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新系列嵌入式時(shí)鐘（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出新系列嵌入式時(shí)鐘產(chǎn)品。這些新器件特別適用于嵌入式應(yīng)用或無法看到和運(yùn)行一個(gè)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的任何計(jì)算系統(tǒng)。這類系統(tǒng)包括高端打印機(jī)、家用路由器、汽車信息娛
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減
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基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電
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DFN系列電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)和分壓電阻 --- DFN系列。器件采用引腳間距為0.65mm、厚度為1mm的4mm x 4mm雙平面無鉛封裝。與傳統(tǒng)的5mm x 6mm SOIC 8引線封裝相比，
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新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來SupreMOS™新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有1
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基于ATL技術(shù)原理圖解析器的開發(fā)
提出了一種以ATL(活動(dòng)模板庫(kù))技術(shù)為平臺(tái)的原理圖文件解析器的系統(tǒng)架構(gòu)及設(shè)計(jì)方法。在該系統(tǒng)中，使用ATL技術(shù)封裝了原理圖文件解析的全過程，并將原理圖數(shù)據(jù)資源按照COM(組件對(duì)象模型)接口的要求進(jìn)行了組織，使得解析器以一個(gè)COM組件的形式向客戶程序提供服務(wù)。
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FPGA：65nm器件上量低功耗市場(chǎng)興起
隨著65nm工藝的應(yīng)用以及更多低功耗技術(shù)的采用，F(xiàn)PGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量，具備進(jìn)入更廣泛市場(chǎng)的條件。FPGA從業(yè)者表示，今年FPGA快速增長(zhǎng)，而預(yù)計(jì)明年仍將是一個(gè)增長(zhǎng)年。比拼65nm器件加
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4款新的30V肖特基勢(shì)壘二極管（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。
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中國(guó)發(fā)展OLED產(chǎn)業(yè) 急需開放式的平臺(tái)
OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)技術(shù)可謂是全球最耀眼的平板顯示技術(shù)之一。目前，OLED產(chǎn)業(yè)不僅是四川長(zhǎng)虹發(fā)展的戰(zhàn)略重點(diǎn)，更是四川省平板顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略重點(diǎn)之一。四川虹視顯示技術(shù)有限公司成立于2008年1月，位于成都市高新
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V系列并口256Kb F-RAM器件（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并
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150V和200V HEXFET功率MOSFET（IR）
國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 （SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。與其它競(jìng)爭(zhēng)
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