基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過非常低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新器件能夠提供最佳性價比。此外，通過提供四個等級的RDS(on) 及將Qg保持在30V的水平，新器件可讓設(shè)計工程師靈活地選擇最適合的器件，來配合其設(shè)計的規(guī)范和要求?！?/p>
新款MOSFET擁有充分表征的崩潰電壓和電流。隨著IR對這些基準(zhǔn)MOSFET的持續(xù)開發(fā)，它們將可以作為現(xiàn)有30V TO-220器件的直接替代品或升級品。
新器件獲得了工業(yè)級及一級潮濕敏感度 (MSL1) 認(rèn)證。這些30V MOSFET采用TO-220封裝，皆為無鉛設(shè)計，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。
現(xiàn)在這些器件已向市場供應(yīng)。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項目評審和論證，在開放計算標(biāo)準(zhǔn)工作委員會（OCTC）獲批立項。浪潮信息作為標(biāo)準(zhǔn)主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字： OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流，當(dāng)勵磁關(guān)閉時，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時，使輸...
關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管
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