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190V N 通道功率 MOSFET（Vishay）

時間：2009-01-05 21:50:45

關(guān)鍵字： MOSFET Vishay 導(dǎo)通電阻器件

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-7

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

SiA850DJ 的典型應(yīng)用將包括面向高壓壓電電動機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機(jī)、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的有機(jī) LED（OLED）背光。

將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設(shè)計人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 時便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進(jìn)一步節(jié)約了板面空間。該器件的導(dǎo)通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時 17Ω～4.5V VGS時 3.8Ω，0.5A 時二極管正向電壓為 1.2 V。

SiA850DJ 100% 無鉛（Pb），無鹵素，并且符合 RoHS規(guī)范，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

目前，新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。

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