynos 2500的良品率目前僅為20%,遠(yuǎn)低于量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),但三星仍在積極尋求解決方案,以期在今年10月前將良品率提升至60%。
6月23日消息,據(jù)媒體報道,谷歌與臺積電已達(dá)成戰(zhàn)略合作,成功將Tensor G5芯片樣品發(fā)送至驗證環(huán)節(jié)。
6月24日消息,2024 MWC上海(世界移動通信大會)將于6月26日在上海新國際博覽中心開幕,華為已確認(rèn)將參加本次大會。
6月24日消息,據(jù)媒體報道,三星電子在美國得克薩斯州泰勒市投資的芯片工廠項目遭遇投產(chǎn)延期。
6月22日-23日,以“新質(zhì)生產(chǎn)力 南沙芯力量”為主題的第三屆IC NANSHA大會在廣州南沙盛大召開。芯謀研究作為廣東省半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)集群智庫單位,廣泛參與廣東省半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,積極支撐廣東省半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展戰(zhàn)略、重大項目謀劃等工作,主辦了本次活動。來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的300多位重磅嘉賓齊聚一堂,共襄盛舉。以會議出席嘉賓數(shù)量和影響力來衡量,本次峰會是今年規(guī)格最高的半導(dǎo)體盛會。
6月20日消息,中國香港海關(guān)披露,6月11日查獲了一起芯片走私案,涉及多達(dá)596顆高端CPU處理器,試圖走私到中國內(nèi)地。
6月17日消息,隨著麒麟芯片持續(xù)放量,華為接下來的平板、手機新品都將采用自研芯片。
6月13日消息,芬蘭科技初創(chuàng)公司Flow Computing近日宣布一項震撼行業(yè)的技術(shù)突破,其研發(fā)的并行處理單元(PPU)能夠使任何CPU架構(gòu)的性能提升高達(dá)100倍。
鏈動生態(tài),再次啟航:大聯(lián)大攜手產(chǎn)業(yè)上下游伙伴,共同賦能汽車技術(shù)生態(tài)圈
6月12日消息,根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2024年第一季全球前十大晶圓代工產(chǎn)值季減4.3%至292億美元。
SECO賽柯亮相上海嵌入式展會,帶來由半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)賦能的先進(jìn)高效嵌入式解決方案。
在大數(shù)據(jù)和人工智能時代,數(shù)據(jù)存儲需求呈指數(shù)級增長,市場對存儲媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。隨著閃存技術(shù)向高存儲密度發(fā)展,一個存儲單元可以存儲四比特單位的QLC(Quad-Level Cell)以其高容量、低成本的特點,成為滿足這一需求的重要技術(shù)方向。相較于傳統(tǒng)的一個存儲單元可以存儲三比特單位的TLC(Triple-Level Cell),QLC在保持成本優(yōu)勢的同時,提供了更大的存儲容量,成為業(yè)界關(guān)注的焦點。