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MCP2030在有源射頻標(biāo)簽中的應(yīng)用
首先闡明電源受限嵌入式系統(tǒng)的定位休眠激活方案的基本工作原理；然后介紹MCP2030的三方向磁場(chǎng)檢測(cè)接收、低功耗以及多種節(jié)能工作模式的顯著特點(diǎn)；最后以有源射頻標(biāo)簽為例介紹了具體的軟硬件設(shè)計(jì)和應(yīng)用實(shí)現(xiàn)。
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP的接口設(shè)計(jì)
前言 慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、各種導(dǎo)引頭及空間飛行器等測(cè)試和記錄應(yīng)用系統(tǒng)，都需要自主、實(shí)時(shí)、可靠存儲(chǔ)大量的關(guān)鍵信息，并保證即使整個(gè)系統(tǒng)掉電，所采集到的數(shù)據(jù)仍能長(zhǎng)時(shí)間保持不丟失，實(shí)現(xiàn)歷史數(shù)據(jù)查詢，便于數(shù)據(jù)分析
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64
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單一P溝道MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64
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宏力0.18微米OTP制程成功將尺寸減小2.3倍
專業(yè)半導(dǎo)體代工廠上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司日前發(fā)布其最新開(kāi)發(fā)的0.18微米OTP(一次編程)制程平臺(tái)。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺(tái)基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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iSuppli: 消費(fèi)與無(wú)線MEMS在產(chǎn)業(yè)衰退中殺出血路
據(jù)iSuppli公司，盡管總體電子產(chǎn)業(yè)下滑，但預(yù)計(jì)2009年用于消費(fèi)電子與無(wú)線產(chǎn)品的微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)將增長(zhǎng)6.4%。 2009年全球消費(fèi)與無(wú)線MEMS營(yíng)業(yè)收入將達(dá)到12.4億美元，高于2008年時(shí)的11.7億美元。這與2009年總體半導(dǎo)體市
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布最新低成本高效率0.18微米OTP制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其最新開(kāi)發(fā)的0.18微米OTP (一次編程) 制程平臺(tái)。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺(tái)基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省去
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大容量閃存器件K9KAG08UOM與DSP的接口設(shè)計(jì)
前言 慣性導(dǎo)航系統(tǒng)、各種導(dǎo)引頭及空間飛行器等測(cè)試和記錄應(yīng)用系統(tǒng)，都需要自主、實(shí)時(shí)、可靠存儲(chǔ)大量的關(guān)鍵信息，并保證即使整個(gè)系統(tǒng)掉電，所采集到的數(shù)據(jù)仍能長(zhǎng)時(shí)間保持不丟失，實(shí)現(xiàn)歷史數(shù)據(jù)查詢，便于數(shù)據(jù)分析
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美光70ns隨機(jī)存取時(shí)間的閃存存儲(chǔ)器Axcell M29W和M29DW
Axcell M29W和M29DW是高速單級(jí)芯片(SLC) NOR閃存存儲(chǔ)器，具有70-ns隨機(jī)存取時(shí)間,有能力支持60ns，主要用于嵌入式領(lǐng)域。這些最新增加的Axcell M29產(chǎn)品系列與現(xiàn)有產(chǎn)品架構(gòu)是引腳兼容，非常適合于包括汽車、消費(fèi)電子、通
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美大學(xué)研究人員發(fā)明半導(dǎo)體制作新工藝
美國(guó)北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項(xiàng)發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布最新低成本高效率0.18微米OTP制程 縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其最新開(kāi)發(fā)的0.18微米OTP (一次編程) 制程平臺(tái)。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺(tái)基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合了第三方OTP。采用3.3V作為核心器件，從而省去
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