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MCP2030在有源射頻標(biāo)簽中的應(yīng)用
首先闡明電源受限嵌入式系統(tǒng)的定位休眠激活方案的基本工作原理；然后介紹MCP2030的三方向磁場檢測接收、低功耗以及多種節(jié)能工作模式的顯著特點；最后以有源射頻標(biāo)簽為例介紹了具體的軟硬件設(shè)計和應(yīng)用實現(xiàn)。
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP的接口設(shè)計
前言 慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、各種導(dǎo)引頭及空間飛行器等測試和記錄應(yīng)用系統(tǒng)，都需要自主、實時、可靠存儲大量的關(guān)鍵信息，并保證即使整個系統(tǒng)掉電，所采集到的數(shù)據(jù)仍能長時間保持不丟失，實現(xiàn)歷史數(shù)據(jù)查詢，便于數(shù)據(jù)分析
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64
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宏力0.18微米OTP制程成功將尺寸減小2.3倍
專業(yè)半導(dǎo)體代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司日前發(fā)布其最新開發(fā)的0.18微米OTP(一次編程)制程平臺。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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iSuppli: 消費與無線MEMS在產(chǎn)業(yè)衰退中殺出血路
據(jù)iSuppli公司，盡管總體電子產(chǎn)業(yè)下滑，但預(yù)計2009年用于消費電子與無線產(chǎn)品的微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)將增長6.4%。 2009年全球消費與無線MEMS營業(yè)收入將達(dá)到12.4億美元，高于2008年時的11.7億美元。這與2009年總體半導(dǎo)體市
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布最新低成本高效率0.18微米OTP制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其最新開發(fā)的0.18微米OTP (一次編程) 制程平臺。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省去
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP的接口設(shè)計
前言 慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、各種導(dǎo)引頭及空間飛行器等測試和記錄應(yīng)用系統(tǒng)，都需要自主、實時、可靠存儲大量的關(guān)鍵信息，并保證即使整個系統(tǒng)掉電，所采集到的數(shù)據(jù)仍能長時間保持不丟失，實現(xiàn)歷史數(shù)據(jù)查詢，便于數(shù)據(jù)分析
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美光70ns隨機(jī)存取時間的閃存存儲器Axcell M29W和M29DW
Axcell M29W和M29DW是高速單級芯片(SLC) NOR閃存存儲器，具有70-ns隨機(jī)存取時間,有能力支持60ns，主要用于嵌入式領(lǐng)域。這些最新增加的Axcell M29產(chǎn)品系列與現(xiàn)有產(chǎn)品架構(gòu)是引腳兼容，非常適合于包括汽車、消費電子、通
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美大學(xué)研究人員發(fā)明半導(dǎo)體制作新工藝
美國北卡羅來納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布最新低成本高效率0.18微米OTP制程 縮短產(chǎn)品上市時間
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其最新開發(fā)的0.18微米OTP (一次編程) 制程平臺。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省去
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