[導讀]美國北卡羅來納大學與賴斯大學的科學家最近發(fā)明了一種新的半導體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導體雜
美國北卡羅來納大學與賴斯大學的科學家最近發(fā)明了一種新的半導體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強的處理器。該項發(fā)明研究了一種新的硅半導體雜質摻雜方法，科學家們稱之為“單分子層嫁接”。過去，半導體是通過向硅晶體內部摻雜雜質而制成的，但隨著半導體工藝的發(fā)展，晶體管的尺寸也越來越小，這樣就很容易出現(xiàn)不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。
為了解決這個問題，這項新發(fā)明改變了向半導體中摻雜雜質的方法，改將雜質分子附著在硅晶體的表面，而不是將其注入晶體內部。使用這種方法可以得到與傳統(tǒng)制作方法相似的效果，但對納米級器件則更為適用。
研究人員并稱：“對Intel，鎂光，三星等半導體廠商來說，我們的發(fā)明意義重大，我保證他們已經(jīng)在嘗試使用我們的方案了。”
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