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電子、電工儀器上能獨(dú)立起控制變換作用的單元，常有幾個元件組成，有時也指較大的元件。

第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的

電源
2009-07-26

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 器件
第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的

功率器件
2009-07-26

Vishay TRENCHFET 功率MOSFET 器件
Novaled與柯達(dá)共同開發(fā)顯示器用白光OLED器件

德國廠商N(yùn)ovaled與美國伊斯曼－柯達(dá)（Eastman Kodak）公司于日前在美國圣安東尼奧市舉行的SID 2009，共同發(fā)表采用Novaled獨(dú)自開發(fā)的制造技術(shù)“NovaledPINOLED”的主動矩陣式（Active Matrix）顯示器用白光

顯示光電
2009-07-26

顯示器 OLED NOVA 器件
宏力發(fā)布最新低成本高效率0.18微米OTP制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其最新開發(fā)的0.18微米OTP (一次編程) 制程平臺。該低成本高效率OTP技術(shù)平臺基于宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米邏輯制程，結(jié)合

模擬
2009-07-25

編程半導(dǎo)體制造微米器件
美科學(xué)家發(fā)明“突破摩爾定律禁錮”的半導(dǎo)體制作新工藝

美科學(xué)家發(fā)明“突破摩爾定律禁錮”的半導(dǎo)體制作新工藝

嵌入式動態(tài)
2009-07-24

半導(dǎo)體 Intel 摩爾定律器件
新一代 HQV 視頻技術(shù)（IDT）

IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款 Hollywood Quality Video™ （HQV®）音頻處理產(chǎn)品線的最新產(chǎn)品。新型 IDT HQV Vida™ 處理器芯片，將業(yè)界領(lǐng)先的好萊塢質(zhì)量視頻處理技術(shù)

消費(fèi)電子
2009-07-24

因特網(wǎng) 視頻技術(shù) IDT 器件
從市場需求談我國LED顯示屏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展特點(diǎn)

我國LED顯示屏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有一些明顯特點(diǎn),總體上以民營企業(yè)為主，從業(yè)人員年輕化，行業(yè)增長速度快，技術(shù)創(chuàng)新能力強(qiáng)，行業(yè)市場競爭激烈且以價(jià)格為主要競爭手段，規(guī)模型的骨干企業(yè)數(shù)目相對較少。進(jìn)入新世紀(jì)，光電子產(chǎn)

顯示光電
2009-07-24

LED顯示屏 LED光源 PDP 器件
串口256Kb F-RAM器件（Ramtron）

Ramtron International Corporation發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品，分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是

智能硬件
2009-07-23

串口 F-RAM RAMTRON 器件
危機(jī)時，中國打開MEMS的潘多拉魔盒

style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 2006年夏假的一天，剛從美國回來的張海霞被學(xué)生問得啞口無言。當(dāng)時她正在講臺上激情四射地講著MEMS美好的應(yīng)用前景

模擬
2009-07-23

納斯達(dá)克 MEMS BSP 器件
新款DrMOS器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一個PowerPAK® MLF6x6封裝內(nèi)集成DrMOS解決方案的器件 --- SiC769，該器件同時提供了高壓側(cè)和低壓側(cè)的N溝道MOSFET，外加全功能的MOSFET驅(qū)動器IC。SiC769分別

模擬
2009-07-22

控制器 MOS器件 Vishay 器件
賽普拉斯交付第10億件USB控制器

賽普拉斯日前宣布，該公司已經(jīng)交付了超過10億件 USB 控制器。賽普拉斯于 1996 年進(jìn)軍 USB 市場，目標(biāo)是“使 USB 無處不在®”，并隨后逐漸成為不同應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的 USB 器件領(lǐng)先供應(yīng)商。賽普拉斯推出了業(yè)界最完整的

工業(yè)控制
2009-07-22

賽普拉斯控制器 USB控制器器件

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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)

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