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4款新的30V肖特基勢(shì)壘二極管（安森美）

時(shí)間：2009-08-19 16:18:26

關(guān)鍵字：安森美二極管肖特基器件

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[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢(shì)壘二極管。這些新的肖特基勢(shì)壘二極管采用超小型0201雙硅片無(wú)引腳(DSN2)芯片級(jí)封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA，其中后者是業(yè)界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來(lái)越多空間受限的應(yīng)用解決問(wèn)題，例如手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等。

安森美半導(dǎo)體小信號(hào)產(chǎn)品分部總監(jiān)兼總經(jīng)理何燾(Dan Huettl)說(shuō)：“我們客戶持續(xù)面對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，要在空間受限的應(yīng)用中取舍優(yōu)化電路板布線與系統(tǒng)性能的問(wèn)題。安森美半導(dǎo)體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢(shì)壘二極管，回應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的訴求，優(yōu)化便攜應(yīng)用的電源管理?！?/p>

器件
這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點(diǎn)，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見(jiàn)的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節(jié)省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場(chǎng)上最低，幫助設(shè)計(jì)人員解決功率損耗、效率及開(kāi)關(guān)速度問(wèn)題。與采用傳統(tǒng)塑模封裝的競(jìng)爭(zhēng)組件相比，新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升，傲視同儕。它們的電源管理特性，也領(lǐng)先同類產(chǎn)品，有助延長(zhǎng)便攜設(shè)備應(yīng)用中的電池使用時(shí)間。

NSR0xF30NXT5G器件系列優(yōu)化了正向電壓降(Vf)，在10 mA正向電流時(shí)僅為370毫伏(mV)，進(jìn)一步突顯這系列的先進(jìn)、高性能規(guī)格。NSR0xL30NXT5G器件系列設(shè)計(jì)用于低反向電流(Ir)，
在10 V反向電壓時(shí)僅為0.2微安(µA)，且泄漏電流極低，延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。這兩個(gè)系列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機(jī)器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設(shè)計(jì)工程師解決在小電路板空間中納入越來(lái)越多電路的挑戰(zhàn)。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度范圍為–40°C至+125°C，非常適用于苛刻室內(nèi)及室外環(huán)境中的設(shè)備。

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增產(chǎn)16倍以滿足需求，安森美SiC工廠落戶捷克

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日安森美在捷克共和國(guó)的SiC工廠的擴(kuò)建落成，捷克的工業(yè)和貿(mào)易部科長(zhǎng)、茲林州州長(zhǎng)以及市長(zhǎng)等政府官員出席了剪彩儀式，安森美表示工廠將在未來(lái)兩年內(nèi)將SiC晶圓產(chǎn)能提高16倍以滿足急劇增長(zhǎng)的微芯片需求。

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