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螺釘安裝式高電壓圓盤電容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列螺釘安裝式高電壓圓盤電容器，這些器件為設(shè)計(jì)人員提供了多種直徑和電容值選擇，其額定電壓為 10kVDC～40kVDC。 憑借低交流與直流系數(shù)，以及可忽略的壓電/電致伸縮效
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Z箔模塑表面貼裝電阻（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司已增強(qiáng)了其 SMR1DZ 與 SMR3DZ 超高精度 Z 箔模塑表面貼裝電阻，它們具有不足1秒的幾乎瞬時(shí)的熱穩(wěn)定時(shí)間。這些器件在 0°C～+60°（參考值為 +25°C）范圍內(nèi)提供了±0
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基于Xilinx器件的CPRI協(xié)議實(shí)現(xiàn)方法
在近幾年內(nèi)相繼出現(xiàn)了CPRI、OBSAI接口標(biāo)準(zhǔn)。由于其實(shí)現(xiàn)上的經(jīng)濟(jì)簡便性，基于CPRI協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的分布式基站產(chǎn)品陸續(xù)推出。本文按照實(shí)際的應(yīng)用場景來設(shè)計(jì)，介紹了在CDMA系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)CPRI協(xié)議的方法，并給出了邏輯設(shè)計(jì)的框圖和仿真波形，對于CPRI協(xié)議的理解和CDMA分布式基站的設(shè)計(jì)有一定的參考意義。
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新系列高性能徑向鋁電容器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新系列徑向鋁電容器 --- 146 RTI，這些器件具有極低的阻抗值、高電容及高紋波電流，并可實(shí)現(xiàn)高達(dá) +125°C 的高溫運(yùn)行。 146 RTI 器件可采用 13 種封裝尺寸，從 10 mm ×
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遠(yuǎn)程醫(yī)療+人工智能
遠(yuǎn)程醫(yī)療是使用技術(shù)遠(yuǎn)程監(jiān)視、診斷，有時(shí)甚至進(jìn)行治療的技術(shù)，而無需與病人同處一地。當(dāng)前需要把病例電子化，然后，“我們需要從過去的信息收集（電子病例）轉(zhuǎn)變?yōu)楦e極的遠(yuǎn)程測試、檢測和防御功能，F(xiàn)reescale稱之為
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OLED照明：美國研發(fā)力量揭密
編者按:OLED照明被認(rèn)為是下一代的照明技術(shù)，具備與LED照明分庭抗禮甚至取而代之的實(shí)力，目前成為發(fā)達(dá)國家研究的熱點(diǎn)，德國、日本在不斷繼續(xù)積蓄力量，而作為全球技術(shù)領(lǐng)先的科技強(qiáng)國——美國是如何看待OLED的，有什么
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醫(yī)療先鋒之——飛兆
飛兆半導(dǎo)體擁有適用于醫(yī)療電子設(shè)備的廣泛產(chǎn)品系列，該公司的高電壓IGBT用于去纖顫器；USB 2.0收發(fā)器用于血壓監(jiān)控器；μSerDesTM串行器/解串器用于帶有相機(jī)和小型顯示器的醫(yī)療應(yīng)用；IntelliMAX先進(jìn)負(fù)載開關(guān)用于便攜式
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB 針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話
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新加坡進(jìn)口中國燈具概況
隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和人民生活水平的提高，人們對于燈具的要求越來越高，不僅要求燈具的照明效果而且更注重?zé)艟叩难b飾效果。近年來，新加坡政府不斷推行公共房屋翻新計(jì)劃，翻新樓宇的內(nèi)部及外墻，維修街燈和小型公園等。
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB 針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話
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新型 3mm 紅外發(fā)射器（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出 3mm (T1) 紅外發(fā)射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產(chǎn)品系列，且這些新器件的性能特征與領(lǐng)先的 5mm 發(fā)射器相當(dāng)。新型 VSLB3940 940nm 紅外發(fā)射器在 100 mA 時(shí)具有 65 mW/s
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新型3A降壓轉(zhuǎn)換器（Allegro）
Allegro®宣布推出新型 3 A 降壓轉(zhuǎn)換器，擴(kuò)展其現(xiàn)有的通用降壓穩(wěn)壓器系列。此新器件采用波谷電流回授控制。此控制方法可確保實(shí)現(xiàn)極低的開關(guān)時(shí)間，從而非常適合需要較高切換頻率及高輸入電壓 (9 V - 46 V) 和低輸出
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新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發(fā)射器系列，從而拓展了其光電子產(chǎn)品系列，這些新推出的器件具有遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器技術(shù)的輻射強(qiáng)度。這些新型發(fā)射器采用 1.8mm（T¾）鷗翼式（
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高效靈活的HB LED驅(qū)動(dòng)器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅(qū)動(dòng)器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結(jié)構(gòu)。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設(shè)計(jì)(如：MR16聚光燈)的尺寸、復(fù)雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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高效靈活的HB LED驅(qū)動(dòng)器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅(qū)動(dòng)器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結(jié)構(gòu)。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設(shè)計(jì)(如：MR16聚光燈)的尺寸、復(fù)雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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高效靈活的HB LED驅(qū)動(dòng)器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅(qū)動(dòng)器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結(jié)構(gòu)。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設(shè)計(jì)(如：MR16聚光燈)的尺寸、復(fù)雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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高效靈活的HB LED驅(qū)動(dòng)器（Maxim）
Maxim Integrated Products推出電流模式、高亮度LED (HB LED)驅(qū)動(dòng)器MAX16834，用于升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓結(jié)構(gòu)。該器件可降低固態(tài)照明(SSL)設(shè)計(jì)(如：MR16聚光燈)的尺寸、復(fù)雜度和成本，從而簡化了綠色照明技
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7
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桃花運(yùn)
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