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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）

時(shí)間：2009-01-19 08:55:29

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。

Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進(jìn)行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實(shí)現(xiàn)對(duì) MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動(dòng)部件暫時(shí)接觸而產(chǎn)生的電路短路。

此絕緣設(shè)計(jì)令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用，從而設(shè)計(jì)人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時(shí)將進(jìn)一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計(jì)靈活性還可減少寄生效應(yīng)，由于無需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。

20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時(shí) 0.043 Ω 至 4.5V VGS 時(shí) 0.037Ω 的低導(dǎo)通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。

目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。

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